一种Si制造技术

本发明专利技术提供了一种Si

【技术实现步骤摘要】
一种Si3N4晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板和制备方法
本专利技术属于晶须增韧陶瓷基片材料领域。涉及一种Si3N4晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板和制备方法。
技术介绍
随着大规模集成电路的发展，人们对于封装用基片的要求也越来越严格。其中，高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求。封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能。氮化铝（AlN）作为一种综合性能优良新型的先进陶瓷材料，具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的广泛重视。在理论上，AlN的热导率为320W/(m·K)，工业上实际制备的多晶氮化铝的热导率也可达100~250W/(m)，该数值是传统基片材料氧化铝热导率的5倍～10倍；但强共价键的存在大大降低了氮化铝陶瓷的断裂韧性，使其在高功率LED照明和大功率集成电路的冷热交替服役环境中的可靠性大幅下降。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Si

【技术特征摘要】
1.一种Si3N4晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：第一步：将氮化铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇进行混合，在水浴下得到混合料浆；第二步：将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中球磨，第三步：将球磨后料浆进行过筛除泡后得到流延浆料；第四步：流延浆料经过流延工艺得到复相陶瓷胶片；第五步：将第四步得到的复相陶瓷胶片进入脱脂炉内进行排胶，得到复相陶瓷的素片；第六步：将第五步中得到的复相陶瓷的素片在氮气气氛下烧结，得到产品。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氮化铝粉体的平均粒径为0.9-1.1μm；所述氮化钇的平均粒径为0.4-0.6μm；所述聚氮硅烷纤维直径为0.9-1.1μm，长度平均为45-55μm；所述聚乙二醇缩丁醛的聚合度为2000~2100；所述聚乙二醇的分子量为3600-4400。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇的质量比为：0.9-1.1:0.02-0.04:0.09-0.11:2.7-3.3:1.8-2.2:18-22。


4.如权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴超，李华冠，张旭，张博森，权静茹，霍可心，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32