铅直晶圆容器系统技术方案

在一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器系统。铅直晶圆容器系统包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳一晶圆的一晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。

【技术实现步骤摘要】
铅直晶圆容器系统
本公开的一些实施例涉及保持(hold)晶圆的铅直晶圆容器(verticalwafervessel)。
技术介绍
随着电子产品的进展，半导体科技已广泛应用于制造存储器、中央处理器(centralprocessingunits，CPUs)、液晶显示器(liquidcrystaldisplays，LCDs)、发光二极管(lightemissiondiodes，LEDs)、激光二极管以及其他装置或芯片组。为了达成高集成度以及高速需求，已降低半导体集成电路的尺寸，并已提出各种材料以及技术，以达成高集成度以及高速需求，并克服制造期间的障碍。控制腔室内待加工的晶圆的条件是半导体制造科技的重要部分。
技术实现思路
在一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器系统。铅直晶圆容器系统包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳一晶圆的一晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。在另一些实施例中，提供一种铅直晶圆容器。铅直晶圆容器包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽被配置以容纳晶圆，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端，而且，其中每一个杆包括最远离晶圆的一后方杆部、相邻于后方杆部的一中间杆部、相邻于中间杆部的一倾斜杆部、一倾斜指状部、包括多个指状物的一末端指状部。在另一些实施例中，提供一种利用铅直晶圆容器的方法。利用铅直晶圆容器的方法包括将一晶圆插入一铅直晶圆容器中，其中铅直晶圆容器包括一基座以及包括连接至基座的多个杆的一杆组，其中杆组的每一个杆包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔，其中每一个狭槽配置以容纳一晶圆晶边，而且，其中多个指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。利用铅直晶圆容器的方法还包括将铅直晶圆容器插入至一铅直热反应腔室中。利用铅直晶圆容器的方法进一步包括在铅直热反应腔室内加热铅直晶圆容器。附图说明当阅读所附图示时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，各种特征并不一定按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸以及几何形状，以做清楚的说明。图1是根据一些实施例的铅直热反应腔室的概念图，其中通过圆形的铅直晶圆容器杆保持的晶圆可被加工。图2绘示根据一些实施例的杆横越剖面的平面剖面图。图3是根据一些实施例的与晶圆接触的三个指状物的平面图，且三个指状物来自各别的杆。图4A是根据一些实施例的杆的详细立体图。图4B是根据一些实施例的杆的立体图。图4C是根据一些实施例的杆的立体图。图4D是根据一些实施例的铅直晶圆容器的立体图。图5是根据一些实施例的半导体炉(semiconductorfurnace)的半导体炉功能模块的方框图。图6是根据一些实施例的半导体炉制程的流程图。其中，附图标记说明如下：102：铅直热反应腔室104：半导体炉106：加热器区域108：绝缘外壳110：铅直晶圆容器112：晶圆114：封闭顶部116：侧壁118：开放式底部入口120A：反应气体供应连接入口120B：反应气体供应连接出口122：基座123：指状物124A，124B，124C：杆126：顶部基座204：圆形端206：中心轴210：后方杆部212：中间杆部214：倾斜杆部216：倾斜指状部218：末端指状部220A，220B：直线226：角度关系230：正交轴232，234：宽度236A，236B，236C：内角300：平面图402，430：狭槽422：晶边431：无狭槽部分432：扁平端502：半导体炉功能模块504：处理器506：电脑可读存储模块508：控制器模块510：使用者界面模块512：网络连接模块600：半导体炉制程602，604，606，608，610：操作具体实施方式以下公开描述各种示例性的实施例，以实行本公开的不同特征。以下叙述各种构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，相关内容仅为范例且意欲不限于此。举例来说，应理解的是，当一元件被称为“连接至”或“耦接至”另一元件时，此元件可能直接连接至或是耦接至另一元件，或者，有一个或多个元件位于其间。除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的参考符号及/或字母。这样的重复是为了简化以及清楚说明的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。除此之外，所使用的空间相关用词，例如：“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等用词，是为了便于描述图式中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在图式中绘示的方位外，这些空间相关用词意欲包括使用中或操作中的装置的不同方位。设备可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，且在此使用的空间相关用词亦可依此相同解释。根据各种实施例的系统以及方法涉及一种圆形的铅直晶圆容器杆。在各种实施例中，铅直晶圆容器可包括实体地连接至多个杆的杆组的基座。杆组的每一个杆可包括多个指状物，且多个指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并分别通过各别的狭槽彼此分隔。每一个狭槽可被配置以容纳晶圆的晶边，使得铅直晶圆容器可被配置而以铅直堆叠的关系来固定多个容器。而且，多个指状物的每一者可包括在最远的延伸处(例如，从杆的其余部分延伸)的圆形端。在各种实施例中，每一个杆可包括最远离铅直晶圆容器被配置以保持的晶圆的后方杆部、相邻于后方杆部的中间杆部、相邻于中间杆部的倾斜杆部、倾斜指状部、最靠近铅直晶圆容器被配置以保持的晶圆的末端指状部。因此，末端指状部可被配置以接触晶圆。在各种实施例中，倾斜指状部可从圆形端沿着直线延伸。而且，倾斜杆部可从倾斜指状部沿着相同的直线延伸。在各种实施例中，倾斜指状部可被限制在彼此间隔约80度至约40度的二条直线(例如，二条线)内，例如，彼此间隔约53度。在某些实施例中，基座可包括开口，并以环形方式成形(例如，具有中心开口)。而且，在各种实施例中，杆组可包括三个杆。尽管某些实施例可将杆组设想为包括三个杆，不过，在各种实施例中，为了不同应用的期望，杆组可包括任意数量的杆。例如，在某些实施例中，铅直晶圆容器的杆组可包括二个杆，在其他实施例中，铅直晶圆容器的杆组可包括四个杆，或者，在又一些实施例中，铅直晶圆容器的杆组可包括五个杆。在各种实施例中，后方杆部、中间杆部、倾斜杆部、倾斜指状部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铅直晶圆容器系统，包括：/n一基座；以及/n一杆组，包括连接至该基座的多个杆，其中该杆组的每一个杆包括多个指状物，所述指状物以彼此铅直堆叠的关系设置，并通过各别的多个狭槽彼此分隔，其中所述狭槽的每一者被配置以容纳一晶圆的一晶边，且其中所述指状物的每一者包括在一最远的延伸处的一圆形端。/n

【技术特征摘要】
20200117 US 16/746,0491.一种铅直晶圆容器系统，包括：
一基座；以及
一杆组，包括连接至该基座的多个杆，其中该杆组的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑景文，黄信凯，卓贵雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71