一种CsPbI3纳米晶合成方法技术

本发明专利技术涉及一种CsPbI3纳米晶合成方法，包括如下步骤：在甲苯中超声溶解PbI2、四已基碘化铵，得到Pb前驱体；将辛酸中溶解碳酸铯CsCO3中，得到CsCO3前驱体；在甲苯溶液中超声溶解油胺碘后将CsCO3前驱体用注射器注入到铅前驱体中，搅拌反应，加入油胺碘甲苯溶液，二次搅拌，得到CsPbI3纳米晶原液；将乙酸乙酯加入CsPbI3纳米晶原液，离心取沉淀，用正己烷分散沉淀，得到CsPbI3纳米晶，纯CsPbI3纳米晶原液，离心去除上清液，用有机溶剂将沉淀CsPbI3纳米晶原液，进行分散，得到CsPbI3纳米晶，与现有技术相比，本发明专利技术在温度30‑40℃，或者常温中即可完成反应，有效的稳定了CsPbI3的黑相结构，实现了低成本、高质量的CsPbI3纳米晶在室温条件下的稳定合成，有效的改善了CsPbI3纳米晶材料的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种CsPbI3纳米晶合成方法
本专利技术涉及量子点材料
，尤其涉及一种CsPbI3纳米晶合成方法。
技术介绍
近年来，纳米晶材料由纳米级尺寸(1～10nm)的晶体所组成的材料。由于晶体极细，故晶界可占整个材料的50％或更多。其原子排列既不同于有序的结晶态，也不同于无序的非晶态(玻璃态)。其性能也不同于相同成分的晶体或非晶体。制备过程包括：在惰性气体中(0.1～1kPa)将材料热蒸发，而后凝聚成纳米级尺寸的晶体，将此种细小粉末括下，压实。也可用喷溅法、电子枪或激光法代替热蒸发法。也可用球磨、气相合成或凝胶分解等方法制备纳米级晶体。是当前材料科学的一个热点。纳米晶材料由于超细的特点，具有常规材料无法比拟的性能。由于尺寸导致的金属绝缘体转变效应，使纳米晶金属粉末为绝缘体。纳米粉末可用于厚膜技术制备细长的导电隧道，也可用作在高频
中广泛应用的以陶瓷或高分子材料为基体的高弥散材料的弥散相。多孔的纳米材料烧结体具有极强的活性，适合于做催化剂和大功率的电容器。致密的纳米材料是在室温下用很高的压力将纳米粉末压制成致密压坯，然后在100～2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CsPbI3纳米晶合成方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n步骤1，在甲苯中超声溶解PbI2、四已基碘化铵，得到Pb前驱体；/n步骤2，将辛酸中溶解碳酸铯CsCO3中，得到CsCO3前驱体；/n步骤3，在甲苯溶液中超声溶解油胺碘后将CsCO3前驱体用注射器注入到铅前驱体中，搅拌反应加入油胺碘甲苯溶液，二次搅拌，得到CsPbI3纳米晶原液；/n步骤4，将乙酸乙酯加入CsPbI3纳米晶原液，离心取沉淀，用正己烷分散沉淀，得到CsPbI3纳米晶，纯CsPbI3纳米晶原液，离心去除上清液，用有机溶剂将沉淀CsPbI3纳米晶原液，进行分散，得到CsPbI3纳米晶。/n

【技术特征摘要】
1.一种CsPbI3纳米晶合成方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤1，在甲苯中超声溶解PbI2、四已基碘化铵，得到Pb前驱体；
步骤2，将辛酸中溶解碳酸铯CsCO3中，得到CsCO3前驱体；
步骤3，在甲苯溶液中超声溶解油胺碘后将CsCO3前驱体用注射器注入到铅前驱体中，搅拌反应加入油胺碘甲苯溶液，二次搅拌，得到CsPbI3纳米晶原液；
步骤4，将乙酸乙酯加入CsPbI3纳米晶原液，离心取沉淀，用正己烷分散沉淀，得到CsPbI3纳米晶，纯CsPbI3纳米晶原液，离心去除上清液，用有机溶剂将沉淀CsPbI3纳米晶原液，进行分散，得到CsPbI3纳米晶。


2.根据权利要求1所述的一种CsPbI3纳米晶合成方法，其特征在于，所述步骤1中甲苯溶液含量为20ml-30ml，PbI2、四已基碘化铵的含量为1mmol和2mmol，需要将PbI2、四已基碘化铵充分溶解在甲苯溶液C7H8中。


3.根据权利要求1所述的一种CsPbI3纳米晶合成方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正国，刘海，柯义虎，
申请(专利权)人：北方民族大学，
类型：发明
国别省市：宁夏;64