一种新型激光重掺杂图形结构制造技术

本实用新型专利技术公开的属于激光技术领域，具体为一种新型激光重掺杂图形结构，其技术方案是：包括第一硅片，所述第一硅片两侧连接有第二硅片，所述第一硅片上方固定安装有第一正面电极网版，所述第一正面电极网版包括第一正面主栅线、第一副栅线，所述第一正面主栅线与第一副栅线相互连接，所述第二硅片上方固定安装有第二正面电极网版，所述第二正面电极网版包括第二正面主栅线、第二副栅线，所述第二正面主栅线与第二副栅线相互连接，本实用新型专利技术的有益效果是：通过在第二硅片上第二正面电极网版、第二背面电极网版连接的第一矩形连接栅、第二矩形连接栅与第一正面电极网版、第一背面正极网版连接，使得电阻分布均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种新型激光重掺杂图形结构
本技术涉及激光
，具体涉及一种新型激光重掺杂图形结构。
技术介绍
随着硅片尺寸和扩散方块电阻进一步提高，匹配SE工艺，达到局部重掺杂目的，提升转换效率。现有技术存在以下不足：现有的装置大尺寸硅片和方块电阻的提高带来扩散方阻均匀性变差，一般扩散后硅片边角局部方阻差异较大，丝网烧结易出现边缘云雾状烧结不良，导致良率和效率低，影响工作质量，降低生产效益。因此，技术一种新型激光重掺杂图形结构很有必要。
技术实现思路
为此，本技术提供一种新型激光重掺杂图形结构，通过在第二硅片上第二正面电极网版、第二背面电极网版连接的第一矩形连接栅、第二矩形连接栅与第一正面电极网版、第一背面正极网版连接，使得电阻分布均匀，以解决方阻均匀性差，丝网烧结易出现边缘云雾状烧结不良导致良率和效率低的问题。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片，所述第一硅片两侧连接有第二硅片，所述第一硅片上方固定安装有第一正面电极网版，所述第一正面电极网版包括第一正面主栅线、第一副本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片（1），其特征在于：所述第一硅片（1）两侧连接有第二硅片（2），所述第一硅片（1）上方固定安装有第一正面电极网版（13），所述第一正面电极网版（13）包括第一正面主栅线（14）、第一副栅线（16），所述第一正面主栅线（14）与第一副栅线（16）相互连接，所述第二硅片（2）上方固定安装有第二正面电极网版（212），所述第二正面电极网版（212）包括第二正面主栅线（26）、第二副栅线（27），所述第二正面主栅线（26）与第二副栅线（27）相互连接，所述第二正面电极网版（212）靠近第一正面电极网版（13）一侧固定连接有第一矩形连接栅（210），所述第二正...

【技术特征摘要】
1.一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片（1），其特征在于：所述第一硅片（1）两侧连接有第二硅片（2），所述第一硅片（1）上方固定安装有第一正面电极网版（13），所述第一正面电极网版（13）包括第一正面主栅线（14）、第一副栅线（16），所述第一正面主栅线（14）与第一副栅线（16）相互连接，所述第二硅片（2）上方固定安装有第二正面电极网版（212），所述第二正面电极网版（212）包括第二正面主栅线（26）、第二副栅线（27），所述第二正面主栅线（26）与第二副栅线（27）相互连接，所述第二正面电极网版（212）靠近第一正面电极网版（13）一侧固定连接有第一矩形连接栅（210），所述第二正面电极网版（212）通过第一矩形连接栅（210）与第一正面电极网版（13）连接，所述第二硅片（2）远离第二正面电极网版（212）一端固定安装有第二背面电极网版（28），所述第二背面电极网版（28）包括第二背面主栅线（29）、第二矩形连接栅（211），所述第二背面主栅线（29）与第二矩形连接栅（211）相互连接，所述第一硅片（1）远离第一正面电极网版（13）一端固定安装有第一背面电极网版（17），所述第一背面电极网版（17）包括第一背面主栅线（18），所述第一背面主栅线（18）与第一硅片（1）固定连接。


2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆民，陈实，树式，夏利鹏，吴圣，李干，陈经纬，
申请(专利权)人：江苏龙恒新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32