一种防静电金属氧化物半导体场效应管制造技术

本实用新型专利技术属于场效应管技术领域，且公开了一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体，所述第一场效应管主体的外侧设置有第一防弯折机构，所述第一防弯折机构包括第一仓体，所述第三连接块的底端开设有第四凹槽，所述第三凹槽的内部插设有第一插杆，所述第一插杆的外侧套设有第一弹簧，所述第一仓体的内部设置有第一弹出机构，本实用新型专利技术避免了在运输的过程中产生一定的晃动使得第一场效应管主体的底端发生弯折，对第一场效应管主体进行了一定的保护，使得第一场效应管主体在运输的过程中更加安全，减少了用户的经济损失，使得用户对于第一场效应管主体的拿取更加的方便，提高了用户的工作效率。提高了用户的工作效率。提高了用户的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种防静电金属氧化物半导体场效应管


[0001]本技术属于场效应管
，具体涉及一种防静电金属氧化物半导体场效应管。

技术介绍

[0002]随着我国经济的快速发展，使得我国在电压控制方面有了一定的领先，在电压领域会使用到半导体场效应管，而场效应管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，对于场效应管大多都是具有防静电金属氧化物半导体场效应管，由于场效应管的底端极易发生一定的弯折，使得场效应管不能使用，所以在场效应管的运输与存放的过程中对其保护就尤为重要，现有的场效应管运输没有一定的防弯折机构，使得场效应管在运输的过程中，经常会受到一定的晃动而致使其弯折，使得场效应管不能正常的使用，对其造成了一定的损坏，增加了用户的经济损失。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种防静电金属氧化物半导体场效应管，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的场效应管运输没有一定的防弯折机构，使得场效应管在运输的过程中，经常会受到一定的晃动而致使其弯折，使得场效应管不能正常的使用，对其造成了一定的损坏，增加了用户的经济损失的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体，所述第一场效应管主体的外侧设置有第一防弯折机构，所述第一防弯折机构包括第一仓体，所述第一场效应管主体的外侧套设有第一仓体，所述第一仓体的内部开设有第一凹槽，所述第一仓体顶端的左侧固定有两组第一连接块，所述第一仓体的顶端设置有第一连接板，且第一连接板与第一连接块铰接相连，所述第一仓体顶端的右侧固定有第二连接块，且第二连接块的内部开设有第二凹槽，所述第二连接块的右端开设有第三凹槽，所述第一连接板右侧的底端固定有第三连接块，所述第三连接块的底端开设有第四凹槽，所述第三凹槽的内部插设有第一插杆，且第一插杆的左端插设在第四凹槽内部，所述第一插杆的外侧套设有第一弹簧，所述第一仓体的内部设置有第一弹出机构。
[0005]优选的，所述第一仓体的内部设置有两组第一弹出机构，所述第一弹出机构包括第四连接块，所述第一仓体内部的左右两侧皆固定有第四连接块，且第四连接块的内部皆开设有第五凹槽，所述第五凹槽的内部皆固定有第二弹簧，所述第二弹簧的顶端皆设置有第五连接块，且第五连接块的底端皆与第二弹簧固定连接。
[0006]优选的，所述第一连接板的底端固定有连接块，且连接块的表面胶合有第一橡胶垫。
[0007]优选的，所述第一插杆右端的表面胶合有第二橡胶垫，且第二橡胶垫与第一插杆的表面相贴合。
[0008]优选的，所述第一插杆的左端呈倾斜状，所述第一插杆的左端插设在第四凹槽内部。
[0009]优选的，所述第五连接块的一侧固定有滑块，所述第一仓体的内部开设有与滑块相配合的滑槽。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术避免了在运输的过程中产生一定的晃动使得第一场效应管主体的底端发生弯折，对第一场效应管主体进行了一定的保护，使得第一场效应管主体在运输的过程中更加安全，减少了用户的经济损失，使得用户对于第一场效应管主体的拿取更加的方便，提高了用户的工作效率。
[0011]1.本技术通过设置有第一仓体与第一凹槽，首先，当用户需要对第一场效应管主体进行运输时，用户拿起第一场效应管主体插设到第一凹槽内部，使得第一场效应管主体的底端插设到第一凹槽的底端，对其进行一定的分开固定，避免了在运输的过程中产生一定的晃动使得第一场效应管主体的底端发生弯折，对第一场效应管主体进行了一定的保护，使得第一场效应管主体在运输的过程中更加安全，减少了用户的经济损失。
