用于形成地板覆盖物的镶板和这种地板覆盖物制造技术

本发明专利技术涉及一种适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板，其中该镶板具有基本平坦的顶侧和基本平坦的底侧、以及包括至少一对相对的侧边缘的至少四个基本线性的侧边缘，所述侧边缘优选地设置有锁定装置。

【技术实现步骤摘要】
用于形成地板覆盖物的镶板和这种地板覆盖物
本专利技术涉及适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板。本专利技术还涉及这种地板覆盖物。
技术介绍
地板行业通常使用一般传统的材料来制造(层压)地砖。这些材料的示例是：高密度纤维板(HDF)，其可以通过甲醛或酚醛树脂合并在一起；异质或同质的聚氯乙烯(PVC)，其可能包含任何增塑剂、实心硬木片；胶合在一起的多层薄板；以及烧制的配釉粘土，例如陶瓷和瓷砖。使用这些材料的目的主要取决于其材料性能，例如抗冲击性、刚性、声学性能和/或外观。但是，最近几年对替代材料的使用产生了兴趣。其示例是矿物材料的使用，因为与传统材料(例如PVC或HDF)相比，矿物材料通常具有相对较高的尺寸稳定性和足够的耐热性，并且对环境的影响较小。然而，由于其发展已经集中于用作建筑材料，特别是用作石膏/干式墙的替代物，因此它还不是特别适合用作地板镶板的部件。除了其他特征之外，期望的是由这种矿物材料制成的镶板的抗弯强度、抗冲击性、抗压痕性，内聚力和表面粘着力有所改善，使其适合用作地板镶板的部件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种复合矿物镶板、特别是地板镶板的至少一个替代性实施例，其相对于现有技术具备有竞争力的材料特性。为此，本专利技术提供一种适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板，其中，该镶板具有基本平坦的顶侧和基本平坦的底侧、以及包括至少一对相对的侧边缘的至少四个基本线性的侧边缘，该镶板包括至少一个芯层，所述至少一个芯层至少部分地包括镁晶体结构，其中所述至少一个芯层包括至少一种有机化合物，所述至少一种有机化合物包含至少两个羟基；优选地，其中所述有机化合物的存在范围为0.05％至5％的重量百分比。芯层至少部分地包含镁晶体结构，该镁晶体结构包括至少一种包含至少两个羟基的有机化合物；优选地，其中所述有机化合物的存在范围为0.05％至5％的重量百分比，导致该晶体结构中，相比于薄片状或不规则形状的晶体而言，增加了有利的晶须或针状形状的晶体的量。因此，本专利技术还涉及一种适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板，其中，该镶板具有基本平坦的顶侧和基本平坦的底侧、包括至少一对相对的侧边缘的至少四个基本线性的侧边缘；镶板包括包含氧化镁胶粘剂的芯层，其中氧化镁胶粘剂包含薄片状或不规则形状以及晶须或针状形状的氧化镁晶体，其中晶须或针状形状的晶体比薄片状或不规则形状的晶体更多。包括至少一个包含镁晶体结构(例如含氧硫酸镁晶须，其至少部分地形成致密的晶体微观结构)的芯层在内的芯层为镶板提供了内聚力的显著改善，并且结合有良好的抗冲击性和良好的抗弯强度。这导致镶板特别适合于地板用途。镁晶体结构包括镁晶体，优选是含氧硫酸镁晶体。特别地，芯层包括氧化镁胶粘剂。氧化镁胶粘剂的形成和微观结构可以用“结晶”或“水合”相来描述，并用由氧化镁、镁盐(如硫酸镁或氯化镁)和水的比例组成的三元体系表示。结晶相在固化后形成为陶瓷化合物，并且可以用缩写形式表示，指的是各自在所形成的晶体中的摩尔比。以硫酸镁盐为主要粘结材料的含氧硫酸镁胶粘剂可以在环境条件下形成两个稳定的结晶相；其中之一由化合物氧化镁、硫酸镁和水组成，通常称为5相(也称为5-1-3相，表示5Mg(OH)2.MgSO4.3H2O)和3相(也称为3-1-8相，表示3Mg(OH)2.MgSO4.8H2O)。前者显示出有益的针状或晶须状晶体结构，直径为0.2–1.0μm，长度为20–50μm，具有良好的抗弯强度，而后者显示出薄片状或不规则的晶体形状，导致组合物较弱。当提到意在宜居条件下使用的含氧硫酸镁胶粘剂时，意指包含5-1-3相的含氧硫酸镁晶须的晶体相结构或3-1-8结构的含氧硫酸镁薄片的晶体相结构的陶瓷组合物。通常认为3-1-8的“薄片状”结构是在20-60℃和宜居的大气条件下更稳定的相结构。在极端压力和温度下可能会形成其他相，但在宜居温度下不稳定。当制备含氧硫酸镁胶粘剂时，自然地，至少50％的组合物由3-1-8晶体组成。其片状或不规则结构导致镶板表面风化，随后导致内聚力差和低表面粘着力，这使其特别不适合用作地板镶板中的部件。本专利技术提供一种地板镶板，其包括至少一个芯层，该芯层的含氧硫酸镁5-1-3“晶须”相与3-1-8“薄片”相的比例大于1。含氧硫酸镁晶须的优点是在环境条件下形成。含氧硫酸镁晶须也可称为晶针。由于含氧硫酸镁晶须至少部分地形成晶体结构，所以含氧硫酸镁晶须将彼此互锁以形成高密度的微观结构。这些互锁晶须从而为镶板的芯层提供了改进的强度。另外，由于存在具有良好抗冲击性的所述芯层，因此根据本专利技术的板是有益的；例如，当在根据本专利技术的地板覆盖物中应用多个镶板时，这是有利的。当根据EN310进行测试时，5-1-3相的晶体结构的抗压缩和压痕性高于50MPa，而3-1-8结构的抗压缩和压痕性仅为约20MPa。由于晶须不易溶于水，而3-1-8相在湿润条件下的稳定性较差，因此本专利技术的镶板还具有良好的耐水性和耐湿性。对于本领域技术人员而言，含氧硫酸镁晶须不是在本专利技术目的的芯材料中使用的和形成晶体结构的明显材料。技术人员通常会使用更常见的也可以形成晶相的(含氧)氯化镁胶粘剂，其中氯化镁晶须能够以5-1-8(5Mg(OH)2.MgCl2.8H2O)相和/或3-1-8(3Mg(OH)2.MgCl2.8H2O)相存在。然而，这些氯化镁晶体相对不耐水，因为水可能浸出可溶性氯化镁，这可能导致材料强度的显著降低。含氧硫酸镁晶须没有这个缺点。作为提供其他添加剂来改善材料特性的替代，本专利技术提供了不同的材料。然而，不排除根据本专利技术的地板镶板包含相对较小比例的氯化镁，例如至多5％的重量百分比，优选小于1％的重量百分比。含氧硫酸镁晶须可以通过将反应性氧化镁与硫酸镁水溶液混合而制得。所述反应性氧化镁可以通过在600至1300摄氏度范围内、优选在800至1000摄氏度范围内的温度下进行的煅烧工艺而获得。反应性氧化镁(RM)也可以称为“苛性煅烧氧化镁(CCM)”或轻烧氧化镁。形成所需的MOS晶须的第一个条件是原料的比例。通过将MgSO4与水以0.6-2：1的比例混合来制备镁盐水溶液，将其搅拌约2分钟以使其溶解，从而使混合物在固化期间形成陶瓷材料。为了确保晶须晶相与薄片晶相的比例大于1，MgO与MgSO4的比例应保持在4.6-5.8：1左右，更理想的是4.9-5.2。形成所需晶体结构的第二个条件是向浆料中添加重量百分比为0.05％至10％的第二水溶液，该第二水溶液包含重量百分比为50％至90％的包含至少两个羟基(-OH)的有机化合物。这包括包含羟基(例如羧基(-COOH))的官能团，这些官能团对MOS晶须晶体的形成具有相同的作用。含有两个羧基官能团-COOH的二元羧酸取得了最佳结果，最有利的是短链长，例如草酸C2H2O4(两个羧基-COOH基团)或中草酸C3H2O5(基于水的存在的两个到四个羧基-COOH基团))。柠檬酸C6H8O7(四个–OH羟基)和硼酸H3BO3(三个–OH羟基)也获得了良好的结果。已经发现，至少一部分这些元素的添加会影响芯层的晶体结构，并增加和增强MgO结晶成优选的晶相，这对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板，其中，所述镶板具有基本平坦的顶侧和基本平坦的底侧、以及包括至少一对相对的侧边缘的至少四个基本线性的侧边缘，/n所述镶板包括：/n至少一个芯层，所述至少一个芯层至少部分地包括镁晶体结构，/n其中所述至少一个芯层包括重量百分比为0.05％至5％的至少一种有机化合物，所述至少一种有机化合物包含至少两个羟基。/n

