一种电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:29464209 阅读:27 留言:0更新日期:2021-07-27 17:43
本公开公开了一种电致发光器件及显示装置,用以提供电致发光器件的效率与寿命。本公开实施例提供的一种电致发光器件,电致发光器件包括:阳极,包括反射材料;阴极,与阳极相对设置,包括半透半反材料;n层发光功能层,叠层设置于阳极和阴极之间,其中,n为大于1的整数;每一发光功能层包括:发光层,位于发光层靠近阴极一侧的电子传输层;其中,最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层的厚度,大于其余发光功能层中的电子传输层的厚度;n‑1层电荷产生层,位于相邻两个发光功能层之间。

Electroluminescent device and display device

【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件及显示装置
本公开涉及显示
,尤其涉及一种电致发光器件及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)为主动发光显示器件,因此具有无可比拟的超高对比度及超快相应速度。目前量产的大尺寸OLED产品均采用白光OLED加彩色滤光片的方式,该方式使得功耗和色域都有很大的不足。而利用蓝光OLED加绿色及红色量子点色转换层的方式可以极大改善上述问题,可以实现高分辨率和高色域、高色纯度,且不具有视角依赖性。为了提高显示器的显示品质,对于蓝光OLED加绿色及红色量子点色转换层的方式通常采用叠层蓝光器件,然而相关技术中,叠层蓝光器件的效率与寿命较低。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种电致发光器件及显示装置,用以提供电致发光器件的效率与寿命。本公开实施例提供的一种电致发光器件,电致发光器件包括:阳极,包括反射材料;阴极,与阳极相对设置,包括半透半反材料;n层发光功能层,叠层设置于阳极和阴极之间,其中,n为大于1的整数;每一发光功能层包括:发光层,位于发光层靠近阴极一侧的电子传输层;其中,最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层的厚度,大于其余发光功能层中的电子传输层的厚度;n-1层电荷产生层,位于相邻两个发光功能层之间。在一些实施例中,最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层的厚度,与其余任一发光功能层中的电子传输层的厚度之比的范围在1.5至2之间取值。在一些实施例中,n大于2,各电荷产生层的厚度均相同。在一些实施例中,除最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层之外,其余发光功能层中的电子传输层的厚度均相同。在一些实施例中,电子传输层包括:电子传输子层;空穴阻挡层,位于电子传输子层和发光层之间;其中,最靠近阴极的发光功能层中空穴阻挡层的厚度大于其余发光功能层中的空穴阻挡层的厚度。在一些实施例中,最靠近阴极的发光功能层中,电子传输层的厚度大于发光层的厚度;除最靠近阴极的发光功能层之外,其余发光功能层中,电子传输层的厚度小于发光层的厚度。在一些实施例中,最靠近阴极的发光功能层还包括:电子注入层,位于电子传输层和阴极之间;电子注入层至少包括:两种材料,且阴极包括电子注入层中的至少一种材料。在一些实施例中,电致发光器件的谐振腔的腔长L在0.78λ-10至0.78λ-30的范围内取值;其中,λ为发光功能层中发光层的发射波长。在一些实施例中,阴极的材料包括镁和银;镁和银的含量比例范围在1:9至2:8之间。在一些实施例中,阴极的厚度在100埃至150埃范围内取值。在一些实施例中,阳极包括:透光导电层,厚度在100埃至200埃范围内取值;反射层,位于透光导电层背离阴极一侧。在一些实施例中,电致发光器件还包括:封盖层,位于阴极背离阳极的一侧;封盖层的光程在1100埃至1300埃范围内取值。在一些实施例中,不同发光功能层中发光层的发光颜色相同。在一些实施例中,发光层的发光颜色为蓝色。本公开实施例提供的一种显示装置,显示装置包括本公开实施例提供的电致发光器件。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图;图2为本公开实施例提供的电致发光器件综合光谱对比图;图3为本公开实施例提供的另一种电致发光器件的结构示意图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。本公开实施例提供了一种电致发光器件,如图1所示,电致发光器件包括:阳极1,包括反射材料;阴极2,与阳极1相对设置,包括半透半反材料;n层发光功能层3,叠层设置于阳极1和阴极2之间,其中,n为大于1的整数;每一发光功能层3包括:发光层4,位于发光层4靠近阴极2一侧的电子传输层5;其中,最靠近阴极2的发光功能层3中的电子传输层5的厚度,大于其余发光功能层3中的电子传输层5的厚度;n-1层电荷产生层6,位于相邻两个发光功能层3之间。