微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板。所述微型发光二极管结构包含一磊晶层。微型发光二极管结构也包含一反射层，反射层设置于磊晶层之上。微型发光二极管结构还包含一图案化电极层，图案化电极层设置于磊晶层与反射层之间。图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，图案化电极区段彼此分离。此外，微型发光二极管结构包含一第一型电极与一第二型电极，第一型电极与第二型电极设置于反射层之上并与磊晶层电性连接。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板
本公开实施例涉及一种发光二极管结构与使用其的发光二极管显示面板，尤其涉及一种包含图案化电极层的微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板。
技术介绍
随着光电科技的进步，许多光电组件的体积逐渐往小型化发展。相较于有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)技术，微型发光二极管(microLED,mLED/μLED)具有效率高、寿命较长、材料不易受到环境影响而相对稳定等优势。因而，使用以数组排列制作的微型发光二极管的显示器在市场上逐渐受到重视。在一般的微型发光二极管结构中，常包含三族氮化物半导体材料(例如，GaN、AlN、InN及其合金等)作为发光材料。然而，在发光材料发出光线至到达出光面的过程中，可能因为各层的折射率不同，对于光线的行进造成阻碍。举例来说，发光材料发出的光线可能在微型发光二极管结构的内部发生全反射，导致微型发光二极管结构的整体发光效率降低。
技术实现思路
本公开实施例是有关于一种包含图案化电极层的微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示面板。图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，且这些图案化电极区段彼此分离。在一些实施例中，可通过调整图案化电极区段的尺寸(高度、宽度等)或相邻两个图案化电极区段的距离，使微型发光二极管结构的整体发光效率进一步提升。本公开实施例包含一种微型发光二极管结构。微型发光二极管结构包含一磊晶层。微型发光二极管结构也包含一反射层，反射层设置于磊晶层之上。微型发光二极管结构还包含一图案化电极层，图案化电极层设置于磊晶层与反射层之间。图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，图案化电极区段彼此分离。此外，微型发光二极管结构包含一第一型电极与一第二型电极，第一型电极与第二型电极设置于反射层之上并与磊晶层电性连接。本公开实施例包含一种微型发光二极管显示面板。微型发光二极管显示面板包含一驱动基板，驱动基板具有一显示区与一非显示区。微型发光二极管显示面板也包含多个像素，像素设置于显示区中并排列为一数组。微型发光二极管显示面板还包含多个前述的微型发光二极管结构，微型发光二极管结构设置于像素中并接合于驱动基板之上。附图说明以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，组件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；图2是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构的部分上视图；图3是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；图4是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；图5是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管结构的部分剖面图；图6是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板的部分上视图；图7是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示面板的部分剖面图。附图标记说明1:微型发光二极管显示面板3:驱动基板3A:显示区3E1,3E2:电路接垫3N:非显示区5:扫描驱动电路7:数据驱动电路100,100B,100G,100R,102,104,106:微型发光二极管结构10:第一型半导体层10B:背面10E:图案化出光面20,20B,20G,20R:发光层30:第二型半导体层30T:表面40:图案化电极层41:图案化电极区段43:导电膜50,50’:反射层50T:顶表面50T’:图案化顶表面61,61’:第一型电极61H,61H’:贯孔61HB:底部63:第二型电极63H:贯孔63HB:底部D:高度I:排列间距P:像素P1,P2,P3:子像素S:底面宽度具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“在…上方”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)组件或特征部件与另一个(些)组件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系。图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构100的部分剖面图，图2是根据本公开一实施例示出微型发光二极管结构100的部分上视图。举例来说，图1可为沿着图2中的剖面线A-A’所切的剖面图，但本公开实施例并非以此为限。要注意的是，为了更清楚显示本公开实施例的技术特征，图1与图2中可能省略微型发光二极管结构100的部分部件。参照图1，在一些实施例中，微型发光二极管结构100包含一第一型半导体层10、一发光层20及一第二型半导体层30，发光层20设置于第一型半导体层10之上，而第二型半导体层30设置于发光层20之上。在一些实施例中，第一型半导体层10具有一第一导电类型(例如，N型)，且第二型半导体层30具有与第一导电类型相反的一第二导电类型(例如，P型)。在一些实施例中，第一型半导体层10、发光层20及第二型半导体层30可视本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管结构，包括：/n磊晶层；/n反射层，设置于所述磊晶层之上；/n图案化电极层，设置于所述磊晶层与所述反射层之间，其中所述图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，所述多个图案化电极区段彼此分离；以及/n第一型电极与第二型电极，设置于所述反射层之上并与所述磊晶层电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管结构，包括：
磊晶层；
反射层，设置于所述磊晶层之上；
图案化电极层，设置于所述磊晶层与所述反射层之间，其中所述图案化电极层被区分为多个图案化电极区段，所述多个图案化电极区段彼此分离；以及
第一型电极与第二型电极，设置于所述反射层之上并与所述磊晶层电性连接。


2.根据权利要求1的微型发光二极管结构，其中所述磊晶层包括：
第一型半导体层，具有第一导电类型；
发光层，设置于所述第一型半导体层之上；及
第二型半导体层，设置于所述发光层之上，且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，
其中所述第一型电极与所述第一型半导体层电性连接，而所述第二型电极与所述第二型半导体层电性连接。


3.根据权利要求2的微型发光二极管结构，其中所述微型发光二极管结构具有第一贯孔，所述第一贯孔贯穿所述反射层并裸露所述第一型半导体层的一部分，且所述第一型电极设置于所述第一贯孔中并与所述第一型半导体层直接接触。


4.根据权利要求3的微型发光二极管结构，其中所述第二型半导体层、所述图案化电极层、至少部分所述反射层、至少部分所述第一型电极与所述第二型电极位于所述发光层的同一侧，所述第一型半导体层位于所述发光层的另一侧，且所述第一贯孔也贯穿所述第二型半导体层与所述发光层并裸露所述第一型半导体层的一部分。


5.根据权利要求3的微型发光二极管结构，其中所述第一型电极延伸并覆盖于所述反射层的侧面之上。


6.根据权利要求2的微型发光二极管结构，其中所述微型发光二极管结构具有第二贯孔，所述第二贯孔贯穿所述反射层并裸露所述图案化电极层的一部分与所述第二型半导体层的一部分，且所述第二型电极设置于所述第二贯孔中并与所述图案化电极层的所述部分直接接触。


7.根据权利要求6的微型发光二极管结构，其中所述图案化电极层的所述部分与所述第二型半导体层的接触面积与所述第二贯孔的底面积的比例介于40％至60％。


8.根据权利要求2的微型发光二极管结构，其中所述第一型半导体层具有图案化出光面及与所述图案化出光面相对的背面，所述发光层设置于所述背面之上。


9.根据权利要求8的微型发光二极管结构，其中每所述图...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗子元，陈飞宏，蔡百扬，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71