一种低压化学气相沉积炉进气装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种低压化学气相沉积炉进气装置，包括:炉体，所述炉体内设置有混气机构和反应机构；所述混气机构包括混气管；所述反应机构包括隔离板；所述隔离板一侧面与所述混气管另一端端面固接；所述炉体内设置有外管；所述外管内设置有内管；所述内管与所述外管一端均与所述隔离板另一侧面固接；所述内管与所述外管的另一端固接有后密封组件；所述外管内壁与所述内管外壁之间形成环形通道；所述隔离板侧面绕所述隔离板中心周向阵列开设有若干连通孔；所述连通孔两端分别连通所述环形通道和所述混气管内腔；所述内管外壁沿轴线方向螺旋开设有若干通气孔；若干所述通气孔孔径沿所述隔离板到所述后密封组件方向依次增大。

【技术实现步骤摘要】
一种低压化学气相沉积炉进气装置
本专利技术涉及LPCVD
，特别是涉及一种低压化学气相沉积炉进气装置。
技术介绍
LPCVD(LowPressureChemicalVaporDeposition，低压化学气相沉积)设备是在低压高温条件下，通过混合气体的化学反应生成固体生成物并使其沉积在硅片表面形成薄膜，是化学气相沉积(CVD)设备当中的一种，主要应用于集成电路、电力电子、光伏、微机电系统等行业。在光伏行业中，LPCVD主要应用于多晶硅、非晶硅、SiO2、Si3N4、磷硅玻璃(PSG)和掺硼磷硅玻璃(BPSG)等多种薄膜的生长与沉积。作为CVD设备当中的一种，其最为重要功能或最终的目标仍然是CVD反应，因而反应室是整个设备的核心，也是设计的核心点。现有技术LPCVD的方式生产poly-si，其中，LPCVD设备是在低压高温条件下，通过混合气体的化学反应生成固体生成物并使其沉积在硅片表面形成薄膜，属于化学气相沉积(CVD)设备当中的一种，该设备的核心在于CVD反应，也就是炉管内的沉积反应。为了进行该沉积反应，LPCVD设备常在炉管的炉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压化学气相沉积炉进气装置，其特征在于，包括:炉体(1)，所述炉体(1)内设置有混气机构和反应机构；/n所述混气机构包括混气管(2)；所述混气管(2)设置在所述炉体内一侧；所述混气管(2)的一端固接有前密封组件；/n所述反应机构包括隔离板(3)；所述隔离板(3)一侧面与所述混气管(2)另一端端面固接；所述炉体(1)内设置有外管(4)；所述外管(4)内设置有内管(5)；所述内管(5)与所述外管(4)一端均与所述隔离板(3)另一侧面固接；所述内管(5)与所述外管(4)的另一端固接有后密封组件；所述外管(4)内壁与所述内管(5)外壁之间形成环形通道(6)；所述隔离板(3)侧面绕所述隔离板(3...

【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉积炉进气装置，其特征在于，包括:炉体(1)，所述炉体(1)内设置有混气机构和反应机构；
所述混气机构包括混气管(2)；所述混气管(2)设置在所述炉体内一侧；所述混气管(2)的一端固接有前密封组件；
所述反应机构包括隔离板(3)；所述隔离板(3)一侧面与所述混气管(2)另一端端面固接；所述炉体(1)内设置有外管(4)；所述外管(4)内设置有内管(5)；所述内管(5)与所述外管(4)一端均与所述隔离板(3)另一侧面固接；所述内管(5)与所述外管(4)的另一端固接有后密封组件；所述外管(4)内壁与所述内管(5)外壁之间形成环形通道(6)；所述隔离板(3)侧面绕所述隔离板(3)中心周向阵列开设有若干连通孔(7)；所述连通孔(7)两端分别连通所述环形通道(6)和所述混气管(2)内腔；所述内管(5)外壁沿轴线方向螺旋开设有若干通气孔(8)；若干所述通气孔(8)孔径沿所述隔离板(3)到所述后密封组件方向依次增大。


2.根据权利要求1所述的一种低压化学气相沉积炉进气装置，其特征在于：所述前密封组件包括第一环形隔板(9)；所述第一环形隔板(9)与所述炉体(1)一端端面固接；所述第一环形隔板(9)内壁与所述混气管(2)外壁固接；所述混气管(2)端面固接有固定法兰(10)；所述固定法兰(10)侧面固接有前炉门(11)；所述前炉门(11)侧面中心设置有螺旋进气孔(12)。


3.根据权利要求2所述的一种低压化学气相沉积炉进气装置，其特征在于：所述第一环形隔板(9)与所述固定法兰(10)之间固接有第一密封圈(13)；所述混气管(2)外壁与所述炉体内壁之间固接有若干第一垫块(14)。


4.根据权利要求1所述的一种低压化学气相沉积炉进气装置，其特征在于：所述后密封组件包括内法兰(15)；所述内法兰(15)与所述内管(5)和所述外管(4)内...

【专利技术属性】
技术研发人员：周继承，吕博文，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43