半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分第一结构，第一结构电性连接有第一焊盘，第二结构电性连接有第二焊盘。上述半导体结构能够准确测试第一结构的漏电流，还可以监控第一结构的崩溃电压，能准确反映内衬层的品质，从而提高产品的良率，保障质量，减少成本；而且上述半导体结构还可以作为电容器被应用到芯片中。第二结构至少包覆部分第一结构，与第一结构直接接触，使得半导体结构能够准确测试第一结构漏出内衬层的漏电流和崩溃电压，能更加准确反映内衬层的品质。准确反映内衬层的品质。准确反映内衬层的品质。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制备领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成度不断提高，每片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积增大，单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积，严重影响集成电路进一步提高集成度和工作速度，于是需要三维集成电路，三维集成电路是具有多层器件结构的集成电路，层与层之间需要硅通孔(TSV)连接，TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的“通孔”，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接，TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。但是，目前没有对硅通孔的电性监控机制，没法去监控硅通孔的短路、漏电情况以及崩溃电压，导致产品良率低，质量无法保障，成本提高。

技术实现思路

[0003]基于此，针对上述问题，本专利技术提供一种半导体结构及其制备方法。
[0004]本专利技术提供一种半导体结构，包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分所述第一结构，所述第一结构电性连接有第一焊盘，所述第二结构电性连接有第二焊盘。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分所述第一结构，所述第一结构电性连接有第一焊盘，所述第二结构电性连接有第二焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构包括第一结构本体和包覆所述第一结构本体的内衬层。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述第一结构本体和所述内衬层之间，且所述阻挡层至少包覆所述第一结构本体。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构包括硅通孔结构。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结构的材质包括多晶硅、本征半导体、掺硼半导体、掺磷半导体、掺砷半导体中的一种或几种组合。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结构的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛、钨中的一种或几种组合。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二结构的形状包括筒状、环状或条状。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构的个数包括至少1个。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，当所述第一结构的个数包括至少2个时，若干个所述第一结构对应有若干个所述第二结构，所述若干个第二结构连接成一体，并与所述第二焊盘电性连接。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，当所述第一结构的个数包括至少2个时，若干个所述第一结构对应有同一个所述第二结构。11.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：