一种功率稳定型半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率稳定型半导体激光器，包括若干激光器单元和制冷件，激光器单元包括热沉、正极连接块、负极连接块和芯片组，热沉与正极连接块之间、热沉与负极连接块之间以及热沉与芯片组之间均设置有导热绝缘层，芯片组的正极连接有正极片，芯片组的负极连接有负极片，正极连接块上设置有与正极片插接配合的第一插槽，负极连接块上设置有与负极片插接配合的第二插槽；制冷件设置于热沉的外部，制冷件由至少两个制冷块拼接而成，制冷件上开设有多个制冷剂通道，制冷件的内壁开设有若干分别与热沉一一配合的卡槽。能够有效地避免芯片组和热沉之间短路，具有较高的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种功率稳定型半导体激光器
本技术涉及激光器
，具体来说，涉及一种功率稳定型半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器具有体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长等优点，目前已经广泛应用于国民经济的各个领域，目前已有的半导体激光器通过热沉为芯片组散热。目前，半导体激光器的电极块和芯片组在与热沉进行键合时，水平方向和垂直方向上的绝缘强度难以同时保证，电极脱落的风险很高。并且，制冷方案多采用在各激光器单元的热沉上设置多组制冷剂通道，并将制冷介质通入制冷剂通道的方式为各激光器单元进行制冷，但这种方式存在一些弊端，例如：多个激光器单元组装时，每个激光器单元上的制冷剂通道需一一对齐，对定位要求较高，且制冷剂通道的设计引入了过多密封圈，导致装配复杂；连接电极及引出电极需要缠绕绝缘胶带以防止短路，导致引入过多的绝缘胶带。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种功率稳定型半导体激光器，解决了上述技术问题。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率稳定型半导体激光器，其特征在于，包括若干激光器单元和制冷件（9），所述激光器单元包括热沉（1）、正极连接块（2）、负极连接块（3）和芯片组（4），所述热沉（1）与所述正极连接块（2）之间、所述热沉（1）与所述负极连接块（3）之间以及所述热沉（1）与所述芯片组（4）之间均设置有导热绝缘层（7），所述芯片组（4）的正极连接有正极片（5），所述芯片组（4）的负极连接有负极片（6），所述正极连接块（2）上设置有与所述正极片（5）插接配合的第一插槽，所述负极连接块（3）上设置有与所述负极片（6）插接配合的第二插槽；所述制冷件（9）设置于所述热沉（1）的外部，所述制冷件（9）由至少两个制冷块拼...

【技术特征摘要】
1.一种功率稳定型半导体激光器，其特征在于，包括若干激光器单元和制冷件（9），所述激光器单元包括热沉（1）、正极连接块（2）、负极连接块（3）和芯片组（4），所述热沉（1）与所述正极连接块（2）之间、所述热沉（1）与所述负极连接块（3）之间以及所述热沉（1）与所述芯片组（4）之间均设置有导热绝缘层（7），所述芯片组（4）的正极连接有正极片（5），所述芯片组（4）的负极连接有负极片（6），所述正极连接块（2）上设置有与所述正极片（5）插接配合的第一插槽，所述负极连接块（3）上设置有与所述负极片（6）插接配合的第二插槽；所述制冷件（9）设置于所述热沉（1）的外部，所述制冷件（9）由至少两个制冷块拼接而成，所述制冷件（9）上开设有多个制冷剂通道（10），所述制冷件（9）的内壁开设有若干分别与所述热沉（1）一一配合的卡槽。


2.根据权利要求1所述的功率稳定型半导体激光器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：江伟，庞立波，程腾，王向谊，
申请(专利权)人：西派特北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11