【技术实现步骤摘要】
一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法,属于薄膜传感器
技术介绍
[0002]越来越多的应用场景需要传感器具有一定的柔性和强度,如曲面上的检测,要求传感器能够进行弯曲,而硅基底由于刚度大,不能弯曲,因此基于硅基底的传感器不能适用这种应用场景要求。同时,传感器在使用过程中也需要具有一定的强度,防止各种机械损坏,常用的柔性基底如各种聚合物强度较低,而具有一定强度的金属箔如铝箔、铜箔等则成为基底的选择。
[0003]然而金属箔厚度薄,易卷曲,在其上面制作传感器较为困难,于是采用在其它基底上如硅片先完成传感器的制作,然后转移至金属箔上。由于是金属基底,需要进行绝缘,而聚酰亚胺以其优异的性能如:高熔点、高电阻率、不溶于常见的酸碱和有机溶剂等,被选为制作柔性传感器的绝缘层。为了将传感器及聚酰亚胺绝缘层从基底上分离,最简单的办法就是使基底具有亲水性,从而可以在带水的环境中轻易完成分离。而硅基底不具有亲水性,要达到亲水的目的,需要在硅上通过热生长或等离子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法,其特征在于:在玻璃基底上设置一层聚酰亚胺下绝缘层并进行软烘和固化;在聚酰亚胺下绝缘层的上表面制作传感器电路层,在传感器电路层上设置聚酰亚胺上绝缘层并进行软烘,然后对基于玻璃基底的传感器焊盘区域进行处理,使焊盘裸露出来,而后将基于玻璃基底的传感器加热进行固化处理;处理后对聚酰亚胺上绝缘层的上表面刻蚀,刻蚀后的聚酰亚胺上绝缘层上设置上粘结剂层,同时将上金属铝箔基底压在上粘接剂层上,粘接层充填到聚酰亚胺上绝缘层表面刻蚀制造的凹坑处,此时形成半成品;而后将半成品玻璃基底的一面放到热板上,对半成品加热使上粘结剂层软烘和固化,同时对上金属铝箔基底滚动施压,以消除聚酰亚胺上绝缘层与上粘结剂层之间的气隙;将固化后的半成品,放置到盛有去离子水的容器中浸泡,水分子逐步渗入到玻璃基底与聚酰亚胺下绝缘层之间,使聚酰亚胺下绝缘层与玻璃基底分离;在聚酰亚胺下绝缘层的外表面刻蚀,刻蚀后的聚酰亚胺下绝缘层上设置下粘结剂层,同时将下金属铝箔基底压在下粘接剂层上,粘结剂充填到聚酰亚胺下绝缘层表面刻蚀制造的凹坑处,此时形成成品;而后将成品的上金属铝箔基底的外表面放到热板上,对成品加热使下粘结剂层软烘和固化,同时对下金属铝箔基底滚动施压,以消除聚酰亚胺下绝缘层与下粘结剂层之间的气隙,滚动施压后制备薄膜传感器。2.根据权利要求1所述的基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法,其特征在于:所述玻璃基底先经过丙酮、异丙醇和去离子水清洗,而后氮气吹干、加热除水汽后使用。3.根据权利要求1所述的基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法,其特征在于:所述聚酰亚胺下绝缘层旋涂在玻璃基底上,层厚1.0~5.0um,热板上进行软烘,温度为90℃
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3℃,时间2min
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30s,然后放入氮气炉里进行固化处理,固化温度为200℃
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10℃,时间30 min
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3min,而后升温至350℃
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10℃,时间60 min
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5min,最终在玻璃基底上形成一层聚酰亚胺层。4.根据权利要求1所述的基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法,其特征在于:在所...
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