负极材料、负极极片、电化学装置和电子装置制造方法及图纸

一种负极材料、负极极片、电化学装置和电子装置。负极材料包括硅基材料和碳材料，其中，碳材料的拉曼光谱中位移范围为1255～1355cm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】负极材料、负极极片、电化学装置和电子装置
本公开涉及电子
，尤其涉及一种负极材料、负极极片、电化学装置和电子装置。
技术介绍
硅基材料具有高达4200mAh/g的理论比容量，是具有应用前景的下一代电化学装置(例如，锂离子电池)的负极材料。然而，硅基材料在充放电过程中具有约300％的体积膨胀，并且导电性较差。为此，工业界通常采用硅基材料和石墨材料按一定的比例混合应用，但尽管如此，仍然难以满足人们对能力密度和动力学日益增长的需求。目前，研究人员主要通过改善硅基材料的界面稳定性和导电性来提高负极动力学，降低电极组件的循环中的膨胀。然而，目前的改善效果难以令人满意。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本公开通过限定硅基材料与碳材料的表面特征、颗粒分布以及形貌的关系，显著改善电化学装置的倍率性能，同时改善电化学装置的循环性能和变形率。本公开提供一种负极材料，包括：硅基材料和碳材料，其中，所述碳材料的拉曼光谱中位移范围为1255～1355cm-1与1575～1600cm-1的峰分别为D峰和G峰，所述硅基材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负极材料，包括：/n硅基材料和碳材料，/n其中，所述碳材料的拉曼光谱中位移范围为1255～1355cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种负极材料，包括：
硅基材料和碳材料，
其中，所述碳材料的拉曼光谱中位移范围为1255～1355cm-1与1575～1600cm-1的峰分别为D峰和G峰，所述硅基材料的拉曼光谱中位移范围为1255～1355cm-1与1575～1600cm-1的峰分别为D峰和G峰，所述碳材料的散射峰强度比D/G为A，所述硅基材料的散射峰强度比D/G为B，其中，0.15≤A≤0.9，0.8≤B≤2.0，0.2<B-A<1.8。


2.根据权利要求1所述的负极材料，其中，所述碳材料的Dn50/Dv50的值为E，所述硅基材料的Dn50/Dv50的值为F，并且F>E。


3.根据权利要求1所述的负极材料，其中，所述碳材料的Dn50/Dv50的值E为0.1～0.65；和/或所述硅基材料的Dn50/Dv50的值F为0.3～0.85。


4.根据权利要求1所述的负极材料，其中，所述碳材料的平均球形度为H，所述硅基材料的平均球...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖群超，崔航，谢远森，王超，
申请(专利权)人：宁德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35