【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓单晶片固定装置及抛光方法
本专利技术涉及晶体加工
，尤其涉及一种氮化镓单晶片固定装置及抛光方法。
技术介绍
二十世纪的晶体管的专利技术，促使人们越发关注半导体材料的研究。集成电路的发展应用促进了硅、锗等第一代元素半导体的研究。进而发展为从材料研究到器件制备的完整工艺产业链。而第二代化合物半导体材料的研究则促进了微波及光电子器件的应用。氮化镓为典型的第三代半导体材料，其在光学与电子学领域有重要的应用，特别是在高亮度蓝光LED上的突出表现使得氮化镓材料的研究与应用成为热点。最初，因为缺乏同质衬底，没有人采用气相外延的方法来生长氮化镓材料。直到1968年，Maruska和Tietjen首次尝试采用氢化物气相外延方法在蓝宝石衬底上生长厘米尺度的氮化镓外延层。传统的HVPE反应是由III族元素的氯化物与V族元素的氢化物在衬底上完成。其中氯化物是由氯化氢气体流过液态III族元素而反应合成。选择蓝宝石作为衬底材料则是因为蓝宝石衬底不会与氨气发生反应。随后，碳化硅、硅、砷化镓、镓酸锂、氮化铝等材料都被尝试用来作为衬底...
【技术保护点】
1.一种氮化镓单晶片固定装置，其特征在于，包括圆柱体本体、开设在圆柱体本体上表面的凹槽、以及开设在圆柱体本体下表面的凹槽；/n开设在圆柱体本体上表面的凹槽为晶片固定槽，所述开设在圆柱体本体下表面的凹槽为压力块放置槽。/n
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓单晶片固定装置，其特征在于，包括圆柱体本体、开设在圆柱体本体上表面的凹槽、以及开设在圆柱体本体下表面的凹槽；
开设在圆柱体本体上表面的凹槽为晶片固定槽，所述开设在圆柱体本体下表面的凹槽为压力块放置槽。
2.根据权利要求1所述一种氮化镓单晶片固定装置，其特征在于，压力块放置槽深度30-50毫米。
3.一种氮化镓单晶片的抛光方法，其特征在于，所述方法基于权利要求1或2所述氮化镓单晶片固定装置，所述抛光方法包括下述步骤：
步骤1，清洗处理生长在异质衬底上的氮化镓单晶片，放入晶片固定槽，在槽中放入填充剂，加热晶片固定槽，使得填充剂熔化并充满氮化镓...
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