太阳电池及电池组件制造技术

本实用新型专利技术提供了太阳电池及电池组件，涉及光伏技术领域。太阳电池包括N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；第一电极位于发射极层上；金属氧化物钝化层、铝电极层叠设置，金属氧化物钝化层与铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的氧化铝界面层。铝电极中的铝抢夺金属氧化物钝化层中的氧，发生氧化还原化学反应，形成氧化铝界面层，无需使用自燃、爆炸性的硅烷和有毒的气体，且金属氧化物钝化层的导电性好，N型硅基底与金属氧化物钝化层形成的异质结的接触电阻率低，钝化质量好，提高了电池的电流密度。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及电池组件
本技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳电池及电池组件。
技术介绍
采用载流子选择接触的太阳电池能够降低加工温度，提升光电转换效率，因此应用广泛。目前，太阳电池中，载流子选择接触部分通常采用自燃、爆炸性的硅烷和有毒的硼/磷气体前体制作得到。上述太阳电池的制作工程中，安全性能差，工艺复杂。
技术实现思路
本技术提供一种太阳电池及电池组件，旨在解决制作载流子选择接触的太阳电池安全性能差，工艺复杂的问题。根据本技术的第一方面，提供了一种太阳电池，包括：N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；所述金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；所述第一电极位于所述发射极层上；所述金属氧化物钝化层、所述铝电极层叠设置，所述金属氧化物钝化层与所述铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的所述氧化铝界面层；所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面；或，所述发射极层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；所述金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；/n所述第一电极位于所述发射极层上；/n所述金属氧化物钝化层、所述铝电极层叠设置，所述金属氧化物钝化层与所述铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的所述氧化铝界面层；/n所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面；或，所述发射极层和所述金属氧化物钝化层分别位于所述N型硅基底的背光面的第一区域和第二区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：N型硅基底、发射极层、金属氧化物钝化层、氧化铝界面层、铝电极以及第一电极；所述金属氧化物钝化层中的金属的氧亲和力小于铝的氧亲和力；
所述第一电极位于所述发射极层上；
所述金属氧化物钝化层、所述铝电极层叠设置，所述金属氧化物钝化层与所述铝电极发生氧化还原化学反应后，生成位于两者之间的所述氧化铝界面层；
所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面；或，所述发射极层和所述金属氧化物钝化层分别位于所述N型硅基底的背光面的第一区域和第二区域。


2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧化物钝化层选自：氧化钛层、氧化铬层、氧化镓层、氧化锌层中的至少一层。


3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，在所述发射极层和所述金属氧化物钝化层两者中的一个位于所述N型硅基底的向光面，另一个位于所述N型硅基底的背光面，且所述金属氧化物钝化层位于所述N型硅基底的背光面的情况下，所述铝电极覆盖所述金属氧化物钝化层的整个背光面。


4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧化物钝化层的厚度为1nm-20nm。


5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，还包括：钝化掩膜层；所述钝化掩膜层与所述金属氧化物钝化层位于所述N型硅基底的同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32