用于基于动态接近度的管芯上终结的技术制造技术

用于基于接近度的管芯上终结(ODT)技术包括存储器设备，该存储器设备基于存储器设备与另一存储器设备的接近度以及命令是读取命令还是写入命令，来确定在由耦合到与存储器设备相同的数据通道的另一存储器设备执行命令的期间要应用什么ODT设置。期间要应用什么ODT设置。期间要应用什么ODT设置。

【技术实现步骤摘要】
用于基于动态接近度的管芯上终结的技术


[0001]本文所描述的示例总体上涉及用于存储器设备处的管芯上终结(on dietermination)的技术。

技术介绍

[0002]在具有与充当控制器的专用集成电路(ASIC)耦合的存储器设备或管芯的一些存储器系统中，在ASIC和存储器设备二者上提供了多个管芯上终结(ODT)引脚，以在存储器设备或管芯处控制内阻终结(RTT)的值和ODT的开和关定时。这些ODT引脚通常需要ASIC和给定的存储器设备或管芯之间的合作，以在对存储器设备或管芯的读取或写入操作期间考虑RTT的适当的时间量。
附图说明
[0003]图1示出了示例第一系统。
[0004]图2示出了示例第一寄存器表。
[0005]图3示出了示例第二寄存器表。
[0006]图4示出了示例第三寄存器表。
[0007]图5示出了示例第二系统。
[0008]图6示出了示例第一逻辑流。
[0009]图7示出了示例装置。
[0010]图8示出了示例第二逻辑流。
[0011]图9示出了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：一个或多个寄存器，其被布置为维护管芯上终结(ODT)设置；以及控制电路，其用于：接收关于命令将由与相同的数据通道耦合的单独的存储器设备执行的指示；读取所述一个或多个寄存器，以基于指示所述单独的存储器设备与所述存储器设备的接近度的第一组标识符，并且基于所述命令是读取命令还是写入命令，来确定在所述命令的执行期间要应用什么ODT设置。2.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述存储器设备位于包括所述单独的存储器设备的第一封装上，所述存储器设备被布置为用于所述第一封装的终结存储器设备。3.根据权利要求2所述的存储器设备，包括：所述第一组标识符被指派给所述第一封装，以指示所述单独的存储器设备位于相同的封装上，所述命令是写入命令，所述控制电路用于使得所述存储器设备在对所述单独的存储器设备的写入操作期间提供Hi_z ODT设置。4.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述存储器设备位于包括至少一个其他存储器设备的第一封装上，所述存储器设备被布置为用于所述第一封装的终结存储器设备，所述单独的存储器设备位于第二封装上，所述第一组标识符被指派给所述第二封装，所述第一组标识符用于指示所述单独的存储器设备位于不同的封装上。5.根据权利要求4所述的存储器设备，包括：所述命令是读取命令，所述控制电路用于使得所述存储器设备：如果所述第二封装位于所述第一封装邻近或附近，则在读取操作期间提供第一ODT设置，或者如果所述第二封装不位于所述第一封装邻近，则在所述读取操作期间提供第二ODT设置。6.根据权利要求1所述的存储器设备，包括：所述命令是从存储设备的控制器接收的。7.根据权利要求6所述的存储器设备，包括：所述存储器设备包括非易失性类型的存储器，所述存储设备是固态驱动器。8.根据权利要求7所述的存储器设备，所述非易失性类型的存储器包括：相变存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包括金属氧化物基底、氧空位基底和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的电阻存储器，自旋电子磁结存储器，磁隧穿结(MTJ)存储器，畴壁(DW)和自旋轨道转移(SOT)存储器，基于晶闸管的存储器阵列，结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)或自旋转移转矩MRAM(STT-MRAM)。9.一种装置，包括：输入/输出(I/O)接口电路，其用于与第一存储器设备耦合；以及电路，其用于执行程序逻辑，所述程序逻辑用于：经由所述I/O接口电路在所述第一存储器设备处对第一寄存器进行编程，以使得所述第一寄存器指示当所述第一存储器设备是用于第一组存储器设备的终结存储器设备时要选择的多个管芯上终结(ODT)类型，所述多个ODT类型基于是读取命令还是写入命令将由被包括在所述第一组存储器设备中的第二存储器设备执行还是将由被包括在第二组存储器设备中的第三存储器设备执行；以及经由所述I/O接口电路在所述第一存储器设备处对第二寄存器进行编程，以使得所述第二寄存器基于写入命令将由所述第二存储器设备还是由所述第三存储器设备执行，来指示具有要应用的单独的ODT设置的至少两个ODT类型。
10.根据权利要求9所述的装置，包括：所述第一组存储器设备位于被指派有第一组标识符的第一封装上，所述第二组存储器设备位于被指派有第二组标识符的第二封装上，其中，被包括在第三组存储器设备中的第四存储器设备位于被指派有第三组标识符的第三封装上，所述第一封装、所述第二封装和所述第三封装经由相同的数据总线耦合到所述I/O接口电路，所述第二封装位于所述第一封装的邻近或附近，所述第三封装不位于所述第一封装邻近。11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括所述程序逻辑用于：在所述第一存储器设备处对第三寄存器进行编程，以指示当所述第一存储器设备是用于所述第一组存储器设备的所述终结存储器设备并且所述命令是读取命令时，要选择性地应用的第一ODT设置和第二ODT设置，其中，如果所述读取命令针对所述第三存储器设备，则所述第一存储器设备用于应用所述第一ODT设置，或者如果所述读取命令针对所述第四存储器设备，则所述第一存储器设备用于应用所述第二ODT设置。12.根据权利要求9所述的装置，包括：所述第一存储器设备、所述第二存储器设备和所述第三存储器设备包括非易失性类型的存储器，所述装置是用于固态驱动器的控制器，所述固态驱动器包括所述第一存储器设备、所述第二存储器设备和所述第三存储器设备。13.根据权利要求12所述的装置，所述非易失性类型的存储器包括相变存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包括金属氧化物基底、氧空位基底和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的电阻存储器，自旋电子磁结存储器，磁隧穿结(MTJ)存储器，畴壁(DW)和自旋轨道转移(SOT)存储器，基于晶闸管的存储器阵列，结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)或自旋转移转矩MRAM(STT-MRAM)。14.一种存储设备，包括：控制器，其具有输入/输出(I/O)接口电路，以经由相同的数据通道与多组存储器设备耦合；以及所述多组存储器设备中的第一组中的存储器设备，所述存储器设备包括：一个或多个寄存器，其被布置为维护管芯上终结(ODT)设置；以及控制电路，其用于：接收关于来自所述控制器的命令将由与所述相同的数据通道耦合的单独的存储器设备执行的指示；读取所述一个或多个寄存器，以基于指示所述单独的存储器设备与所述存储器设备的接近度的第一组标识符，并且基于所述命令是读取命令还是写入命令，来确定在所述命令的执行期间要应用什么ODT设置。15.根据权利要求14所述的存储设备，包括：所述多组存储器设备中的所述第一组位于第一封装上，所述第一组还包括所述单独的存储器设备，所述存储器设备被布置为用于所述第一组的终结存储器设备。16.根据权利要求15所述的存储设备，包括：所述第一组标识符被指派给所述第一组，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：