【技术实现步骤摘要】
一种片层状Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40异质复合光催化剂及其制备方法
本专利技术属于光催化剂
，特别涉及片层状Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40异质复合光催化剂及其制备方法。
技术介绍
铋系半导体普遍具有良好的光催化性能，其合适的禁带宽度和特殊的层状结构使其具有宽的可见光响应范围，和良好的物理及化学稳定性，是光催化领域的一大研究热点。但其仍存在着电子-空穴易复合和响应波长范围窄等问题需要进一步改善解决。窄的禁带宽度可以提高对太阳光的利用率，宽的禁带宽度又可以抑制光生载流子的复合。因此，单一半导体光催化材料难以同时具有优异的光吸收能力和较高的光生载流子分离和迁移效率。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种片层状异质复合光催化剂及其制备方法，通过构建异质结解决了上述矛盾，所得复合光催化剂粒径分布均匀，具有更小更薄的片状结构，具有更多活性位点，该结构能够有效提高对光的利用率，提高光催化活性，并且其制备工艺简单。为了实现上述目的，本专...
【技术保护点】
1.一种片层状Bi
【技术特征摘要】
1.一种片层状Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40异质复合光催化剂及其制备方法，表达式为Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40，其结构为厚度约15～25nm，边长不超过1.5μm的薄片所组成的三维交叉式片层结构。
2.权利要求1所述片层状Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40异质复合光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，在硝酸铋溶液中加入分散剂得到A液，以偏硅酸钠溶液为B液，其中硅离子与铋离子的摩尔比为1:1～1.5:1；
步骤2，将B液缓慢滴加至A液中，继续搅拌，混合均匀后，再加入PS悬浮液，得到前驱体溶液；
步骤3，将前驱体溶液在带聚四氟乙烯衬里的不锈钢密闭高压釜中150～250℃下保持8～15小时，然后自然冷却至室温；
步骤4，将所得到的产品收集离心，并用去离子水和无水乙醇洗涤数次，然后在60℃...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍媛婷，关梦瑶，韩琳，王锦荣，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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