[0012]2.本技术通过设置有第二弹簧与第五连接块，当用户对第一场效应管主体进行拿取时，用户通过对第一插杆进行一定的拔取，使得用户得以对第一连接板进行一定的转动，由于第二弹簧自身具有一定的回弹力，在第一场效应管主体的压缩下积蓄一定对第一场效应管主体的抵触力，使得第一连接板不在对第一场效应管主体进行按压时，通过第二弹簧的回弹力使得第一场效应管主体得以向上弹出，使得用户对于第一场效应管主体的拿取更加的方便，提高了用户的工作效率。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构正视剖面示意图；
[0014]图2为本技术中图1中A处的结构局部放大示意图；
[0015]图3为本技术中图1中B处的结构局部放大示意图；
[0016]图4为本技术的结构侧视示意图。
[0017]图中：100、第一场效应管主体；200、第一防弯折机构；210、第一仓体；211、第一凹槽；212、第一连接块；213、第一连接板；214、第二连接块；215、第二凹槽；216、第三凹槽；217、第三连接块；218、第四凹槽；219、第一插杆；220、第一弹簧；300、第一弹出机构；310、第四连接块；311、第五凹槽；312、第二弹簧；313、第五连接块。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1
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图4所示，本技术提供一种技术方案：
[0020]一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体100，第一场效应
管主体100的外侧设置有第一防弯折机构200，第一防弯折机构200包括第一仓体210，第一场效应管主体100的外侧套设有第一仓体210，第一仓体210的内部开设有第一凹槽211，第一仓体210顶端的左侧固定有两组第一连接块212，第一仓体210的顶端设置有第一连接板213，且第一连接板213与第一连接块212铰接相连，第一仓体210顶端的右侧固定有第二连接块214，且第二连接块214的内部开设有第二凹槽215，第二连接块214的右端开设有第三凹槽216，第一连接板213右侧的底端固定有第三连接块217，第三连接块217的底端开设有第四凹槽218，第三凹槽216的内部插设有第一插杆219，且第一插杆219的左端插设在第四凹槽218内部，第一插杆219的外侧套设有第一弹簧220，第一仓体210的内部设置有第一弹出机构300。
[0021]为了使得用户对第一场效应管主体100的拿取更加的方便，而不对第一场效应管主体100的表面产生一定的损坏，本实施例中，优选的，第一仓体210的内部设置有两组第一弹出机构300，第一弹出机构300包括第四连接块310，第一仓体210内部的左右两侧皆固定有第四连接块310，且第四连接块310的内部皆开设有第五凹槽311，第五本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防静电金属氧化物半导体场效应管，包括第一场效应管主体，其特征在于：所述第一场效应管主体的外侧设置有第一防弯折机构，所述第一防弯折机构包括第一仓体，所述第一场效应管主体的外侧套设有第一仓体，所述第一仓体的内部开设有第一凹槽，所述第一仓体顶端的左侧固定有两组第一连接块，所述第一仓体的顶端设置有第一连接板，且第一连接板与第一连接块铰接相连，所述第一仓体顶端的右侧固定有第二连接块，且第二连接块的内部开设有第二凹槽，所述第二连接块的右端开设有第三凹槽，所述第一连接板右侧的底端固定有第三连接块，所述第三连接块的底端开设有第四凹槽，所述第三凹槽的内部插设有第一插杆，且第一插杆的左端插设在第四凹槽内部，所述第一插杆的外侧套设有第一弹簧，所述第一仓体的内部设置有第一弹出机构。2.根据权利要求1所述的一种防静电金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述第一仓体的内部设置有两组第一弹出机构，所述第一弹出...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭丛辉，王言豪，
申请(专利权)人：深圳市新芯矽创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：