一种1吋锗加工片的抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种1吋锗加工片的抛光方法，所用抛光液中的氯含量5.5～6.0g/L，pH值为10.0～10.2；抛光为先粗抛、后精抛，粗抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为1500‑2000ml/min；精抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为800‑1200ml/min；粗抛和精抛时，转头对陶瓷盘施加的向下的压力均为1000‑1200N。本发明专利技术1吋锗加工片的抛光方法，提高了掉量速率，提高了抛光效率和抛光质量；减少了药液消耗，降低了抛光液成本；降低了跑片几率，提高了抛光的稳定性，提高了设备利用效率；提高了成品率，产品的平整度提高，均匀性好，晶片表面损伤小，抛光后杂质、颗粒粘污少，容易清洗。

【技术实现步骤摘要】
一种1吋锗加工片的抛光方法
本专利技术涉及一种1吋锗加工片的抛光方法，属于1吋锗抛光

技术介绍
1吋锗加工片抛光过程中，一般会采用CMP机械化学抛光。行业内的CMP大型抛光设备，主要应用于4吋、6吋、8吋、12吋等大直径晶片。对于尺寸很小的1吋晶片，会使用小型设备抛光，小型设备的大盘直径一般为660mm或830mm，陶瓷盘一般为305mm或355mm。因前道研磨及腐蚀工艺带来的损伤层较深，所以抛光过程时间会比较长。现有的1吋锗加工片的抛光工序去除速率低、药液消耗多，且表面平整度不好、成品率低，同时抛光过程大盘及陶瓷盘转速较高，很容易跑偏。
技术实现思路
本专利技术提供一种1吋锗加工片的抛光方法，提高了掉量速率，减少了药液消耗，提高了抛光效率和抛光质量，提高了抛光的稳定性。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种1吋锗加工片的抛光方法，所用抛光液中的氯含量5.5～6.0g/L，pH值为10.0～10.2；抛光设备包括转头、陶瓷盘和大盘，陶瓷盘装在转头上，大盘的直径是陶瓷盘直径的两倍以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种1吋锗加工片的抛光方法，其特征在于：所用抛光液中的氯含量5.5～6.0g/L，pH值为10.0～10.2；抛光设备包括转头、陶瓷盘和大盘，陶瓷盘装在转头上，大盘的直径是陶瓷盘直径的两倍以上，陶瓷盘的下表面与大盘的上表面平行，陶瓷盘的轴线与大盘的轴线平行、且不重合，陶瓷盘的垂直投影完全落在大盘的上表面上，1吋锗加工片待加工面向下地贴在陶瓷盘的下表面上，大盘上表面贴有抛光垫，1吋锗加工片的待加工面与抛光垫接触、并相对运动形成对1吋锗加工片待加工面的抛光，抛光过程中向抛光垫上喷洒抛光液；抛光为先粗抛、后精抛，粗抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为1500-2000m...

【技术特征摘要】
1.一种1吋锗加工片的抛光方法，其特征在于：所用抛光液中的氯含量5.5～6.0g/L，pH值为10.0～10.2；抛光设备包括转头、陶瓷盘和大盘，陶瓷盘装在转头上，大盘的直径是陶瓷盘直径的两倍以上，陶瓷盘的下表面与大盘的上表面平行，陶瓷盘的轴线与大盘的轴线平行、且不重合，陶瓷盘的垂直投影完全落在大盘的上表面上，1吋锗加工片待加工面向下地贴在陶瓷盘的下表面上，大盘上表面贴有抛光垫，1吋锗加工片的待加工面与抛光垫接触、并相对运动形成对1吋锗加工片待加工面的抛光，抛光过程中向抛光垫上喷洒抛光液；抛光为先粗抛、后精抛，粗抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为1500-2000ml/min；精抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为800-1200ml/min；粗抛和精抛时，转头对陶瓷盘施加的向下的压力均为1000-1200N。


2.如权利要求1所述的1吋锗加工片的抛光方法，其特征在于：抛光液的原料组分包括：次氯酸钠、碳酸氢钠、二氧化硅抛光液、氢氧化钠和纯水，其中，每1ml二氧化硅抛光液需要0.5～1g碳酸氢钠和40～50ml水。


3.如权利要求2所述的1吋锗加工片的抛光方法，其特征在于：抛光液的制备为：将二氧化硅抛光液、碳酸氢钠和纯水混匀后，加入次氯酸钠至抛光液中氯含量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：端平，曾琦，江云，刘兴达，胡丽平，柯尊斌，王卿伟，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32