一种环形振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种环形振荡器，包括第一延时单元、第二延时单元和缓冲单元，第一延时单元的输出端与第二延时单元的输入端连接，第二延时单元的第一输出端与第一延时单元的输入端连接，缓冲单元的输入端与第二延时单元的第一输出端或与第一延时单元的输入端连接，第二延时单元的第二输出端和第一延时单元的衬底端连接，第一延时单元用于降低环形振荡器的起振电压，第二延时单元用于提高环形振荡器的起振响应速度，缓冲单元用于改善环形振荡器的输出波形，第一延时单元的输入端为环形振荡器的输入端，缓冲单元的输出端为环形振荡器的输出端；优点是具有低起振电压、低功耗、高振荡频率和高稳定性能。

【技术实现步骤摘要】
一种环形振荡器
本专利技术涉及一种振荡器，尤其是涉及一种环形振荡器。
技术介绍
利用振动和温差等环境因素获取能量，作为医疗诊断等无电池可穿戴电子设备的电源，是一种具有吸引力的能量获取解决方案。虽然从能量的角度来看，上述解决方案具有可行性，但是由于振动和温差等环境因素产生的能量较弱，采集电路采集到的电压也会较低，即能量采集电路的输入电压很低，对能量采集电路的初始启动电压提出了特殊的挑战。目前，能量采集电路中一般通过低压振荡器启动更高输入电压的DC-DC转换器，从而提高输出电压。CMOS环形振荡器因具有结构简单和功耗可调的特点，被广泛应用于能量采集电路。现有的CMOS环形振荡器一般由奇数个CMOS标准反相器首尾相连组成，但是用于能量采集电路的环形振荡器要求较低的起振电压(即能够在能量采集电路的低电压条件下产生振荡)，较高且稳定的振荡频率，而传统的CMOS低频振荡器一般需要较高的起振电压(即工作电压)，且存在功耗大等问题，这些都制约了能量采集电路的功能实现和性能优化。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种环形振荡器，其特征在于包括第一延时单元、第二延时单元和缓冲单元，所述的第一延时单元具有输入端、衬底端和输出端，所述的第二延时单元具有输入端、第一输出端和第二输出端，所述的第一延时单元的输出端与所述的第二延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第一输出端与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的缓冲单元的输入端与所述的第二延时单元的第一输出端或与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第二输出端和所述的第一延时单元的衬底端连接，所述的第一延时单元用于降低所述的环形振荡器的起振电压，所述的第二延时单元用于提高所述的环形振荡器的起振响应速度，所述的缓冲单元用于改善所述的环形振荡器...

【技术特征摘要】
1.一种环形振荡器，其特征在于包括第一延时单元、第二延时单元和缓冲单元，所述的第一延时单元具有输入端、衬底端和输出端，所述的第二延时单元具有输入端、第一输出端和第二输出端，所述的第一延时单元的输出端与所述的第二延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第一输出端与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的缓冲单元的输入端与所述的第二延时单元的第一输出端或与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第二输出端和所述的第一延时单元的衬底端连接，所述的第一延时单元用于降低所述的环形振荡器的起振电压，所述的第二延时单元用于提高所述的环形振荡器的起振响应速度，所述的缓冲单元用于改善所述的环形振荡器的输出波形，所述的第一延时单元的输入端为所述的环形振荡器的输入端，所述的缓冲单元的输出端为所述的环形振荡器的输出端。


2.根据权利要求1所述的一种环形振荡器，其特征在于所述的第一延时单元包括5个反相器INV1～INV5，所述的第二延时单元包括18个反相器INV6～INV23，所述的缓冲单元包括两个反相器INV24和INV25，所述的5个反相器INV1～INV5均为叠层反相器，且依次级联在一起，所述的18个反相器INV6～INV23均为标准反相器，且依次级联在一起，所述的两个反相器INV24和INV25均为标准反相器，且级联在一起。


3.根据权利要求2所述的一种环形振荡器，其特征在于所述的叠层反相器INV1包括7个标准反相器INV1-1～INV1-7，所述的标准反相器INV1-1包括PMOS管M1和NMOS管M2，所述的标准反相器INV1-2包括PMOS管M3和NMOS管M4，所述的标准反相器INV1-3包括PMOS管M5和NMOS管M6，所述的标准反相器INV1-4包括PMOS管M7和NMOS管M8，所述的标准反相器INV1-5包括PMOS管M9和NMOS管M10，所述的标准反相器INV1-6包括PMOS管M11和NMOS管M12，所述的标准反相器INV1-7包括PMOS管M13和NMOS管M14，所述的PMOS管M1的栅极和所述的NMOS管M2的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-1的输入端，所述的PMOS管M1的漏极与所述的NMOS管M2的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-1的输出端，所述的PMOS管M1的源极为所述的标准反相器INV1-1的电源端，所述的NMOS管M2的源极为所述的标准反相器INV1-1的接地端；所述的PMOS管M3的栅极和所述的NMOS管M4的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-2的输入端，所述的PMOS管M3的漏极与所述的NMOS管M4的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-2的输出端，所述的PMOS管M3的源极为所述的标准反相器INV1-2的电源端，所述的NMOS管M4的源极为所述的标准反相器INV1-2的接地端；所述的PMOS管M5的栅极和所述的NMOS管M6的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-3的输入端，所述的PMOS管M5的漏极与所述的NMOS管M6的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-3的输出端，所述的PMOS管M5的源极为所述的标准反相器INV1-3的电源端，所述的NMOS管M6的源极为所述的标准反相器INV1-3的接地端；所述的PMOS管M7的栅极和所述的NMOS管M8的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-4的输入端，所述的PMOS管M7的漏极与所述的NMOS管M8的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-4的输出端，所述的PMOS管M7的源极为所述的标准反相器INV1-4的电源端，所述的NMOS管M8的源极为所述的标准反相器INV1-4的接地端；所述的PMOS管M9的栅极和所述的NMOS管M10的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-5的输入端，所述的PMOS管M9的漏极与所述的NMOS管M10的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-5的输出端，所述的PMOS管M9的源极为所述的标准反相器INV1-5的电源端，所述的NMOS管M10的源极为所述的标准反相器INV1-5的接地端；所述的P...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂，杨蓉，雨晴，彭贺，蔡静，万毅，陈治洲，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33