一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料、氮化铝流延浆料及应用制造技术

本申请涉及陶瓷材料领域，具体公开了一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料、氮化铝流延浆料及应用。该氮化铝陶瓷材料包括氮化铝陶瓷粉体、助烧剂A和助烧剂B，助烧剂A为AlF

【技术实现步骤摘要】
一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料、氮化铝流延浆料及应用
本申请涉及陶瓷材料领域，更具体地说，它涉及一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料、氮化铝流延浆料及应用。
技术介绍
氮化铝陶瓷具有优良的热学、力学、电学性能，高导热率、高强度，成为集成电路、半导体模块以及大功率器件理想的散热和封装材料，可大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、汽车电阻、微电子半导体、影像传输等领域。而氮化铝(AlN)属于共价化合物，自扩散系数小，将其直接烧结致密化较为困难，因而目前制备氮化铝陶瓷通常需要添加烧结助剂促进烧结，即便添加烧结助剂制备氮化铝陶瓷，但烧结过程仍需要1800℃以上的高温才能得到致密度较高、导热系数良好的AlN陶瓷。对于降低AlN陶瓷的烧结温度，LiuYaoCheng和WuYin等人在1996年发表的文献“LowtemperatureSinteringofaluminumnitrideceramics[J].TsinghuaJournal,1996,36:20”中，以Dy2O3为烧结助剂，在N2气氛下AlN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料，其特征在于：包括氮化铝陶瓷粉体、助烧剂A和助烧剂B，所述助烧剂A为AlF

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料，其特征在于：包括氮化铝陶瓷粉体、助烧剂A和助烧剂B，所述助烧剂A为AlF3、LiF、金属Li粉中的一种或多种的组合，所述助烧剂B为CaF2、YF3、Y2O3、Dy2O3中的一种或者多种的组合；助烧剂A的质量为氮化铝陶瓷粉体总质量的4-7%，助烧剂B的用量为氮化铝陶瓷粉体总质量2.5-4.5%。


2.根据权利要求1所述的一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料，其特征在于：所述助烧剂A由AlF3、金属Li粉以重量比为1:0.5-2混合组成，所述助烧剂B为Dy2O3，AlF3与Dy2O3的混合重量比为1:0.5-1。


3.根据权利要求1或2所述的一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料，其特征在于：所述氮化铝陶瓷粉体由微米级氮化铝陶瓷粉体和纳米级氮化铝陶瓷粉体以重量比为4-19：1混合而成，所述微米级氮化铝陶瓷粉体的粒径为D50=0.8-2.2μm，所述纳米级氮化铝陶瓷粉体的粒径为D50=0.03-0.10μm。


4.根据权利要求3所述的一种低温烧结的氮化铝陶瓷材料，其特征在于：所述氮化铝陶瓷粉体由微米级氮化铝陶瓷粉体和纳米级氮化铝陶瓷粉体以重量份为9：1混合而成。


5.一种氮化铝流延浆料，其特征在于：包括有机溶剂、分散剂、消泡剂、粘合剂、增塑剂以及权利要求1-4任一项所述的氮化铝陶瓷材料；
有机溶剂的质量为氮化铝陶瓷材料中的氮化铝陶瓷粉体总质量的35-60%，分散剂的质量为氮化铝陶瓷材料中的氮化铝陶瓷粉体总质量的0.8-1.5%，消泡剂的质量为氮化铝陶瓷材料中的氮化铝陶瓷粉体总质量的0.5-1.0%，粘合剂的质量为氮化铝陶瓷材料中的氮化铝陶瓷粉体总质量的5-10%，增塑剂的质量为粘合剂总质量的5-18%。


6.根据权利要求5所述的一种氮化铝流延浆料，其特征在于：所述有机溶剂为无水乙醇、醋酸正丙酯、醋酸异丙酯、乙酸乙酯中的至少一种；所述分散剂为聚丙烯酸铵类分散剂；所述消泡剂为含硅消泡；所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、聚丙烯酸甲酯粘合剂中的至少一种；所述增塑剂为邻苯二甲酸二辛脂、邻苯二甲酸二丁酯、合成植物酯中的至少一种。

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涛，
申请(专利权)人：深圳市丁鼎陶瓷科技有限公司，山东丁鼎科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44