【技术实现步骤摘要】
温度探测装置
本申请涉及温度检测领域，具体而言，涉及一种温度探测装置。
技术介绍
温度是表示物体冷热程度的物理量，微观上来讲是物体分子热运动的剧烈程度。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量，随着科学的发展，对温度测量的准确性要求越来越高。现有技术中，一般采用电子温度计实现较为准确的温度测量，电子温度计采用温度传感器，根据电阻和电流的关系完成对温度的测量。但是，在不同温度下，电子温度计的阻值会温度的改变而改变，使得对温度的测量不准确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种温度探测装置，以解决现有技术中在不同温度下，电子温度计的阻值会温度的改变而改变，使得对温度的测量不准确的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请提供一种温度探测装置，装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；绝缘层和隔热层中间位置均设置有通孔，且绝缘层设置在石墨烯层的一侧，隔热层设置在绝缘层远离石墨烯...
【技术保护点】
1.一种温度探测装置，其特征在于，所述装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；所述绝缘层和所述隔热层中间位置均设置有通孔，且所述绝缘层设置在所述石墨烯层的一侧，所述隔热层设置在所述绝缘层远离所述石墨烯层的一侧，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述石墨烯层的两端，所述半导体柱的形状为“T”形结构，“T”形结构的所述半导体柱的长端依次穿过所述绝缘层和所述石墨烯层的孔洞，并与所述石墨烯层的表面接触，所述吸热层罩设在所述半导体柱的短端一侧，并将热量传递给所述半导体柱。/n
【技术特征摘要】
1.一种温度探测装置，其特征在于，所述装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；所述绝缘层和所述隔热层中间位置均设置有通孔，且所述绝缘层设置在所述石墨烯层的一侧，所述隔热层设置在所述绝缘层远离所述石墨烯层的一侧，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述石墨烯层的两端，所述半导体柱的形状为“T”形结构，“T”形结构的所述半导体柱的长端依次穿过所述绝缘层和所述石墨烯层的孔洞，并与所述石墨烯层的表面接触，所述吸热层罩设在所述半导体柱的短端一侧，并将热量传递给所述半导体柱。
2.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述吸热层的表面覆盖设置有黑铬涂层。
3.根据权利要求2所述的温度探测装置，其特征在于，所述装置还包括导热层，所述导热层设置在所述吸热层和...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勇凯，李知多，孙佳琳，
申请(专利权)人：西安邮电大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。