【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块
本专利技术涉及功率半导体模块。本专利技术尤其涉及一种功率半导体模块,该功率半导体模块具有提高的生产能力和所生产模块的质量。
技术介绍
功率半导体模块在本领域中通常是众所周知。功率半导体模块可以包括基板,该基板可以承载包括一个或多个功率半导体装置的电路。为了保护功率半导体模块,功率半导体模块可以至少部分地由封装材料封装。封装可以在传递模塑过程中形成。传递模塑是一种制造过程,其中可以将封装材料压入模具中。在该过程中,封装材料不仅可以覆盖基板上的电路,而且还可以覆盖基板的边缘侧。为了确保对功率半导体模块的保护,封装材料通常在所使用的温度范围内具有足够的机械强度、对半导体模块的部件的良好粘着性、耐化学和电阻性、高热稳定性以及耐湿性。功率半导体模块的电路可能会产生热量,这些热量需要消散以为了维持功率半导体模块的功能。为了从功率半导体模块的基板消散热量,存在不同的冷却技术,例如使基板与可以提供冷却剂流以有效散热的冷却器接触。可以规定的是将带有平基板的模块夹持在冷却器表面上;将具有散热片的基板的模块夹持到冷却器的开口,使得散热片与冷却剂接触。通常通过机械连接冷却器和功率半导体模块将基板附接到冷却器。夹持部件可以用于通过夹持力将功率半导体模块的基板压到冷却器上。为了给基板和冷却器之间的连接提供足够的紧密度和/或为了在冷却流体配备有具有面向基板的冷却通道的开放式冷却器的情况下提供适当的密封,可以施加夹持力。然而,向封装材料施加夹持力可能损坏封装材料并影响功率半导体模块的完整性。D ...
【技术保护点】
1.一种功率半导体模块(10),所述功率半导体模块包括至少部分地被封装材料(14)覆盖的基板(12),/n其中,所述基板(12)包括第一侧(16)、与所述第一侧(16)相对的第二侧(18)和连接所述第一侧(16)与所述第二侧(18)的边缘侧(20),/n其中,在所述基板的第一侧(16),所述基板(12)被构造成设置有电路,并且其中,在所述基板的第二侧(18),所述基板(12)被构造成与散热元件(24)接触,/n其中,在所述基板的第一侧(16),所述基板(12)包括至少一个第一区域(26),所述第一区域(26)毗邻所述基板(12)的所述边缘侧(20)定位并且在第一平面(22)中行进,/n其中,在所述至少一个第一区域(26)处,所述基板(12)没有所述封装材料(14),并且其中,所述基板(12)被构造用于通过由夹持部件(28)将夹持力施加到所述至少一个第一区域(26)而连接到所述散热元件(24),/n其中,所述基板(12)在毗邻所述第一区域(26)的所述边缘侧(20)至少部分地被所述封装材料(14)覆盖,/n其特征在于,特征a)和特征b)中的至少一者被实现,其中所述特征a)和所述特征b)定 ...
【技术特征摘要】
20200129 EP 20154276.81.一种功率半导体模块(10),所述功率半导体模块包括至少部分地被封装材料(14)覆盖的基板(12),
其中,所述基板(12)包括第一侧(16)、与所述第一侧(16)相对的第二侧(18)和连接所述第一侧(16)与所述第二侧(18)的边缘侧(20),
其中,在所述基板的第一侧(16),所述基板(12)被构造成设置有电路,并且其中,在所述基板的第二侧(18),所述基板(12)被构造成与散热元件(24)接触,
其中,在所述基板的第一侧(16),所述基板(12)包括至少一个第一区域(26),所述第一区域(26)毗邻所述基板(12)的所述边缘侧(20)定位并且在第一平面(22)中行进,
其中,在所述至少一个第一区域(26)处,所述基板(12)没有所述封装材料(14),并且其中,所述基板(12)被构造用于通过由夹持部件(28)将夹持力施加到所述至少一个第一区域(26)而连接到所述散热元件(24),
其中,所述基板(12)在毗邻所述第一区域(26)的所述边缘侧(20)至少部分地被所述封装材料(14)覆盖,
其特征在于,特征a)和特征b)中的至少一者被实现,其中所述特征a)和所述特征b)定义如下:
a)在所述边缘侧(20),所述封装材料(14)具有第一横截面区域(44),所述第一横截面区域(44)平行于所述第一平面(22)行进,并且所述封装材料在第二平面(38)中具有第二横截面区域(36),所述第二平面(38)平行于所述第一平面(22)行进并且不同于所述第一平面(22),其中,与所述第二横截面区域(36)相比,所述第一横截面区域(44)更靠近所述第一平面,其中,所述第一横截面区域(44)小于所述第二横截面区域(36),和
b)在所述基板(12)通过作用在所述夹持部件(28)上并且将所述基板(12)压到所述散热元件(24)上的所述夹持力而连接到所述散热元件(24)的情况下,所述夹持部件(28)具有平行于所述第一平面(22)并邻接所述第一平面(22)的第三横截面区域(70),并且所述夹持部件(28)在第三平面(54)中具有第四横截面区域(52),所述第三平面平行于所述第一平面(22)行进并且与所述第一平面(22)不同,其中,所述第三横截面区域(70)小于所述第四横截面区域(52)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其特征在于,在所述基板的第一侧(16)处,所述基板(12)包括至少一个第二区域(62),其中,所述基板(12)在所述第二区域(62)处设有所述电路,并且其中,所述基板(12)在所述基板的第二区域(62)处和所述电路中的至少一者至少部分地被封装材料(14)覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(10),其特征在于,在所述基板(12)通过作用在所述夹持部件(28)上并且将所述基板(12)压到所述散热元件(24)的夹持力而连接到所述散热元件(24)的情况下,所述夹持部件(28)与覆盖所述基板(12)的毗邻所述第一区域(26)的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·马利基,H·拜尔,D·特拉塞尔,
申请(专利权)人:ABB电网瑞士股份公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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