【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将数据重定位到低时延存储器
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体来说,涉及将数据重定位到低时延存储器。
技术介绍
存储器子系统可以是存储系统,如固态驱动器(SSD)或硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统可以是存储器模块,例如双列直插式存储器模块(dualin-linememorymodule;DIMM)、小型DIMM(smalloutlineDIMM;SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(non-volatiledualin-linememorymodule;NVDIMM)。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以例如是非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说,主机系统可以利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。附图说明根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图,将更充分地理解本公开。图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。图2是根据本公开的一些实施例的基于与数据相关联的读取计数将频繁 ...
【技术保护点】
1.一种系统,其包括:/n存储器组件;以及/n处理装置,其与所述存储器组件操作性地耦合以进行以下操作:/n识别所述存储器组件的第一部分中的多个数据块中的第一数据块,所述第一数据块是基于与所述第一数据块相关联的读取计数满足关于所述读取计数的第一阈值准则而识别;/n确定所述存储器组件的第二部分是否具有未使用的存储量来存储存储于所述第一数据块处的数据,其中所述存储器组件的所述第二部分与比所述第一部分低的读取时延相关联;以及/n响应于确定所述存储器组件的所述第二部分具有所述未使用的存储量来存储存储于所述第一数据块处的所述数据,将存储于所述存储器组件的所述第一部分中的所述第一数据块处 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20181030 US 16/175,6051.一种系统,其包括:
存储器组件;以及
处理装置,其与所述存储器组件操作性地耦合以进行以下操作:
识别所述存储器组件的第一部分中的多个数据块中的第一数据块,所述第一数据块是基于与所述第一数据块相关联的读取计数满足关于所述读取计数的第一阈值准则而识别;
确定所述存储器组件的第二部分是否具有未使用的存储量来存储存储于所述第一数据块处的数据,其中所述存储器组件的所述第二部分与比所述第一部分低的读取时延相关联;以及
响应于确定所述存储器组件的所述第二部分具有所述未使用的存储量来存储存储于所述第一数据块处的所述数据,将存储于所述存储器组件的所述第一部分中的所述第一数据块处的数据重定位到所述存储器组件的所述第二部分中的第二数据块。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述存储器组件的所述第一部分包括一个或多个四电平单元QLC,且所述存储器组件的所述第二部分包括一或多个单电平单元SLC。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定写入到所述存储器组件的数据量是否满足关于数据阈值的第二阈值准则,其中识别所述存储器组件的所述第一部分中的所述多个数据块中的所述第一数据块是响应于确定写入到所述存储器组件的所述数据量满足所述第二阈值准则。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定对所述存储器组件执行的编程操作的数目是否低于预期值;以及
响应于确定对所述存储器组件执行的编程操作的所述数目低于所述预期值,减小所述数据阈值。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定所述存储器组件的所述第一部分的未使用存储器单元的量是否满足第三阈值准则;以及
响应于确定所述存储器组件的所述第一部分的未使用存储器单元的所述量满足所述第三阈值条件,将所述第一部分的所述未使用存储器单元中的一或多个指派到所述存储器组件的所述第二部分。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一阈值准则是基于与所述第一数据块相关联的所述读取计数相对于所述多个数据块的代表性读取计数的偏离。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定对所述存储器组件执行的编程操作的数目是否满足第四阈值条件;以及
响应于确定对所述存储器组件执行的编程操作的所述数目满足所述第四阈值条件,确定不重定位后续数据。
8.一种方法,其包括:
识别存储器组件的第一部分处的多个字线;
确定所述多个字线中的每一个的对应错误率;
确定所述多个字线中的第一字线的第一错误率和所述多个字线中的第二字线的第二错误率满足关于错误率阈值的第一阈值条件;
识别所述多个字线中接近所述第一字线和所述第二字线的第三字线;以及
由处理装置将存储于所述第三字线处的数据重定位到所述存储器组件的第二部分,其中所述存储器组件的所述第二部分与比所述存储器组件的所述第一部分低的读取时延相关联。
9.根据权利要求8所述的方法,其中满足所述第一阈值条件的所述第一字线的所述第一错误率和所述第二字线的所述第二错误率指示与对所述第三字线执行的读取操作相关联的读取干扰应力。
技术研发人员:K·K·姆奇尔拉,A·马尔谢,V·P·拉亚普鲁,S·K·瑞特南,H·R·桑吉迪,P·菲利,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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