一种点火电阻的制作方法技术

本发明专利技术提供一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：S1、准备具有静电层的点火电阻基体；S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。本发明专利技术的点火电阻制作方法具有工艺流程短、良品率高、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种点火电阻的制作方法
本专利技术涉及电阻制作，特别是涉及一种点火电阻的制作方法。
技术介绍
目前的方法在制作点火电阻时，电阻层成型采用化学蚀刻方法，通过涂覆感光胶，进行曝光显影、再通过化学蚀刻、去除感光胶来形成电阻层。这种方法工艺流程长，操作复杂，对环境要求高，其中曝光显影需在特定环境下进行；且化学药水带有腐蚀性，不具环保性；化学蚀刻的精度不易控制。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服上述
技术介绍
的缺陷，提供一种点火电阻的制作方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：S1、准备具有静电层的点火电阻基体；S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。进一步地：步骤S1中所述具有静电层的基体为双面覆铜板。所述基体的材料为FR4。步骤S2中所述绝缘膜层为聚酰亚胺PI膜。步骤S3中所述粘胶膜层为纯胶膜。步骤S4中所述电阻膜层为金属箔或合金箔。所述基体上设置有靶点，步骤S5中，利用所述靶点进行对位，来控制激光蚀刻形成电阻层图案。所述绝缘膜层覆盖所述静电层，所述粘胶膜层和所述电阻膜层覆盖所述点火电阻的制成有效区域。采用如下工艺措施中的一种或多种：步骤S2中，将PI膜以温度160℃、预压10s、全压100s、压力16kg、真空度-720Pa的参数进行压合；步骤S3中，将纯胶膜以温度120℃、真空5s、全压10s、压力10kg、真空度-720Pa的参数进行压合；步骤S4中，将电阻膜层以170℃、真空10s、全压100s、压力15kg、真空度-720Pa的参数进行压合。步骤S5中，采用紫外飞秒激光或皮秒激光进行所述激光蚀刻。本专利技术与现有技术相比的有益效果在于：本专利技术提供一种点火电阻制作方法，在生产点火电阻时，先在点火电阻基体的静电层上压合绝缘膜层，然后在绝缘膜层上压合粘胶膜层，再在粘胶膜层上压合电阻膜层，最后对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于静电层的电阻层图案而得到成型的电阻层，其中，通过采用多次压合薄膜的方式，可大大缩短生产工艺流程，节省生产投入和时间，而通过激光蚀刻方法，可得到蚀刻深度均匀、蚀刻边缘平整的电阻图案，同时激光蚀刻更具环保，可自动化操作，蚀刻图案灵活。本专利技术解决了传统的电阻层成型方法工艺流程长、不环保、图形蚀刻保真差、线宽不均匀、良品率低、灵活性差的问题。与现有的化学蚀刻成型方法相比，本专利技术的点火电阻制作方法具有工艺流程短，电阻阻值集中度高、蚀刻良品率高、稳定性高、灵活性好、成本低、无污染、蚀刻精度可高达±3μm等优点。附图说明图1是本专利技术一种实施例的点火电阻制作方法的流程图。图2是本专利技术一种实施例的点火电阻的结构示意图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式做详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。另外，连接既可以是用于固定作用也可以是用于耦合或连通作用。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本专利技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。参阅图1，本专利技术实施例提供一种点火电阻的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、准备设置有静电层1的点火电阻基体8；步骤S2、在所述点火电阻基体8的所述静电层1上压合绝缘膜层2；步骤S3、在所述绝缘膜层2上压合粘胶膜层3；步骤S4、在所述粘胶膜层3上压合电阻膜层4；步骤S5、对电阻膜层4进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案5，从而得到成型的电阻层6。在一些优选的实施例中，点火电阻基体8为双面覆铜板。点火电阻基体8上设置有用于辅助激光蚀刻的靶点7。点火电阻基体的材料优选采用FR4。绝缘膜层优选采用聚酰亚胺PI膜。粘胶膜层3优选采用纯胶膜。电阻膜层4可以为金属箔或合金箔。在一些实施例中，可采用紫外飞秒激光或皮秒激光进行电阻膜层4的激光蚀刻。采用本专利技术实施例的点火电阻制作方法，在生产点火电阻时，先在点火电阻基体的静电层上压合绝缘膜层，然后在绝缘膜层上压合粘胶膜层，再在粘胶膜层上压合电阻膜层，最后对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于静电层的电阻层图案而得到成型的电阻层，其中，通过采用多次压合薄膜的方式，可大大缩短生产工艺流程，节省生产投入和时间，而通过激光蚀刻方法，可得到蚀刻深度均匀、蚀刻边缘平整的电阻图案，同时激光蚀刻更具环保，可自动化操作，蚀刻图案灵活。本专利技术解决了传统的电阻层成型方法工艺流程长、不环保、图形蚀刻保真差、线宽不均匀、良品率低、灵活性差的问题。与现有的化学蚀刻成型方法相比，本专利技术的点火电阻制作方法具有工艺流程短，电阻阻值集中度高、蚀刻良品率高、稳定性高、灵活性好、成本低、无污染、蚀刻精度可高达±3μm等优点以下进一步描述本专利技术具体实施例。本专利技术具体实施例中，在有静电层及靶点的双面覆铜板上通过压合机压合一层PI膜，压合后再在PI膜上压合一层纯胶膜，待固化后再在纯胶膜上压合一层电阻膜(合金箔)，固化后将其放置在激光设备下，通过靶点进行对位，调整激光功率等参数，使激光设备对该金属箔按照电阻层图案进行激光蚀刻，将非电阻图案部分进行蚀刻清除，留下部分为电阻，从而形成一层电阻层。具体实施例的点火电阻制作工艺流程如图1所示，包括压合PI膜、压合纯胶膜、压合电阻膜三次薄膜的压合过程和电阻层激光蚀刻过程，具体可分为如下步骤：步骤1：在具备有靶点7标记和静电层1的双面覆铜板(基体8)上进行正面第一层膜即绝缘膜层2压合，压合第一层膜的材质为聚酰亚胺PI膜，该层膜为点火电阻的绝缘层，增强静电层1与电阻层6之间的绝缘性；步骤2：在上述步骤1之后，压合第二层材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种点火电阻的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、准备具有静电层的点火电阻基体；/nS2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；/nS3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；/nS4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；/nS5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。/n

【技术特征摘要】
1.一种点火电阻的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、准备具有静电层的点火电阻基体；
S2、在所述点火电阻基体的所述静电层上压合绝缘膜层；
S3、在所述绝缘膜层上压合粘胶膜层；
S4、在所述粘胶膜层上压合电阻膜层；
S5、对电阻膜层进行激光蚀刻，形成对应于所述静电层的电阻层图案，从而得到成型的电阻层。


2.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述具有静电层的基体为双面覆铜板。


3.如权利要求2所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，所述基体的材料为FR4。


4.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S2中所述绝缘膜层为聚酰亚胺PI膜。


5.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S3中所述粘胶膜层为纯胶膜。


6.如权利要求1所述的点火电阻的制作方法，其特征在于，步骤S4中所述电阻膜层为金属箔或合金箔。


7...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宇峰，薛文惠，曾艳军，田志飞，蒋家军，陆达富，王文杰，洪哲，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44