读取状态保持电路及读取状态保持方法技术

本发明专利技术公开了一种读取状态保持电路及读取状态保持方法，读取状态保持电路包括：电荷储存单元、充电电路、感应电路及状态指示器，充电电路耦接于电荷储存单元，用以对电荷储存单元充电；感应电路耦接于电荷储存单元，用以感测电荷储存单元所储存的电压位准；状态指示器耦接于感应电路，用以输出指示讯号，以响应于感测的电压位准。读取状态保持方法包括：主张一已读取的讯号；升高该已读取讯号的位准；以及利用一ＮＭＯＳ晶体管对一电容充电，以响应于升高位准的已读取讯号的位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于无线射频辨识的读取状态保持电 路。还涉及一种读取状态保持方法。
技术介绍
无线射频辨识(Radio Frequency Identification, RFID) 系统是利用无线电波来传送辨识数据，让管理者能以无线的 方式管理货品。无线辨识系统系由多个无线射频辨识标签 (Radio Frequency Identification tag, 后文简称 RFID 标签)与读取器所组成。无线射频辨识系统应用于货品的管 理上时，每个货品都会具有一个RFID标签并储存对应的辨 识数据，例如货品的产品名称、货源或进货日期等等数据。 而如何在这么多RFID标签中，搜寻到使用者欲找寻的辨识 数据或列出辨识范围内所有的货品清单是RFID系统上常见 的操作。在多个RFID标签中，当读取器读取其中一个RFID巻标 所储存的辨识数据时，经辨识不是使用者欲找寻的特定辨识 数据或读取出此货品的辨识数据时，读取器便发出指令 (instruction)命令此RFID标签设定为「已被读取过状态J。 所以在一定时间内，此RFID标签再次接收到读取器所发出 的射频能量时，便会响应读取器自己已经被读取过了，或者在预定期间内不对读取器作任何回应。以此方式便可以逐次减少需要被读取的RFID标签的数量，直到搜寻所需的特定 辨识数据或列出所有的货品清单为止。然而，在读取器持续 读取其它未被读取过的RFID标签的过程中，已被读取过的rfid标签所设定的r已被读取过状态」若无法保持住时，便会产生重复读取的情况，进而造成搜寻效率降低。严重时， 即搜寻的时间太长的情况下，将造成大量的被读取过的 RFID标签所设定的f已被读取过状态j无法保持住而导致 不断地重复读取，或更进而导致无法搜寻到所需的特定辨识 数据。因此，如何在读取器搜寻的时间内，确保RFID标签的 r已被读取过状态」能够保持住乃是目前RFID领域需要探 讨的课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种读取状态保持电路,它能 够确保RFID标签的「已被读取过状态j在读取器搜寻的时间 内一直有效，进而提高搜寻效率。本专利技术解决的另一个技术问题是 提供一种读取状态保持方法，它同样可以能够确保RFID标签的 「已被读取过状态j在读取器搜寻的时间内一直有效，进而提高 搜寻效率。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种读取状态保持电 路，用于无线射频辨识中，该读取状态保持电路包括 一电 荷储存单元； 一充电电路，耦接于该电荷储存单元，用以对该电荷储存单元充电；一感应电路，耦接于该电荷储存单元， 用以感測该电荷储存单元的一电压位准；以及一状态指示 器，耦接于该感应电路，用以输出一指示讯号，以响应于该 电压位准。另外，本专利技术还提供了一种读取状态保持方法，它包括 主张一已读取的讯号；升高该已读取讯号的位准；以及利用 一 NMOS晶体管对一电容充电，以响应于升高位准的已读取 讯号的位准。因为本专利技术的读取状态保持电路，可于读取器在读取众多 RFID标签的过程中，即射频讯号在ON/OFF变化的周期内，经由本专利技术的读取状态保持电路，使电荷储存单元于射频讯 号OFF时，有效保持住其读取状态，使电压位准不会低于预 设电压位准VX，当射频讯号ON时可以重新设定状态指示器的状态并重新对电荷储存单元充电。如此，避免了搜寻的时 间太长的情况下，造成大量的被读取过的RFID标签所设定的r已被读取过状态」无法保持住，而导致不断地重复读取的问题，或导致无法搜寻到所需的特定辨识数据的情况。 