形成覆盖的金属化通孔的方法技术

一种形成制品的方法，所述方法包括：在晶片的通孔内插入传导性材料，其中，所述传导性材料包括第一合金，所述第一合金包含第一金属和第二金属；以及使传导性材料与含有第三金属的离子的溶液接触，其中，第三金属的离子从第一合金伽伐尼置换一部分的第二金属，以与第一金属形成第二合金。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成覆盖的金属化通孔的方法本申请要求2018年12月6日提交的系列号为62/776101的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并通过引用将其全部结合入本文。
本公开涉及制品中的通孔，更具体地，涉及包括盖的穿过制品的金属化通孔。
技术介绍
贯穿孔连接能够实现基于薄硅通孔(TSV)和薄玻璃通孔(TGV)的技术，这些技术提供了高的封装密度、减少的信号路径、宽的信号带宽、更低的封装成本和小型化系统。可用于用铜填充通孔的常规过程包括糊料填充过程和电镀过程。已经努力用铜填充通孔以确保与封装和开关相关的应用的气密性。除了在形成铜通孔方面有挑战性外，铜填充的TGV在铜与玻璃之间存在热膨胀系数(CTE)错配，导致可靠性较差。进一步地，铜与硅和玻璃的粘性低，这可降低TGV的可靠性。
技术实现思路
根据本公开的至少一个特征，一种用于形成制品的方法，包括：在晶片的通孔内插入传导性材料，其中，所述传导性材料包括第一合金，所述第一合金包含第一金属和第二金属；以及使传导性材料与含有第三金属的离子的溶液接触，其中，第三金属的离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成制品的方法，所述方法包括：/n在晶片的通孔内插入传导性材料，其中，所述传导性材料包含第一合金，所述第一合金包括第一金属和第二金属；和/n使传导性材料与包含第三金属的离子的溶液接触，其中，第三金属的离子从第一合金伽伐尼置换一部分的第二金属，以与第一金属形成第二合金。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181206 US 62/776,1011.一种形成制品的方法，所述方法包括：
在晶片的通孔内插入传导性材料，其中，所述传导性材料包含第一合金，所述第一合金包括第一金属和第二金属；和
使传导性材料与包含第三金属的离子的溶液接触，其中，第三金属的离子从第一合金伽伐尼置换一部分的第二金属，以与第一金属形成第二合金。


2.如权利要求1所述的方法，其中，晶片包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷或硅。


3.如权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，第一金属包含In和W中的至少一种。


4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，第二金属包含Zn、Sn、Bi、Pb、Fe和Mn中的至少一种。


5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，第三金属包含Cu、Ag、Au、Co、Pt、Ni、Pd和Cr中的至少一种。


6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，第一金属与晶片化学结合。


7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，第一金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.05V。


8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，第一金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.10V。


9.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，第三金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.15V。


10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，第三金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.50V。


11.如权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，第二合金在通孔中形成了盖层，所述盖层从通孔的入口延伸到小于或等于约20μm的深度。


12.如权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，第二合金在通孔中形成了盖层，所述盖层从通孔的入口延伸到小于或等于约10μm的深度。


13.如权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，第二合金具有比第一合金更高的熔化温度。


14.一种形成制品...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·K·塞巴晏，W·R·特鲁特纳，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US