【技术实现步骤摘要】
一种硫化银和硫化钴的一维异质纳米材料及制备方法
本专利技术属于纳米材料制备
,具体涉及一种尺寸分布均匀且可调控的硫化银和硫化钴的一维异质纳米结构的制备方法。
技术介绍
在纳米材料领域,单一组分的纳米材料越来越难满足人们对高性能材料日益增长的需求,因此拓展新颖的纳米材料体系迫在眉睫。一维异质纳米结构可以结合不同组分及异质结界面的优势,在能源转换与存储、催化、光电器件材料的开发方面尤为重要。钴基硫化物的化学组成丰富、价态以及晶体形态多样化,且相较于相应氧化物,硫元素的电负性低,因而拥有更高的反应活性和导电性、更好的热稳定性和机械性能,在能源存储与转化装置中如电化学电容器、锂离子电池、燃料电池催化剂和染料敏化太阳能电池被广泛研究。钴基硫化物的电化学活性与其形貌、尺寸和微观结构密切相关,因而近年来对钴基硫化物的研究主要集中在对其形貌与微观结构设计、界面调控以及复合材料制备等方面。目前,一系列过渡金属杂化物如镍-钴、铁-钴、锰-钴硫化物被制备并广泛研究,但是对于银-钴硫化物体系的研究较少。已报道的银-钴硫化物一维异质纳米结构的制 ...
【技术保护点】
1.一种硫化银和硫化钴的一维异质纳米材料,其特征在于:所述一维异质纳米材料的结构式为Ag
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种硫化银和硫化钴的一维异质纳米材料,其特征在于:所述一维异质纳米材料的结构式为Ag2S-CoS,一维异质纳米材料为纳米线状;当二丁基二硫代氨基甲酸银和二丁基二硫代氨基甲酸钴的质量比为1:1时,在2mol/L的氢氧化钾溶液中,当放电电流密度为1A/g时,质量比电容为600~640F/g;在放电电流密度10A/g下,质量比电容480~500F/g。
2.根据权利要求1所述的一种硫化银和硫化钴的一维异质纳米材料,其特征在于:所述一维异质纳米材料为火柴状纳米线,其中火柴的头部为硫化银纳米颗粒,纳米颗粒直径为10~20nm,火柴的杆部为硫化钴纳米线,纳米线的直径为10~20nm,长度为20~400nm。
技术研发人员:蔡婧,王成,陈威,刘佩丰,吕珺,汪嘉恒,鲍智勇,吴玉程,魏思雨,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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