一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液，包括如下重量份的组分：磨料20份‑60份；表面活性剂0.1份‑1份；金属螯合剂0.1份‑1份；pH值调节剂0.01份‑3份；水50份‑80份；其中，所述磨料为以铝包覆硅的包覆型复合磨料。本发明专利技术的包覆型复合磨料综合了氧化铝和氧化硅磨料的优缺点，扬长避短，使得该磨料在水相中易分散，形成的胶体体系稳定不易沉降，并且在化学机械抛光的应用中具有抛光速率快、表面粗糙度低等特点，再配合表面活性剂、金属螯合剂等材料的特点，使抛光后硅片表面易清洗以及精度更符合要求。本发明专利技术还提供一种该抛光液的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液及其制备方法
本专利技术涉及硅片加工
，尤其涉及一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液及其制备方法。
技术介绍
随着信息技术的飞速发展，信息产业已经成为全球经济的主导产业之一。微电子产品研究与生产和计算机制造在电子产业中起着先导作用，它们相辅相成，相互促进，进而快速发展，并呈现出高集成度和高性能化的发展趋势，进而对许多部件表面提出了前所未有的特殊要求。集成电路(IC)制造是电子信息产业的核心，随着集成电路产业的飞速发展，IC特征尺寸不断缩小，硅片尺寸不断增大，IC工艺变得越来越复杂和精细。随着集成电路的特征尺寸达到纳米级，光刻的精度要求也越来越高，要求衬底和IC材料的表面凹凸必须降至焦深的变化范围之内，即衬底或IC材料的表面需要高效平坦化。化学机械抛光(CMP)，是目前能提供超大规模集成电路制造过程中全面平坦化与芯片内联线表面全局平面化的一种新技术。单纯的化学抛光，表面光洁度高、损伤低、完美性好，但其表面平整度、平行度、抛光一致性较差；而单纯机械抛光一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。CMP利用化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液，其特征在于，包括如下重量份的组分：/n磨料20份-60份；表面活性剂0.1份-1份；金属螯合剂0.1份-1份；pH值调节剂0.01份-3份；水50份-80份；其中，所述磨料为以铝包覆硅的包覆型复合磨料。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅片表面抛光的抛光液，其特征在于，包括如下重量份的组分：
磨料20份-60份；表面活性剂0.1份-1份；金属螯合剂0.1份-1份；pH值调节剂0.01份-3份；水50份-80份；其中，所述磨料为以铝包覆硅的包覆型复合磨料。


2.根据权利要求1所述的用于单晶硅片表面抛光的抛光液，其特征在于，所述包覆型复合磨料的制备包括如下步骤：
S1：利用水玻璃和铝盐溶液制备硅铝氧化物，在合成过程中保持体系pH值在中性；
S2：向上述硅铝氧化物中加入稀硫酸，调节pH值为2～4，使部分铝物种迁移到粒子表面，然后再经过陈化0.5h～1.5h，接着，冷却至60℃～70℃，过滤，得到滤饼；
S3：依次用浓度为1～3wt％的硫酸和水对滤饼进行洗涤，以降低滤饼中二氧化硅的钠离子和硫酸根的含量；
S4：将洗涤后的滤饼重新分散在少量水中，分散均匀后所得浆料进行喷雾干燥，再经气流粉碎分级，即得。


3.根据权利要求2所述的用于单晶硅片表面抛光的抛光液，其特征在于，所述硅铝氧化物的制备包括如下步骤：
(1)配制二氧化硅浓度为10～20wt％，模数为3.35的水玻璃，待用；
(2)在温度为30℃～60℃条件下，将铝盐溶液与上述水玻璃混合均匀，得到含铝物种的水玻璃；
(3)向反应釜中注水，并升温到步骤(2)中温度，同时加入含铝物种的水玻璃和硫酸溶液，并流，并流时间为30min-90min，且保持体系pH值在中性；
(4)并流完成后，升温到80℃～100℃，并在该温度下保持老化2h，老化后，即得硅铝氧化物。


4.根据权利要求2所述的用于单晶硅片表面抛光的抛光液，其特征在于，所述铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡颖妮，
申请(专利权)人：广州凌玮科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44