一种高速耐压的耦合电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高速耐压的耦合电路，包括：光耦隔离电路，发光二极管正极与第一电阻R1一侧电连接，第一电阻R1另一侧与第一电源电压电连接，接电源端VCC分别与第二电源电压和电容C1一侧电连接，电容C1另一侧接地，集电极开路输出口Vo与第二电阻R2一侧电连接，第二电阻R2另一侧与第二电源电压电连接，接地端GND接地；驱动电路，基极分别与第三电阻R3一侧和第四电阻R4一侧电连接，第四电阻R4另一侧接地，发射极接地；其中，集电极开路输出口Vo与第三电阻R3另一侧电连接。本实用新型专利技术的高速耐压的耦合电路通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种高速耐压的耦合电路
本技术涉及微电子
，具体涉及一种高速耐压的耦合电路。
技术介绍
在时间服务器中，有些静态输出接点需要很高的耐压值，同时，这些输出信号又需要非常陡峭的上升沿，其与原始信号的延迟要求非常小，在ns量级。用光耦隔离电路很难同时满足这两个条件。目前在时间服务器的应用中，还存在的问题为：市场上满足高速传输要求的光耦(例如ns量级)，其耐压值一般不超过30V，而满足高耐压(例如220V)的光耦的传输延迟一般在ms量级，无法满足某些电力应用场景的要求。基于上述情况，本技术提出了一种高速耐压的耦合电路，可有效解决以上问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高速耐压的耦合电路。本技术的高速耐压的耦合电路结构简单，通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，满足了电力应用场景中需要兼顾高耐压和高速的要求；既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。本技术通过下述技术方案实现：一种高速耐压的耦合电路，包括：光耦隔离电路，包括高速光耦U27、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1、第一电源电压和第二电源电压；所述高速光耦U27包括发光二极管正极、发光二极管负极、接电源端VCC、使能控制口Ve、集电极开路输出口Vo和接地端GND；所述发光二极管正极与第一电阻R1一侧电连接，所述第一电阻R1另一侧与第一电源电压电连接，所述接电源端VCC分别与第二电源电压和电容C1一侧电连接，所述电容C1另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo与第二电阻R2一侧电连接，所述第二电阻R2另一侧与第二电源电压电连接，所述接地端GND接地；驱动电路，包括耐压三极管Q3、第三电阻R3、第四电阻R4；所述耐压三极管Q3包括基极、集电极和发射极，所述基极分别与第三电阻R3一侧和第四电阻R4一侧电连接，所述第四电阻R4另一侧接地，所述发射极接地；其中，所述集电极开路输出口Vo与第三电阻R3另一侧电连接。本技术的目的在于提供一种高速耐压的耦合电路。本技术的高速耐压的耦合电路结构简单，通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，满足了电力应用场景中需要兼顾高耐压和高速的要求；既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。优选的，所述高速光耦U27为型号6N137的光耦。优选的，所述耐压三极管Q3为型号MMBTA42的三极管。优选的，所述电容C1的电容值为100nF。优选的，所述第一电阻R1的阻值为220Ω，第二电阻R2的阻值为470Ω，第三电阻R3的阻值为2KΩ，第四电阻R4的阻值为20KΩ。本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本技术的高速耐压的耦合电路结构简单，通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，满足了电力应用场景中需要兼顾高耐压和高速的要求；既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。1.通过高速光耦和耐压三极管的配合设置，可同时满足电力应用系统对高速和耐压的要求；2.耐压三极管的VCEO耐压可达300V，且高速光耦的延时为20ns以内。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合具体实施例对本技术的优选实施方案进行描述，但是应当理解，附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。本技术中所述高速光耦和耐压三极管等技术特征(本技术的组成单元/元件)，如无特殊说明，均从常规商业途径获得，或以常规方法制得，其具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可，不应被视为本技术的创新点所在，对于本领域技术人员来说，是可以理解的，本技术专利不做进一步具体展开详述。