一种光电探测芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微机电光电探测芯片，该微机电光电探测芯片包括：内芯片，内芯片用于吸收预设波长光信号，并将预设波长光信号转换为对应的电信号；光学增透膜层，位于内芯片的光信号接收表面侧，用于透射预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；滤光保护层，位于光学增透膜层远离内芯片一侧的表面，用于透射预设波长光信号，并保护内芯片。本实用新型专利技术提供的技术方案，提高了微机电光电探测芯片的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测芯片
本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种光电探测芯片。
技术介绍
微机电光电探测芯片用于吸收预设波长的光信号，并将预设波长光信号转换为对应的电信号，在光电探测领域有广泛的应用。现有的微机电光电探测芯片包括内芯片以及位于内芯片上的滤光保护层，预设波长光信号透过滤光保护层被内芯片吸收并转换为对应的电信号，但是现有的微机电光电探测芯片光电转换效率比较低，需要进一步提高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种光电探测芯片，提高了微机电光电探测芯片的光电转换效率。本技术实施例提供了一种微机电光电探测芯片，包括：内芯片，所述内芯片用于吸收预设波长光信号，并将所述预设波长光信号转换为对应的电信号；光学增透膜层，位于所述内芯片的光信号接收表面侧，用于透射所述预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；滤光保护层，位于所述光学增透膜层远离所述内芯片一侧的表面，用于透射所述预设波长光信号，并保护所述内芯片。可选地，所述内芯片还包括衬底、支撑层、红外吸收层和热电堆；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电光电探测芯片，其特征在于，包括：内芯片，所述内芯片用于吸收预设波长光信号，并将所述预设波长光信号转换为对应的电信号；/n光学增透膜层，位于所述内芯片的光信号接收表面侧，用于透射所述预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；/n滤光保护层，位于所述光学增透膜层远离所述内芯片一侧的表面，用于透射所述预设波长光信号，并保护所述内芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种微机电光电探测芯片，其特征在于，包括：内芯片，所述内芯片用于吸收预设波长光信号，并将所述预设波长光信号转换为对应的电信号；
光学增透膜层，位于所述内芯片的光信号接收表面侧，用于透射所述预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；
滤光保护层，位于所述光学增透膜层远离所述内芯片一侧的表面，用于透射所述预设波长光信号，并保护所述内芯片。


2.根据权利要求1所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述内芯片还包括衬底、支撑层、红外吸收层和热电堆；
所述衬底的第一表面设置有凹槽构成的空气腔体；
所述支撑层位于所述衬底的第一表面；
所述红外吸收层位于所述空气腔体内，且位于所述支撑层邻近所述空气腔体一侧的表面，用于吸收红外光信号；
所述热电堆，位于所述支撑层远离所述红外吸收层一侧的表面，所述热电堆靠近所述红外吸收层的一端作为热端，所述热电堆远离所述红外吸收层的一端作为冷端，所述热电端的冷端作为电极通过导电通孔将所述红外光信号对应的电信号引至所述衬底与所述第一表面相对的第二表面。


3.根据权利要求1所述的微机电光电探测芯片，其特征在于，所述滤光保护层包括透光区和包围所述透光区的非透光区，且所述微机电光电探测芯片还包括金属反射层，所述金属反射层位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萍萍，胡维，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32