一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路，通过将GaN驱动电路的开通和关断回路分离，在开通和关断回路中分别采用不同容值的开通加速电容和关断加速电容来并联开通栅极电阻和关断栅极电阻，为GaN功率器件提供不同的动态和稳态栅极电流，加速开通和关断过程，减小开通和关断时间，同时减小电压和电流的尖峰和振荡。解决减小GaN功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰、振荡、开通时间和关断时间，满足GaN驱动电路可靠性高、损耗小、开关速度快的要求。本发明专利技术能够满足GaN功率器件在高频条件下的性能要求，保证了高的开关速度、低开关损耗，同时能够有效抑制GaN功率器件开通、关断过程中的漏源极的电压与电流尖峰和振荡，保证了GaN功率器件高可靠的工作。保证了GaN功率器件高可靠的工作。保证了GaN功率器件高可靠的工作。

【技术实现步骤摘要】
forenhancement mode power GaN FETs in DC
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DC converters[C]//Applied Power ElectronicsConference&Exposition.IEEE,2012.中，采用拉、灌分离输出的驱动电路的形式，将 GaN驱动电路中的开通与关断回路分离，增加GaN驱动的可靠性。此外，GaN驱动电路中的关断栅极电阻的阻值低于开通栅极电阻，保证GaN功率器件的可靠关断并降低开关损耗。在文献Gurpinar E,Castellazzi A.Single
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Phase T
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Type InverterPerformance Benchmark Using Si IGBTs,SiC MOSFETs,and GaN HEMTs[J].IEEETransactions on Power Electronics,2016,31(10):7148
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7160.和文献Y.Kawai et al.,"Anisolated DC power supply fre本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路，其特征在于包括驱动芯片单元、开通栅极电阻单元、开通加速电容单元、开通二极管D1、关断栅极电阻单元、关断加速电容单元和关断二极管D2；驱动芯片单元的GND连接GaN功率器件的S极，输出极通过两个并联电路即开通控制单元和关断控制单元与GaN功率器件的G极连接；所述开通控制单元是：开通二极管D1连接并联的开通栅极电阻单元和开通加速电容单元；所述关断控制单元是：关断二极管D2连接并联的关断栅极电阻单元和关断加速电容单元；所述开通二极管D1的正极与驱动芯片单元的输出端连接；所述关断二极管D2的正极与GaN功率器件的G极连接。2.根据权利要求1所述Cascode型GaN功率器件的驱动电路，其特征在于：所述开通加速电容单元包含一个或多个电容，加速电容容值选取...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆光照，罗斌，赵文学，刘春强，李四海，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：