【技术实现步骤摘要】
芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]在半导体的生产中,随着晶圆尺寸的增大和元器件尺寸的缩小,一片晶圆可划分成数千个相同或不同的芯片。由于生产设计或材料本身的特性,生产的晶圆中除了包括有合格芯片外,还可能存在有缺陷芯片。目前通常是通过测试设备对晶圆上的每一个芯片的电气特性进行测试,若发现缺陷芯片时将在该缺陷芯片打上墨点进行标记。通常在晶圆边缘区域存在聚集型的缺陷芯片,然而临近聚集型缺陷芯片旁边的合格芯片可能存在潜在的工艺问题风险,为了规避风险,需要找到临近聚集型缺陷芯片旁边的合格芯片,将此合格芯片进行标记,在后续工艺时则避开被标记的合格芯片,因此需要一种芯片标记方式。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供芯片标记方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质,以实现标记临近聚集型缺陷芯片的合格芯片。
[0004]为了达到上述目的,本专利技术提供了一种芯片标
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片标记方法,其特征在于,包括:提供一晶圆;逐行/列扫描所述晶圆上的芯片,每扫描得到一个合格芯片,均以所述合格芯片为中心芯片选取一第一芯片区域,所述第一芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的N行N列矩阵,其中,N为大于或等于5的奇数;获取所述第一芯片区域的芯片良率并判断所述第一芯片区域的芯片良率与第一良率设定值的大小关系,当所述第一芯片区域的芯片良率小于所述第一良率设定值时,将所述第一芯片区域等比例缩小以构成第二芯片区域,所述第二芯片区域是以对应的所述中心芯片为中心的M行M列矩阵,其中,M为大于或等于3的奇数,N>M;获取所述第二芯片区域内的芯片良率并判断所述第二芯片区域的芯片良率与第二良率设定值的大小关系,当所述第二芯片区域内的芯片良率小于第二良率设定值,则对所述中心芯片进行标记。2.如权利要求1所述的芯片标记方法,其特征在于,逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时,当扫描到前后第行和前后第列有合格芯片时,将所述合格芯片默认为不合格芯片。3.如权利要求1所述的芯片标记方法,其特征在于,逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时,从第行、第列扫描到第行、第列,K为行/列数。4.如权利要求1所述的芯片标记方法,其特征在于,逐行/列扫描所述晶圆上的芯片之前,对所述晶圆上的芯片进行测试,以获取所述合格芯片,逐行/列扫描所述晶圆上的芯片时,通过识别所述芯片的标识判定是否为合格芯片。5.如权利要求1所述的芯片标记方法,其特征在于,所述标记为墨点标记。6.如权利要求1所述的芯片标记方法,其特征在于,将标记的所述中心芯片作为隐患芯片。7....
【专利技术属性】
技术研发人员:索鑫,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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