一种铂金薄膜及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供一种铂金薄膜，所述铂金薄膜通过采用过渡层衔接衬底和铂膜层，并选用氮化铝、二氧化硅、氮化硅或蓝宝石作衬底，相较于原有氧化铝陶瓷衬底而言，表面平整度更高，缺陷密度更低，以此提供一个更加优良的衬底环境；制得的铂金薄膜层均匀性更佳；同时采用保护层对铂金薄膜层进行高温保护，提高铂金薄膜的耐高温性能；所述铂金薄膜的制备方法采用金属有机化学沉积、磁控溅射与原子层沉积方法相结合，能够有效解决电子表面散射效应和高温团簇效应，制备出一致性好，耐高温并且具备长期稳定性的铂金薄膜，能够较好地应用在传感器领域中。

【技术实现步骤摘要】
一种铂金薄膜及其制备方法和用途
本专利技术涉及传感器制备
，尤其涉及一种铂金薄膜及其制备方法和用途。
技术介绍
铂金薄膜主要用作电导体和电阻体，是铂金薄膜温度传感器的关键部件。但是目前，高性能耐高温铂金薄膜的制备一直是技术难题，其要求铂金薄膜具备合适的电导率和特定的温度系数(TCR)。高性能耐高温铂金薄膜的制作困难主要由以下两个原因所引起的：第一是结构缺陷，即铂金薄膜在形成时由气相经过急剧的相变形成固相，在这一特殊的过程中引起了结构缺陷，该结构缺陷除了通常的晶格缺陷、晶格畸变、杂质等外，还包括极薄的薄膜所特有的岛状结构缺陷，而缺陷会导致铂金薄膜的电导率下降，同时整体电性能不稳定。第二个是尺寸效应，尺寸效应是指在连续金属薄膜中导电性质与薄膜厚度有关的现象，由于薄膜的厚度很薄而产生，包括经典的电子表面散射效应和量子尺寸效应两种。尺寸效应表明当膜厚d与电子的平均自由程λ相近时，薄膜的上下表面对导电电子的运动施加了几何尺寸的限制，也就是说薄膜厚度对导电电子平均自由程的几何限制称为连续金属薄膜的尺寸效应。在薄膜中当膜厚与导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铂金薄膜，其特征在于，所述铂金薄膜包括衬底，以及依次设置于所述衬底表面的过渡层、铂膜层和保护层；/n所述过渡层的材料包括氧化铝、氮化铝或二氧化钛中的任意一种或至少两种的组合；/n所述保护层的材料包括氮化铝、二氧化钛或纳米氧化铝中的任意一种或至少两种的组合；/n所述衬底的材料包括氮化铝、二氧化硅、氮化硅或蓝宝石。/n

【技术特征摘要】
1.一种铂金薄膜，其特征在于，所述铂金薄膜包括衬底，以及依次设置于所述衬底表面的过渡层、铂膜层和保护层；
所述过渡层的材料包括氧化铝、氮化铝或二氧化钛中的任意一种或至少两种的组合；
所述保护层的材料包括氮化铝、二氧化钛或纳米氧化铝中的任意一种或至少两种的组合；
所述衬底的材料包括氮化铝、二氧化硅、氮化硅或蓝宝石。


2.根据权利要求1所述的铂金薄膜，其特征在于，所述过渡层的材料为氮化铝；
所述保护层的材料为二氧化钛。


3.根据权利要求1或2所述的铂金薄膜，其特征在于，所述衬底的材料为氮化铝、氮化硅或蓝宝石。


4.根据权利要求1或2所述的铂金薄膜，其特征在于，所述铂膜层的厚度为800～1000nm。


5.根据权利要求1或2所述的铂金薄膜，其特征在于，所述过渡层的厚度为10～18nm；
所述保护层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓道安，
申请(专利权)人：上海铂源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31