本公开实施例提供的电致发光器件,阳极包括反射材料,阴极包括半透半反材料,从而阳极与阴极之间形成光学谐振腔,阳极和阴极之间包括叠层设置的多层发光功能层,可以提高电致发光器件的出光强度。并且,通常情况阴极的电子注入效率高于电荷产生层的电子注入效率,使得最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层的厚度大于其余发光功能层中的电子传输层的厚度,可以平衡不同发光功能层电子注入效率,优化电致发光器件的发光效率,还可以提高电致发光器件的寿命。在一些实施例中,最靠近阴极的发光功能层中的电子传输层的厚度,与其余任一发光功能层中的电子传输层的厚度之比的范围在1.5至2之间取值。在一些实施例中,如图1所示,n大于2,各电荷产生层6的厚度均相同。这样,各电荷产生层的电子产生能力相同,可以进一步可以平衡不同发光功能层电子注入效率,提高电致发光器件的发光效率,以及提高电致发光器件的寿命。需要说明的是,图1中以n等于3为例进行说明,即三层发光功能层叠层设置。如图1所示,三层发光功能层3具体包括:第一发光功能层9,位于第一发光功能层9背离阳极1一侧的第二发光功能层10,以及位于第二发光功能层10背离第一发光功能层9一侧的第三发光功能层11。第一发光功能层9包括:第一发光层15,以及第一电子传输层18。第二发光功能层10包括:第二发光层16,以及第二电子传输层19。第三发光功能层11包括:第三发光层17,以及第三电子传输层20。其中,第三发光功能层11为最靠近阴极的发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件,其中,所述电致发光器件包括:/n阳极,包括反射材料;/n阴极,与所述阳极相对设置,包括半透半反材料;/nn层发光功能层,叠层设置于所述阳极和所述阴极之间,其中,n为大于1的整数;每一所述发光功能层包括:发光层,位于所述发光层靠近所述阴极一侧的电子传输层;其中,最靠近所述阴极的所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度,大于其余所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度;/nn-1层电荷产生层,位于相邻两个所述发光功能层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件,其中,所述电致发光器件包括:
阳极,包括反射材料;
阴极,与所述阳极相对设置,包括半透半反材料;
n层发光功能层,叠层设置于所述阳极和所述阴极之间,其中,n为大于1的整数;每一所述发光功能层包括:发光层,位于所述发光层靠近所述阴极一侧的电子传输层;其中,最靠近所述阴极的所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度,大于其余所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度;
n-1层电荷产生层,位于相邻两个所述发光功能层之间。


2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其中,最靠近所述阴极的所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度,与其余任一所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度之比的范围在1.5至2之间取值。


3.根据权利要求1或2所述的电致发光器件,其中,n大于2,各所述电荷产生层的厚度均相同。


4.根据权利要求3所述的电致发光器件,其中,除最靠近所述阴极的所述发光功能层中的所述电子传输层之外,其余所述发光功能层中的所述电子传输层的厚度均相同。


5.根据权利要求1所述的电致发光器件,其中,所述电子传输层包括:
电子传输子层;
空穴阻挡层,位于所述电子传输子层和所述发光层之间;其中,最靠近所述阴极的所述发光功能层中所述空穴阻挡层的厚度大于其余所述发光功能层中的所述空穴阻挡层的厚度。


6.根据权利要求1所述的电致发光器件,其中,最靠近所述阴极的所述发光功能层中,所述电子传输层的厚度大于所述发光层的厚度;除最靠近所述阴极的所述发光功能层之外,其余所述发光功能层中,所述电子传输层的厚度小于所述发光层的厚度。

【专利技术属性】
技术研发人员:王琳琳吴长晏尤娟娟申永奇卜斌宋文峰闫光孙力张大成
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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