一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:29215465 阅读:12 留言:0更新日期:2021-07-10 00:53
本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:衬底基板;设置于衬底基板上的像素发光层;设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。本发明专利技术公开的方案能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。决熄屏时产生的衍射问题。决熄屏时产生的衍射问题。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展,具有显示功能的电子设备被广泛应用于人们的日常生活及工作当中。
[0003]目前,通常采用去偏光片技术(又称COE(Color filter on Encapsulation layer)技术)来降低显示器件的厚度和功耗。然而,去偏光片技术会带来反射率的提升,从而导致显示器件在熄屏时出现衍射条纹,以及熄屏时存在色偏的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种显示面板及显示装置,能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板,包括:
[0006]衬底基板;
[0007]设置于衬底基板上的像素发光层;
[0008]设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。
[0009]如上的显示面板,可选地,像素发光层包括多个子像素单元,子像素单元包括:第一阳极;设置于第一阳极远离衬底基板一侧的发光层;设置于发光层远离衬底基板一侧的阴极;
[0010]光致变色层包括:设置于阴极远离衬底基板一侧的变色材料层;设置于变色材料层远离衬底基板一侧的离子存储层;设置于离子存储层远离衬底基板一侧的第二阳极。
[0011]如上的显示面板,可选地,变色材料层至少覆盖阴极对应发光层的区域,离子存储层至少覆盖变色材料层;第二阳极至少覆盖离子存储层;
[0012]优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影与发光层在衬底基板上的正投影重合,第二阳极在衬底基板上的正投影与阴极在衬底基板上的正投影重合;
[0013]优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合。
[0014]如上的显示面板,可选地,当像素发光层发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第二信号,第二阳极输出第一信号;
[0015]当像素发光层不发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第一信号,第二阳极输出第三信号;
[0016]优选地,第一信号为低电平信号,第二信号为高电平信号,第三信号为高电平信号;或者,第一信号为高电平信号,第二信号为低电平信号,第三信号为低电平信号。
[0017]如上的显示面板,可选地,子像素单元包括子像素M1

Mn,
[0018]当变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合时,第二阳极包括子阳极A1

An;
[0019]其中,子阳极Aj在衬底基板上的正投影与子像素Mj的发光层在衬底基板上的正投影重合,n为大于等于3的整数,1≤j≤n。
[0020]如上的显示面板,可选地,还包括:设置于衬底基板和像素发光层之间的薄膜晶体管;
[0021]其中,薄膜晶体管包括:设置于衬底基板上的有源层,设置于有源层上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的栅极,设置于栅极上的层间绝缘层,设置于层间绝缘层上的源极和漏极;
[0022]或者,薄膜晶体管包括:设置于衬底基板上的栅极,设置于栅极上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的有源层,设置于有源层上的层间绝缘层,设置于层间绝缘层上的源极和漏极。
[0023]如上的显示面板,可选地,第一阳极与源极和漏极中的任一电连接,或者与栅极电连接。
[0024]如上的显示面板,可选地,还包括:
[0025]设置于光致变色层远离衬底基板一侧的封装层;
[0026]设置于封装层远离衬底基板一侧的触控层;
[0027]设置于触控层远离衬底基板一侧的功能层,功能层包括间隔设置的彩色滤光部和遮光部;
[0028]设置于功能层远离衬底基板一侧的盖板。
[0029]如上的显示面板,可选地,变色材料层的材料为有机光致变色材料和/或无机光致变色材料;
[0030]优选地,变色材料层的材料为三氧化钨。
[0031]第二方面,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括具有上述第一方面任一特征的显示面板。
[0032]本专利技术提供一种显示面板及显示装置,通过在像素发光层上设置光致变色层,光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态,保证显示面板的正常显示;在像素发光层不发光时呈非透光状态,降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题,提高产品良率。
附图说明
[0033]图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图;
[0034]图2是本专利技术实施例提供的一种电极信号示意图;
[0035]图3是本专利技术实施例提供的一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
[0036]图4是本专利技术实施例提供的另一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
[0037]图5是本专利技术实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜
层示意图;
[0038]图6是本专利技术实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
[0039]图7是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0040]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0041]同时,附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书的同样的附图标记表示同样的元件。另外,出于理解和易于描述,附图中可能夸大了一些层、膜、面板、区域等的厚度。同时可以理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在其它元件上或者也可以存在中间元件。另外,“在
……
上”是指将元件定位在另一元件上或者在另一元件下方,但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。为了便于理解,本专利技术附图中都是将元件画在另一元件的上侧。
[0042]另外,除非明确地描述为相反,否则词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变形将被理解为暗示包含该元件,但不排除任意其它元件。
[0043]还需要说明的是,本专利技术实施例中提到的“和/或”是指包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。本专利技术实施例中用“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种组件,但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。并且,除非上下文另有明确指示,否则单数形式“一个”、“一种”和“该()”也意图包括复数形式。
[0044]当可以不本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的像素发光层;设置于所述像素发光层远离所述衬底基板一侧的光致变色层;所述光致变色层在所述像素发光层发光时呈透光状态、且在所述像素发光层不发光时呈非透光状态。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素发光层包括多个子像素单元,所述子像素单元包括:第一阳极;设置于所述第一阳极远离所述衬底基板一侧的发光层;设置于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极;所述光致变色层包括:设置于所述阴极远离所述衬底基板一侧的变色材料层;设置于所述变色材料层远离所述衬底基板一侧的离子存储层;设置于所述离子存储层远离所述衬底基板一侧的第二阳极。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层至少覆盖所述阴极对应所述发光层的区域,所述离子存储层至少覆盖所述变色材料层;所述第二阳极至少覆盖所述离子存储层;优选地,所述变色材料层在所述衬底基板上的正投影与所述发光层在所述衬底基板上的正投影重合,所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影与所述阴极在所述衬底基板上的正投影重合;优选地,所述变色材料层在所述衬底基板上的正投影、所述离子存储层在所述衬底基板上的正投影、所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影均与所述发光层在所述衬底基板上的正投影重合。4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,当所述像素发光层发光时,所述阴极输出第一信号,所述第一阳极输出第二信号,所述第二阳极输出第一信号;当所述像素发光层不发光时,所述阴极输出第一信号,所述第一阳极输出第一信号,所述第二阳极输出第三信号。5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述子像素单元包括子像素M1

Mn,当所述变色材料层在所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓贤柱张萌杜凌霄单奇
申请(专利权)人:合肥维信诺科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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