本实用新型专利技术公开了一种切割平台及切割装置，涉及光伏生产技术领域。该切割平台，用于支撑待切割的片材，所述片材设置有至少两个子片区，相邻两个所述子片区能够沿切割线切割为两个子片，包括支撑台、固定组件及升降组件。固定组件设置于所述支撑台上，所述固定组件能够选择性固定与待切割的所述切割线相邻的两个所述子片区，且施力大小相同；升降组件设置于所述支撑台上，所述升降组件能够驱动切割后的所述子片升降，以与待切割的剩余所述片材分离。能够使晶片在切割线两侧受力相同以保持良好的裂片效果。
【技术实现步骤摘要】
一种切割平台及切割装置
本技术涉及光伏生产
，尤其涉及一种切割平台及切割装置。
技术介绍
随市场对组件功率要求越来越高，电池片尺寸在增加，组件版型在变大，另外为降低组件成本，电池片也在往薄片化方向发展，组件载荷风险也相应增加。传统的晶片的切割方法是利用激光产生高温，在一整块晶片上的切割线处刻出凹槽，然后通过机械折弯使晶片在凹槽处断裂，而高温会对切割线附近区域造成损伤导致电学性能降低，机械折弯会对切割线附近区域形成微裂纹导致机械性能降低，且折弯过程中对切割线附近区域造成挤压，造成切割后的晶片出现外观不良、性能较差的现象。无损切割能够很好地避免上述缺点，无损切割是先在切割线处进行加热，然后进行冷却，通过冷热应力的相互作用使晶片在切割线处裂开，由于其加热温度远远低于激光刻槽的温度，所以不会因温度过高导致电性能的降低。而当切割线两侧受力不均时，导致切割线处的应力状态不稳定，裂片效果不好。针对上述问题，需要开发一种切割平台及切割装置，以解决晶片在切割线两侧受力不同导致的裂片效果不好的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种切割平台及切割装置，能够使晶片在切割线两侧受力相同以保持良好的裂片效果。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种切割平台，用于支撑待切割的片材，所述片材设置有至少两个子片区，相邻两个所述子片区能够沿切割线切割为两个子片，包括：支撑台；固定组件，设置于所述支撑台上，所述固定组件能够选择性固定与待切割的所述切割线相邻的两个所述子片区，且施力大小相同；升降组件，设置于所述支撑台上，所述升降组件能够驱动切割后的所述子片升降，以与待切割的剩余所述片材分离。优选地，所述固定组件为真空吸附组件。优选地，所述支撑台设置有至少两个划片区域，所述划片区域与所述子片区相适配，每个所述划片区域内均匀分布有多个第一真空吸附口，所述第一真空吸附口与所述真空吸附组件连通。优选地，每个所述划片区域的大小及形状相同，每个所述划片区域内的所述第一真空吸附口的数量相等、排布方式一致。优选地，所述第一真空吸附口内设置有过滤网。优选地，所述升降组件设置有多个，每个所述划片区域均设置有所述升降组件。优选地，所述升降组件包括升降驱动件，所述升降驱动件设置于所述支撑台上，所述升降驱动件的输出端上设置有第二真空吸附口。优选地，所述升降组件还包括吸盘，所述吸盘设置于所述升降驱动件的输出端并与所述第二真空吸附口连通，且所述吸盘由柔性材料制成。优选地，所述切割平台还包括定位组件，所述定位组件能够对放在所述支撑台上的待切割的所述片材进行定位。一种切割装置，包括切割机构以及所述切割平台，所述切割机构能够沿所述切割线切割所述片材。本技术的有益效果：本技术提供了一种切割平台及切割装置。该装置用于支撑待切割的片材，片材设置有至少两个子片区，相邻两个子片区能够沿切割线切割为两个子片，包括支撑台、固定组件及升降组件。固定组件设置于支撑台上，能够选择性固定与待切割的切割线相邻的两个子片区，且施力大小相同，保证切割线附近区域应力状态的平衡，提升裂片效果。当连续进行切割时，已断裂的片材和待切割的片材还抵接在一起，若直接对待切割的片材继续进行切割，应力状态依然不平衡，故需要升降组件将已切割断裂的片材升高，使已切割的片材和待切割的片材分开，保证待切割的片材具有良好的裂片效果。