一种晶粒尺寸测试方法技术

技术编号:29453926 阅读:32 留言:0更新日期:2021-07-27 17:17
本发明专利技术提供一种晶粒尺寸测试方法,测试方法包括如下步骤:步骤S1,将样品加工成合适尺寸的试样,将试样待测表面研磨、抛光后得到待测试样;步骤S2,将待测试样放入高温炉中进行加热、保温和冷却处理,高温炉连接高速图像采集CCD系统,通过高速图像采集CCD系统对保温过程中的待测试样表面进行原位实时观察,采集并储存晶界形貌图片;步骤S3,采用尺寸测量软件,导入步骤S2中采集的图片,测量并分析存储图片内的晶粒尺寸,获得平均晶粒尺寸信息。本发明专利技术的测试方法可以获得不同温度及保温时间下的晶粒尺寸,操作简便,不使用任何化学试剂,适应性广,耗时短,较现有的晶粒度评级法,获得的晶粒尺寸数据更全面、精确。

A test method for grain size

【技术实现步骤摘要】
一种晶粒尺寸测试方法
本专利技术属于金属材料微观组织分析测试
,具体涉及一种晶粒尺寸测试方法。
技术介绍
当前新材料与新工艺开发相伴随而来的便是获得具有各种组织形貌和结构的材料以提高其服役性能,如何精确标准材料内部的组织结构不仅对材料应用客户有很大的参考价值,对于材料科学工作者进行材料工艺优化、成分改进均可提供非常重要的测试手段和依据,因此随着材料研发的不断发展,也应不断开发相应的新型检测手段,满足当前实际检测需求。当前晶粒尺寸检测相关主要标准为GB/T6394-2017《金属平均晶粒度测定方法》和ASTME112-2012《Standardtestmethodsfordeterminingaveragegrainsize》,这些测量方法均以几何图像为基础,利用比较法、截点法和面积法进行晶粒度测定。但是利用这些标准进行评价的前提是获得清晰的,具有完整晶界的几何图形,这对于很多材料很难实现。现有技术中,中国专利申请号03136604.X的“金属多晶体晶粒尺寸无损快速检测的方法”只能获得某一尺寸范围内晶粒数目,结果不够精确;申请号20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶粒尺寸测试方法,其特征在于,所述测试方法包括如下步骤:/n步骤S1,将样品加工成合适尺寸的试样,将试样待测表面研磨、抛光后得到待测试样;/n步骤S2,将待测试样放入高温炉中进行加热、保温和冷却处理,所述高温炉连接高速图像采集CCD系统,通过所述高速图像采集CCD系统对保温过程中的待测试样表面进行原位实时观察,采集并储存晶界形貌图片;/n步骤S3,采用尺寸测量软件,导入步骤S2中采集的晶界形貌图片,测量并分析所述晶界形貌图片内的晶粒尺寸,获得平均晶粒尺寸信息。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶粒尺寸测试方法,其特征在于,所述测试方法包括如下步骤:
步骤S1,将样品加工成合适尺寸的试样,将试样待测表面研磨、抛光后得到待测试样;
步骤S2,将待测试样放入高温炉中进行加热、保温和冷却处理,所述高温炉连接高速图像采集CCD系统,通过所述高速图像采集CCD系统对保温过程中的待测试样表面进行原位实时观察,采集并储存晶界形貌图片;
步骤S3,采用尺寸测量软件,导入步骤S2中采集的晶界形貌图片,测量并分析所述晶界形貌图片内的晶粒尺寸,获得平均晶粒尺寸信息。


2.如权利要求1所述的晶粒尺寸测试方法,其特征在于,所述步骤S1中,将样品加工成的试样满足厚度尺寸低于4mm,长度尺寸和宽度尺寸小于7mm。


3.如权利要求1所述的晶粒尺寸测试方法,其特征在于,所述步骤S1中,试样的所有表面均精磨处理,以防止高温加热过程中表面异物挥发,污染待测表面;
优选地,所述步骤S1中还包括:对抛光后且得到待测试样前的试样进行超声波清洗,然后再对待测表面轻抛光处理;
再优选地,所述轻抛光处理的时间为5s。


4.如权利要求1所述的晶粒尺寸测试方法,其特征在于,所述高温炉设置有温控系统,以实现加热速率、保温时间、保温温度和冷却速率的调节设置;所述高温炉内通入有惰性保护气体。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:张淑兰张超王昌张晓丹李南徐海峰
申请(专利权)人:钢铁研究总院
类型:发明
国别省市:北京;11

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