【技术实现步骤摘要】
一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法
本专利技术涉及无源互调,具体涉及一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法。
技术介绍
无源互调是一种通信系统中由无源器件自身微弱的非线性效应引起的干扰现象。对于无源器件互调水平的定量研究一直以来是本领域亟待解决的关键问题。在工程应用中,大多采用基于实验测量的方法,得到无源互调产物功率(如:三阶互调产物、五阶互调产物等)的大小,以此来衡量无源器件的非线性水平。然而,基于实验的互调特性评估难以从根本上解决无源互调干扰。通过大量和重复的实验只能检验出某个或者某类器件的非线性水平,无法对低互调产品的设计以及互调干扰抑制提出可行的建议和方案选择。因此,需要开展基于理论研究的无源互调产物功率预测方法的研究。根据工程经验,可以定性地得出引起无源器件非线性产生的主要来源有两个:一是由接触不稳定带来的接触非线性;二是由于使用磁性材料引入的材料非线性。在现有的理论研究中,两种非线性因素引起的互调功率被分别研究与建模,在一定程度上给出了接触特性和材料特性与互调功率之间的定量关系。但是, ...
【技术保护点】
1.一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1、对射频无源微波器件进行能谱分析,获取射频无源微波器件探测结果;/nS2、根据步骤S1得到的探测结果判断射频无源微波器件中是否包含磁性金属元素;若是,则执行步骤S3;否则执行步骤S4;/nS3、对射频无源微波器件的体电阻区域进行材料非线性分析,形成非线性模型电阻,并执行步骤S5;/nS4、对射频无源微波器件的内外导体接触区域进行接触非线性分析,形成非线性模型电阻;/nS5、根据步骤S3和S4形成的非线性模型电阻构建综合接触材料非线性的等效电路模型;/nS6、设定各个非线性模型电阻的可调比例因子 ...
【技术特征摘要】
20201022 CN 20201114132531.一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、对射频无源微波器件进行能谱分析,获取射频无源微波器件探测结果;
S2、根据步骤S1得到的探测结果判断射频无源微波器件中是否包含磁性金属元素;若是,则执行步骤S3;否则执行步骤S4;
S3、对射频无源微波器件的体电阻区域进行材料非线性分析,形成非线性模型电阻,并执行步骤S5;
S4、对射频无源微波器件的内外导体接触区域进行接触非线性分析,形成非线性模型电阻;
S5、根据步骤S3和S4形成的非线性模型电阻构建综合接触材料非线性的等效电路模型;
S6、设定各个非线性模型电阻的可调比例因子,采用谐波平衡法进行仿真优化,得到优化后的综合接触材料非线性的等效电路模型;
S7、利用步骤S6优化后的综合接触材料非线性的等效电路模型进行射频无源微波器件互调预测。
2.根据权利要求1所述的综合接触和材料非线性的无源互调预测方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括以下分步骤:
S31、对射频无源微波器件的体电阻区域进行材料非线性分析;
S32、基于射频无源微波器件镀层中的磁性金属形成第一非线性模型电阻;
S33、基于射频无源微波器件基底材料中的磁性金属形成第二非线性模型电阻。
3.根据权利要求2所述的综合接触和材料非线性的无源互调预测方法,其特征在于,所述步骤S4具体包括以下分步骤:
S41、对射频无源微波器件的内外导体接触区域进行接触非线性分析;
S42、对射频无源微波器件的内外导体接触区域进行微观检测,判断是否存在表面膜层或污染区域;若是,则执行步骤S43;否则执行步骤S44;
S43、基于射频无源微波器件膜层电阻隧道效应非线性失真形成第三非线性模型电阻;
S44、基于射频无源微波器件内外导体接触区域电流密度过大引起截顶失真形成第四非线性模型电阻。
4.根据权利要求3所述的综合接触和材料非线性的无源互调预测方法,其特征在于,所述步骤S5具体包括:
根据步骤S3形成的第一非线性模型电阻、第二非线性模型电阻,和步骤S4形成的第三非线性模型电...
【专利技术属性】
技术研发人员:金秋延,冯全源,文彦,
申请(专利权)人:西南交通大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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