实施例1：如图1所示，本技术提供了一种高速耐压的耦合电路，包括：光耦隔离电路1，包括高速光耦U2711、第一电阻R112、第二电阻R213、电容C114、第一电源电压15和第二电源电压16；所述高速光耦U2711包括发光二极管正极111、发光二极管负极112、接电源端VCC113、使能控制口Ve114、集电极开路输出口Vo115和接地端GND116；所述发光二极管正极111与第一电阻R112一侧电连接，所述第一电阻R112另一侧与第一电源电压15电连接，所述接电源端VCC113分别与第二电源电压16和电容C114一侧电连接，所述电容C114另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo115与第二电阻R213一侧电连接，所述第二电阻R213另一侧与第二电源电压16电连接，所述接地端GND116接地；发光二极管负极112接入高速输入信号，驱动电路2，包括耐压三极管Q321、第三电阻R322、第四电阻R423；所述耐压三极管Q321包括基极211、集电极212和发射极213，所述基极211分别与第三电阻R322一侧和第四电阻R423一侧电连接，所述第四电阻R423另一侧接地，所述发射极213接地；其中，所述集电极开路输出口Vo115与第三电阻R322另一侧电连接。高速光耦U27的输出侧与晶体三级管Q3的基级连接，Q3的发射极连接到低电平，Q3的集电极作为输出信号传递给下级系统。当高速输入信号为1时二极管不导通，高速光耦输出侧不导通，输出为高电平，驱动后级三极管MMBTA42导通，三极管输出为饱和Vce(sat)电压0.3V左右，判为逻辑0信号，将1信号变为0信号传递给下级；当高速输入信号为0时，光耦输入侧二极管导通，驱动高速光耦U27输出侧输出为低电平，无法驱动三极管Q3导通，三级管Q3输出维持为高电平，即将0信号变为1传递到后级系统，此时该信号耐压可达到MMBTA42的VCEO300V。实施例2：如图1所示，本技术提供了一种高速耐压的耦合电路，包括：光耦隔离电路1，包括高速光耦U2711、第一电阻R112、第二电阻R213、电容C114、第一电源电压15和第二电源电压16；所述高速光耦U2711包括发光二极管正极111、发光二极管负极112、接电源端VCC113、使能控制口Ve114、集电极开路输出口Vo115和接地端GND116；所述发光二极管正极111与第一电阻R112一侧电连接，所述第一电阻R112另一侧与第一电源电压15电连接，所述接电源端VCC113分别与第二电源电压16和电容C114一侧电连接，所述电容C114另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo115与第二电阻R213一侧电连接，所述第二电阻R213另一侧与第二电源电压16电连接，所述接地端GND116接地；发光二极管负极112接入高速输入信号。驱动电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速耐压的耦合电路，其特征在于，包括：/n光耦隔离电路(1)，包括高速光耦U27(11)、第一电阻R1(12)、第二电阻R2(13)、电容C1(14)、第一电源电压(15)和第二电源电压(16)；/n所述高速光耦U27(11)包括发光二极管正极(111)、发光二极管负极(112)、接电源端VCC(113)、使能控制口Ve(114)、集电极开路输出口Vo(115)和接地端GND(116)；所述发光二极管正极(111)与第一电阻R1(12)一侧电连接，所述第一电阻R1(12)另一侧与第一电源电压(15)电连接，所述接电源端VCC(113)分别与第二电源电压(16)和电容C1(14)一侧电连接，所述电容C1(14)另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo(115)与第二电阻R2(13)一侧电连接，所述第二电阻R2(13)另一侧与第二电源电压(16)电连接，所述接地端GND(116)接地；/n驱动电路(2)，包括耐压三极管Q3(21)、第三电阻R3(22)、第四电阻R4(23)；所述耐压三极管Q3(21)包括基极(211)、集电极(212)和发射极(213)，所述基极(211)分别与第三电阻R3(22)一侧和第四电阻R4(23)一侧电连接，所述第四电阻R4(23)另一侧接地，所述发射极(213)接地；/n其中，所述集电极开路输出口Vo(115)与第三电阻R3(22)另一侧电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种高速耐压的耦合电路，其特征在于，包括：
光耦隔离电路(1)，包括高速光耦U27(11)、第一电阻R1(12)、第二电阻R2(13)、电容C1(14)、第一电源电压(15)和第二电源电压(16)；
所述高速光耦U27(11)包括发光二极管正极(111)、发光二极管负极(112)、接电源端VCC(113)、使能控制口Ve(114)、集电极开路输出口Vo(115)和接地端GND(116)；所述发光二极管正极(111)与第一电阻R1(12)一侧电连接，所述第一电阻R1(12)另一侧与第一电源电压(15)电连接，所述接电源端VCC(113)分别与第二电源电压(16)和电容C1(14)一侧电连接，所述电容C1(14)另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo(115)与第二电阻R2(13)一侧电连接，所述第二电阻R2(13)另一侧与第二电源电压(16)电连接，所述接地端GND(116)接地；
驱动电路(2)，包括耐压三极管Q3(21)、第三电阻R3(22)、第四电阻R4(23)；所述耐压三极管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建平，吴龟灵，胡亮，
申请(专利权)人：嘉兴泰传光电有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33