抛光浆料组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种抛光浆料组合物，根据本发明专利技术的一个实施方式的抛光浆料组合物包括包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；选择比调节剂；以及抛光粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光浆料组合物
本专利技术涉及一种抛光浆料组合物。
技术介绍
随着半导体器件的多样化及高度集成化，人们开始使用更精细的图案形成技术，随之，半导体器件的表面结构也变得更加复杂，表面膜之间的段差也越来越大。为了制造半导体器件，使用化学机械抛光(CMP，chemicalmechanicalpolishing)制程作为平坦化技术用于去除在基板上形成的特定膜中的段差。例如，它被广泛使用于：用于去除为层间绝缘而过度形成的绝缘膜的制程、用于隔离将层间绝缘膜(interlayerdielectric；ILD)与芯片(chip)之间绝缘的浅沟槽的绝缘膜的平坦化的制程、以及用于形成金属导电膜的制程，如布线、接触插塞、接触通孔等。为了在STI制程中保护图案化多晶硅膜质，需要提高绝缘膜层的抛光率并降低多晶硅膜层的抛光率，即所谓的选择性抛光特性。尤其，即使在单元式(CellType)图案中过度抛光，也应减少对多晶硅膜的损耗。此外，当STI制程中的抛光选择比过高时，由于埋在沟槽中的绝缘膜层过度抛光，可能导致凹陷(dishing)现象并恶化器件性能。尤其，此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光浆料组合物，包括：/n包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；/n选择比调节剂；以及/n抛光粒子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181221 KR 10-2018-01669011.一种抛光浆料组合物，包括：
包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；
选择比调节剂；以及
抛光粒子。


2.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，其中所述非离子型高分子聚合物由以下化学式1表示：
[化学式1]



(在所述化学式1中，n是1以上的整数，R2是单键，经取代或未经取代的C1-30的亚烷基、亚烯基、亚环烷基、亚芳基、芳基亚烷基或亚炔基，R1、R3及R4是彼此独立的氢、羟基、官能团经取代或未经取代的C1-30的烷基、烷氧基、芳基或芳烷基)。


3.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，其中所述非离子型高分子聚合物包括从由聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有羟基末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有α-苄基及ω叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有哌嗪末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有炔烃末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有α-苄基及ω硫羟末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有α-甲基及ω羟乙基胺末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有胺末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有哌嗪末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、聚(2-丙基-2-恶唑啉)、具有叠氮化物末端的聚(2-丙基-2-恶唑啉)及其衍生物组成的群组中选择的至少任一种。


4.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，其中所述非离子型高分子聚合物的重量平均分子量为5000至500000。


5.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，在所述抛光浆料组合物中，所述非离子型高分子聚合物占0.01重量％至5重量％。


6.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，其中所述选择比调节剂包括含有6至20个碳原子的芳香环及一个以上的羧基(-COOH)的有机酸。


7.根据权利要求6所述的抛光浆料组合物，其中所述选择比调节剂包括含有6至20个碳原子的芳香环及一个以上的羧基(-COOH)的有机酸。


8.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，在所述抛光浆料组合物中，所述选择比调节剂占0.01重量％至5重量％。


9.根据权利要求1所述的抛光浆料组合物，其中所述浆料组合物还包括包含非离子聚合物的分散助剂；
包含阳离子聚合物的抛光调节剂；或
两者全部。


10.根据权利要求9所述的抛光浆料组合物，其中所述分散助剂包括从由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基酯、聚氧乙烯甲醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚烷基化氧、聚氧乙烯氧化物、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、纤维素、甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基氢羟乙基纤维素、硫乙基纤维素及羧甲基硫乙基纤维素组成的群组中选择的至少任一种。


11.根据权利要求9所述的抛光浆料组合物，在所述抛光浆料组合物中，所述分散助剂占0.001重量％至1重量％。

【专利技术属性】
技术研发人员：崔洛炫，金廷润，梁海元，崔秀完，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR