一种铸造单晶硅片的分类方法技术

本发明专利技术涉及一种铸造单晶硅片的分类方法，它包括如下步骤，A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；C水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；D烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；E分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。本发明专利技术的目的在于提供一种铸造单晶硅片的分类方法，其成本低，能快速准确的区分硅片质量，以提高批量生产中太阳能电池片的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种铸造单晶硅片的分类方法
本专利技术涉及一种铸造单晶硅片的分类方法。
技术介绍
光伏行业中，单晶硅和多晶硅两种晶硅材料是用于制备太阳电池的主要材料。用单晶硅制备电池，电池的转换效率高，但其单次投料少，成本较高；用多晶硅制备电池，单次投料大，工艺成本低，但其杂质含量及缺陷密度高，转换效率较低。铸造单晶硅材料，是介于单晶硅和多晶硅之间的一种材料。它结合了单晶硅与多晶硅的优势，具有更少的结构缺陷，如晶界、位错、层错等，同时由于采用铸锭的方法生成，成本远低于单晶硅材料，因此铸造单晶硅太阳电池成为未来太阳电池发展的方向。目前，铸造单晶硅片的制备技术已逐渐成熟，部分企业已经开始将其批量生产。但是同一批外观相同的硅片制备成电池之后，效率相差太大，难以实现高效电池片的大批量生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铸造单晶硅片的分类方法，其成本低，能快速准确的区分硅片质量，以提高批量生产中太阳能电池片的良率。本专利技术的目的通过如下技术方案实现：一种铸造单晶硅片的分类方法，它包括如下步骤A腐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：它包括如下步骤/nA腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；/nB酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；/nC水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；/nD烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；/nE分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。/n

【技术特征摘要】
1.一种铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：它包括如下步骤
A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；
B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；
C水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；
D烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；
E分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。


2.根据权利要求1所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述步骤A腐蚀的具体方法为，将铸造单晶硅片浸泡在酸性腐蚀液中进行腐蚀；所述腐蚀温度为5-10℃，腐蚀时间为5-60秒。


3.根据权利要求2所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸与水的混合溶液或氢氟酸、硝酸与醋酸的混合溶液。


4.根据权利要求3所述的铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：所述氢氟酸、硝酸与水的混合溶液体积配比为VHF:VHNO3:VH2O＝(1-1.5):(2-5):(2.5-4.0)；所述氢氟酸、硝酸与醋酸的混合溶液体积配比为VHF:VHNO3:VCH3COOH＝(1-2):(2-5):(1-2.5)；所述氢氟酸的含量为≥40％，所述硝酸的含量为≥45％，所述醋酸的含量为≥36％。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：许志，
申请(专利权)人：福建新峰二维材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35