【技术实现步骤摘要】
用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法
[0001]本专利技术涉及电子束光刻
，具体地，涉及一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记及其制造方法。
技术介绍
[0002]随着微纳米科技的发展及器件结构的不断缩减，纳米结构的加工应用越来越广泛，而电子束光刻技术能够实现几个纳米至百纳米尺寸的精确刻写，使其成为重要的纳米结构加工方法之一。
[0003]随着器件的复杂程度越来越高，需要两次及以上的电子束套刻来实现结构的加工，这就需要在基片材料上加工用于电子束套刻的对准标记。目前常用的对准标记为金的十字或者方块对准标记，利用电子束曝光技术刻写在基片材料上，再进行金属沉积和剥离的方法进行加工。这样的加工方法，一个是因为电子束刻写的速度比较慢，且是串行的加工方式，需要一个图形一个图形的刻写，成本很高，而且这种标记采用的金层厚度往往还比较薄，进行过几次曝光套刻后就会被破坏，严重影响后面的使用；尤其与CMOS加工工艺结合后，硅基类的器件加工要求也越来越高，有些半导体的加工工艺中严禁使用金属材料，使得这类对准标记无法应用。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，包括衬底层、绝缘层和芯层；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述芯层位于所述绝缘层上；所述对准标记为10
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20微米的正方形阵列，周期性分布在基片上；所述对准标记的结构贯穿芯层和绝缘层，截止在衬底层。2.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述衬底层为硅、石英玻璃、二氧化硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料。3.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一种或者其中几种的复合材料。4.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述芯层为二氧化硅、氮化硅、硅、铌酸锂和锗中的一种或者其中几种的复合材料。5.根据权利要求1所述的用于电子束光刻套刻的通用对准标记，其特征在于，所述周期为60微米至2毫米，所述阵列为2*2至11*11，阵列间距为500微米至1厘米。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：权雪玲，程秀兰，王晓东，徐剑，刘民，黄胜利，凌天宇，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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