【技术实现步骤摘要】
一种二极管生产用硅片衬板清洗装置
本技术涉及硅片衬板清洗
,具体为一种二极管生产用硅片衬板清洗装置。
技术介绍
硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等,在半导体生产过程中会出现外延片边缘沉积较多,生产出的外延片边缘偏厚,从而直接导致后续工序异常,需要将外延片边边缘偏厚部分去除,而较可行的办法就是用砂轮进行磨边,磨边后的蓝宝石外延片表面会被沾污,故需要一种装置对外延片的表面进行清洗。例如中国专利申请号CN201720222393.X一种用于发光二极管生产的外延片清洗装置,具体内容为:开口的高度略大于传动装置的高度再加上两个防水吸盘的高度,液体管道与装置本体的连接处设置有密封垫片,装置本体的底部与底座的底部位于同一水平面,将用于发光二极管生产所需的外延片安装在防水吸盘上,履带带动外延片向装置本体内移动,到达装置本体内部时受到喷头喷出的液体清洗,液体经过滤网过滤后落入装置本体内腔底部并通过增压泵加压进入液体管道,一部分液体储存在压 ...
【技术保护点】
1.一种二极管生产用硅片衬板清洗装置,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)的内部下端位置固定连接有过滤板(12),所述箱体(1)的一侧位于过滤板(12)的下端设置有抽水管(5),所述抽水管(5)上设置有增压泵(9)与逆止阀(10),所述箱体(1)的上端设置有水箱(4),所述水箱(4)与抽水管(5)连通,所述水箱(4)的一侧设置有第一排水管(6),所述第一排水管(6)上设置有第二排水管(7),所述第二排水管(7)远离水箱(4)的一端部分位于箱体(1)的顶端,位于所述箱体(1)顶端的第二排水管(7)的下端设置有上喷头(8),所述第一排水管(6)远离水箱(4)的一端部分设置 ...
【技术特征摘要】
1.一种二极管生产用硅片衬板清洗装置,包括箱体(1),其特征在于:所述箱体(1)的内部下端位置固定连接有过滤板(12),所述箱体(1)的一侧位于过滤板(12)的下端设置有抽水管(5),所述抽水管(5)上设置有增压泵(9)与逆止阀(10),所述箱体(1)的上端设置有水箱(4),所述水箱(4)与抽水管(5)连通,所述水箱(4)的一侧设置有第一排水管(6),所述第一排水管(6)上设置有第二排水管(7),所述第二排水管(7)远离水箱(4)的一端部分位于箱体(1)的顶端,位于所述箱体(1)顶端的第二排水管(7)的下端设置有上喷头(8),所述第一排水管(6)远离水箱(4)的一端部分设置在过滤板(12)的上方,位于所述过滤板(12)下端的第一排水管(6)上端设置有下喷头(11);
所述箱体(1)的内部下端位置设置有传动机构(2),所述传动机构(2)包括有第一传动装置(15)与第二传动装置(16),所述第一传动装置(15)与第二传动装置(16)之间存在距离,位于所述过滤板(12)下端的第一排水管(6)处在第一传动装置(15)与第二传动装置(16)之间。
2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡明挽,
申请(专利权)人:广东深科电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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