降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请涉及降能技术领域，具体公开一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。降能装置包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。

【技术实现步骤摘要】
降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质
本专利技术涉及降能
，特别是涉及一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
一般情况下，高LET(LinearEnergyTransfe，线性能量传输)离子辐照试验需要在重离子回旋加速器上开展，其得到的重离子的类型和初始能量是固定的，试验时的重离子初始LET值也是一个确定值，需要改变该离子的LET值时通常需要对重离子进行降能。目前常用的方法是采用不同材料和厚度的降能片，降低重离子的能量，从而改变穿过降能片后的重离子LET值。通常原子序数越高降能效果越好，厚度越大降能越多。但是目前常规降能片材料和厚度固定，其降能效果也是一个确定的值，更换降能片才可得到另一个能量点，同一个降能片仅能实现一种降能效果，而无法满足重离子能量连续变化的需求。
技术实现思路
基于此，有必要针对降能装置仅能实现一种降能效果，而无法满足能量连续变化需求的问题，提供一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。一种降能装置，用于降低带电粒子的能量，所述降能装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降能装置，用于降低带电粒子的能量，其特征在于，所述降能装置包括：/n同轴设置的第一降能片和第二降能片，所述第一降能片的厚度沿所述第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，所述第二降能片的厚度沿所述第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；/n当所述第一降能片和所述第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。/n

【技术特征摘要】
1.一种降能装置，用于降低带电粒子的能量，其特征在于，所述降能装置包括：
同轴设置的第一降能片和第二降能片，所述第一降能片的厚度沿所述第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，所述第二降能片的厚度沿所述第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；
当所述第一降能片和所述第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。


2.根据权利要求1所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片的第一侧表面为水平表面，所述第一降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面；所述第二降能片的第一侧表面为水平表面，所述第二降能片的第二侧表面具有周向上的螺旋式平滑坡面。


3.根据权利要求2所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片的第二侧表面和所述第二降能片的第二侧表面相对设置。


4.根据权利要求2所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上具有第一叠加区域和第二叠加区域，所述第一叠加区域和所述第二叠加区域以所述第一降能片的最大厚度所处的位置和所述第二降能片的最大厚度所处的位置为划分界线；
当所述第一降能片和所述第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，所述第一叠加区域具有第一厚度变化范围，所述第二叠加区域具有第二厚度变化范围，所述第一厚度变化范围和所述第二厚度变化范围不同。


5.根据权利要求4所述的降能装置，其特征在于，所述第一降能片和所述第二降能片的厚度变化范围均为0-Z，所述第一厚度变化范围为0-Z，所述第二厚度变化范围为Z-2Z。


6.根据权利要求1所述的降能装置，其特征在于，所述降能装置还包括：
标定单元，用于建立所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置、所述第一降能片和所述第二降能片在轴向上的叠加厚度，以及降能效果之间的预设映射关系；
控制单元，用于接收目标降能效果，并根据所述预设映射关系确定与所述目标降能效果对应的所述第一降能片和/或所述第二降能片的旋转位置，以及将所述第一降能片和/或所述第二降能片旋转至对应的位置处。


7.一种降能方法，应用于如权利要求1-6任一项所述的降能装置，用于降低带电粒子的能量，其特征在于，所述降能方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷志锋，张战刚，黄云，李键坷，彭超，何玉娟，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44