【技术特征摘要】
20200131 NL 20248051.一种适于形成地板覆盖物的镶板，特别是地板镶板，其中，所述镶板具有基本平坦的顶侧和基本平坦的底侧、以及包括至少一对相对的侧边缘的至少四个基本线性的侧边缘，
所述镶板包括：
至少一个芯层，所述至少一个芯层至少部分地包括镁晶体结构，
其中所述至少一个芯层包括重量百分比为0.05％至5％的至少一种有机化合物，所述至少一种有机化合物包含至少两个羟基。


2.根据权利要求1所述的镶板，其中，所述镁晶体结构是含氧硫酸镁和/或含氧氯化镁晶体结构。


3.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，所述镁晶体的至少一部分以长的互锁晶体结构或“晶须”存在，并且一些所述镁晶体以短的不规则晶体结构或“薄片”存在。


4.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，晶须相与薄片晶体相的比例高于1。


5.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，至少多个镁晶体的长径比至少为5，优选至少为10，更优选至少为20。


6.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，至少多个含氧硫酸镁晶体、特别是含氧硫酸镁晶须的平均直径在0.2至1.0微米的范围内。


7.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，至少多个含氧硫酸镁晶体、特别是含氧硫酸镁晶须的平均长度在1至50微米的范围内。


8.根据前述权利要求中任一项所述的镶板，其中，所述芯层包括重量百分比为至少5％的含氧硫酸镁晶须，优选重量百分比为至少10％、更优选重量百分比为至少20％的晶须相晶体结构。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·卢克·马丁·贝尔特，汤姆·范·波尔，斯万·伯恩，
申请(专利权)人：财纳福诺木业中国有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33