附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图l是一种无线射频辨识系统的示意图。 图2是读取状态保持电路的电路图。图3是根据本专利技术较佳实施例的读取状态保持电路的方块图。图4是根据本专利技术较佳实施例的读取状态保持电路的电 路图。图5是根据本专利技术较佳实施例的倍压器的电路图。图6是根据本专利技术较佳实施例的读取状态保持方法的流程图。主要组件符号说明100:无线射频辨识系统102:无线射频辨识标签104:读取器106:芯片108:天线110:控制电路112:非挥发性内存202:PM0S晶体管204:300:读取状态保持电路301:电荷储存单元302:充电电路304:感应电路306:正反器312:倍压器314:NMOS晶体管400:读取状态保持电路401:电容406:正反器412:倍压器414、 420、 422:晶体管424:或非门502、 504:反相器506:电容具体实施例方式本专利技术提供一种读取状态保持电路可以在读取器对无 线射频辨识标签操作的过程中，例如搜寻或列出货品清单 时，确保无线射频辨识标签的"已被读取过状态"可以被保 持住。如此一来可以提高读取器于搜寻过程中辨识特定数据 或列出货品清单的效率。请参照图1，其是一种无线射频辨识系统的示意图。无 线射频辨识系统100包括无线射频辨识标签(Radio Frequency Identification tag,后文简称RFID标签)102、 读取器(reader) 104与控制读取器104或对读取器104的数 据做处理的系统(未绘示于第1图中)。此RFID巻标102包 括芯片106及天线108。天线108用以接收读取器104所发 出的无线射频讯号RF。芯片106包括控制电路110与非挥 发性内存112。控制电路IIO与天线108电连接，其用以执 行RFID标签102的相关操作，例如对非挥发性内存112执 行存取动作或是设定RFID标签102的状态。非挥发性内存 112用以储存辨识数据ID,例如闪存。有关于在搜寻RFID标签102过程中，控制电路110应 该实施可以设定「已被读取过状态J的电路，以供读取器 104发出指令命令此RFID巻标102设定为「已被读取过状 态J。第2图显示直觉地设计读取状态保持电路的电路图， 包含PMOS晶体管及电容204，直觉地可利用PMOS晶体管202 对电容204充电以提供是否读取的信息。但是，P型金氧半 导体202天生有漏电的缺憾，并不是一种理想的设计。第3图显示根据本专利技术较佳实施例的读取状态保持电 路300方块图，包括电荷储存单元301、充电电路302、感 应电路304与正反器306。电荷储存单元301例如为电容， 可由半导体组件实现。读取状态保持电路300可以实施于第 1图的控制电路110中，用以当此RFID巻标102的辨识数 据ID被读取过时，对电荷储存单元301充电并输出一指示 讯号IS至控制电路110中的相关下级电路，此指示讯号IS 用以指示辨识数据ID是否有被读取过。此外，读取状态保 持电路300还用于当RFID标签102接收到RF能量时，正确 地读取电荷储存单元301的电压位准、并适时地对电荷储存 单元202重新充电以确保「已被读取过状态」可以保持住。当辨识数据ID被读取过时，藉由设定讯号SET—IDF， 使得充电电路302对电荷储存单元301充电，以使电荷储存 单元301充电至某一电压位准，例如+2.5伏特。感应电路 304感測电荷储存单元301所储存的电压位准以设定正反器 306的状态，例如将正反器306的状态设定为"1"或"0", 正反器306依据其状态为"1"或"0"以据以输出指示讯号IS。举例而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取状态保持电路，用于无线射频辨识中，其特征在于，该读取状态保持电路包括：一电荷储存单元；一充电电路，耦接于该电荷储存单元，用以对该电荷储存单元充电；一感应电路，耦接于该电荷储存单元，用以感测该电荷储存单元的一电压位准；以及一状态指示器，耦接于该感应电路，用以输出一指示讯号，以响应于该电压位准。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史德立，宁中和，
申请(专利权)人：晨星半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]