MoS2/PEO湿度传感器、双器件湿度传感装置与湿度检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种MoS2/PEO湿度传感器、双器件湿度传感装置与湿度检测方法，MoS2/PEO湿度传感器包括电极，电极表面覆盖以MoS2/PEO复合材料形成的复合气敏薄膜，其中MoS2为P型MoS2，且PEO与MoS2的质量比为1:1~1:10。双器件湿度传感装置包括MoS2湿度传感器与本发明专利技术的MoS2/PEO湿度传感器。湿度检测方法，采用本发明专利技术的双器件湿度传感装置对目标气体进行湿度检测，根据MoS2/PEO湿度传感器的响应值计算目标气体的湿度值。本发明专利技术在较大湿度范围内（10% RH

【技术实现步骤摘要】
MoS2/PEO湿度传感器、双器件湿度传感装置与湿度检测方法


[0001]本专利技术涉及湿度检测
，具体涉及湿度传感器与湿度检测方法。

技术介绍

[0002]湿度传感器在半导体、汽车、环境控制、农业、生物科技等领域有着广泛的应用，因此对湿度的精准探测有着重大的现实意义。
[0003]二维半导体材料二硫化钼(MoS2)因其比表面积大，载流子迁移率高，噪声水平低，被认为是一种高效的湿度敏感纳米材料。因为制备方式和表面缺陷的不同，MoS2具有P型和N型半导体两种存在形式。目前，制作湿度传感器的MoS2多为N型MoS2，基于P型MoS2的湿度传感器的研究非常少。主要原因是基于P型MoS2的湿度传感器在对湿度进行检测时，随着湿度的增加，吸附水分子的MoS2的电阻会出现非单调性的变化，即MoS2湿度传感器电阻在低湿度范围(10％RH
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30％RH)表现为上升，在高湿度范围(30％RH
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60％RH)表现为下降，这无疑大大限制了MoS2在电阻式湿度传感器领域的应用。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoS2/PEO湿度传感器，包括电极，其特征在于：电极表面覆盖以MoS2/PEO复合材料形成的复合气敏薄膜，其中MoS2为P型MoS2，且PEO与MoS2的质量比为1:1~1:10。2.根据权利要求1所述的MoS2/PEO湿度传感器，其特征在于：MoS2/PEO湿度传感器采用以下方法制成：步骤1）通过声波超声方法将P型MoS2和PEO均匀分散于无水乙醇中形成均匀分散溶液，然后取设定质量的均匀分散溶液进行超声复合以制备得到MoS2/PEO复合材料溶液；步骤2）将步骤1）中得到的MoS2/PEO复合材料溶液喷涂于所述电极表面以形成复合气敏薄膜，然后将具有复合气敏薄膜的电极进行真空干燥处理，以制备成MoS2/PEO湿度传感器。3.根据权利要求1所述的MoS2/PEO湿度传感器，其特征在于：所述电极为叉指电极。4.根据权利要求1所述的MoS2/PEO湿度传感器，其特征在于：PEO与MoS2的质量比为1:1。5.根据权利要求1所述的MoS2/PEO湿度传感器，其特征在于：复合气敏薄膜的厚度为50nm~1μm。6.一种双器件湿度传感装置，其特征在于：包括MoS2湿度传感器与如权利要求1所述的MoS2/PEO湿度传感器。7.根据权利要求6所述的双器件湿度传感装置，其特征在于：还包括测试盒，MoS2/PEO湿度传感器与MoS2湿度传感器并排置于测试盒的测试腔内，测试盒两端均设有与测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泳，王艳杰，刘博超，高瑞雪，付万方，任浩，王宇航，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：