附图说明图1是本技术提供的切割平台的结构示意图。图2是本技术提供的硅晶片的结构示意图。1、支撑台；11、第一区域；12、第二区域；13、第三区域；2、硅晶片；21、第一切割线；22、第二切割线；23、第一子片区；24、第二子片区；25、第三子片区；3、第一真空吸附口；4、吸盘。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一特征和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。本实施例中的片材以硅晶片2为例进行说明。本实施例提供了一种切割装置。该切割装置包括切割平台及切割组件，切割平台用来支撑待切割的硅晶片2，硅晶片2设置有至少两个子片区，且相邻两个子片区能够沿切割线切割为两个子片，切割平台上设置有固定组件用来固定待切割的硅晶片2。切割组件能够根据切割线对待切割的硅晶片2进行切割。切割组件包括加热组件和冷却组件，加热组件能够沿切割线加热硅晶片2，冷却组件能够沿切割线冷却硅晶片2。硅晶片2的切割线区域被加热组件加热时，产生方向为从切割线朝向两侧的热应力，而被冷却组件冷却时，产生方向为从两侧朝向切割线的冷应力，在两种力的作用下，切割线区域的硅晶片2产生两个相反方向的形变，由于硅晶片2被固定组件固定，形变只能挤压切割线附近的区域，使形变的力较大，导致硅晶片2在切割线区域断裂。可以理解的是，加热组件为激光发射源，冷却组件为冷却液喷嘴。利用激光发射源发射高功率密度的激光束照射硅晶片2的切割线区域，使其快速升温，待温度达到设定值，利用冷却液喷嘴对加热区域喷射冷却液快速降温，温度的快速变化使硅晶片2的切割线附近的形变量变化很快，产生裂纹并最终断裂。进一步地，该切割装置还包括抓取组件，能够抓取切割后的硅晶片2并将硅晶片2搬运到指定区本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种切割平台，用于支撑待切割的片材，所述片材设置有至少两个子片区，相邻两个所述子片区能够沿切割线切割为两个子片，其特征在于，包括：/n支撑台(1)；/n固定组件，设置于所述支撑台(1)上，所述固定组件能够选择性固定与待切割的所述切割线相邻的两个所述子片区，且施力大小相同；/n升降组件，设置于所述支撑台(1)上，所述升降组件能够驱动切割后的所述子片升降，以与待切割的剩余所述片材分离。/n
【技术特征摘要】
1.一种切割平台，用于支撑待切割的片材，所述片材设置有至少两个子片区，相邻两个所述子片区能够沿切割线切割为两个子片，其特征在于，包括：
支撑台(1)；
固定组件，设置于所述支撑台(1)上，所述固定组件能够选择性固定与待切割的所述切割线相邻的两个所述子片区，且施力大小相同；
升降组件，设置于所述支撑台(1)上，所述升降组件能够驱动切割后的所述子片升降，以与待切割的剩余所述片材分离。
2.根据权利要求1所述的切割平台，其特征在于，所述固定组件为真空吸附组件。
3.根据权利要求2所述的切割平台，其特征在于，所述支撑台(1)设置有至少两个划片区域，所述划片区域与所述子片区相适配，每个所述划片区域内均匀分布有多个第一真空吸附口(3)，所述第一真空吸附口(3)与所述真空吸附组件连通。
4.根据权利要求3所述的切割平台，其特征在于，每个所述划片区域的大小及形状相同，每个所述划片区域内的所述第一真空吸附口(3)的数量相等、排布方式一致。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：闫新春，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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