一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明专利技术利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种用于电路中的基于硫系化合物的过电压浪涌保护阵列及其制备方法。
技术介绍
如今，电子设备在计算机、通信、航空航天以及家电等领域得到了广泛应用。为适用电子设备应用环境的精密化需求，对其电源性能提出了更高的要求。然而，雷电、静电或开关电路等引起的瞬间过电压会越来越频繁地通过电源、天线以及信号接收设备等线路侵入室内电气设备，造成设备或元器件损坏、传输或储存的数据受到干扰或丢失乃至人员伤亡，甚至使电子设备产生误动作或暂时瘫痪、系统停顿，数据传输中断，局域网乃至广域网遭到破坏。浪涌保护器(SurgeProtectionDevice，SPD)就是一种通过现代电学以及其他技术来防止过电压对设备造成危害的器件。浪涌保护器作为电子设备雷击防护中不可缺少的一种器件，常称为“避雷器”或“过电压保护器”。浪涌保护器通常设置在电源进线端或各弱电系统引入端进线处，通过自身高低阻抗的变化，在极短的时间内导通分压，吸收窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压，使被保护的设备或系统电压处于可承受范本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述浪涌保护阵列包括：PN二极管(3)、下电极(4)、下加热电极(5)、硫系化合物层(6)以及上电极(7)；/n所述PN二极管(3)呈栓状，等间距阵列式排布；所述下电极(4)位于PN二极管(3)之上；所述下加热电极(5)位于下电极(4)之上；所述硫系化合物层(6)位于下加热电极(5)之上；所述上电极(7)位于硫系化合物层(6)之上；所述上电极(7)呈条状等间距排布，且与硫系化合物层(6)相互垂直。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述浪涌保护阵列包括：PN二极管(3)、下电极(4)、下加热电极(5)、硫系化合物层(6)以及上电极(7)；
所述PN二极管(3)呈栓状，等间距阵列式排布；所述下电极(4)位于PN二极管(3)之上；所述下加热电极(5)位于下电极(4)之上；所述硫系化合物层(6)位于下加热电极(5)之上；所述上电极(7)位于硫系化合物层(6)之上；所述上电极(7)呈条状等间距排布，且与硫系化合物层(6)相互垂直。


2.根据权利要求1所述的基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述硫系化合物层(6)上部与上电极(7)构成电性连接；所述硫系化合物层(6)下部通过下加热电极(5)与下电极(4)构成电性连接。


3.根据权利要求1所述的基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述硫系化合物层(6)为梯形棱柱结构，横向剖面为下窄上宽的梯形，纵向剖面图为正方形；梯形的上宽与高之比为3:2。


4.根据权利要求1～3中任意一项所述的基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述浪涌保护阵列还包括硅衬底和绝热材料层(2)；所述PN二极管(3)等间距阵列式排布在硅衬底上；所述绝热材料层(2)设置在硅衬底上表面以及PN二极管(3)与硫系化合物层(6)之间的内侧壁和外侧壁。


5.根据权利要求1～3所述的基于硫系化合物的浪涌保护阵列，其特征在于，所述浪涌保护阵列两端的电势差未超过阈值导通电压时，其上电极(7)与下电极(4)之间的通路处于关闭的状态；所述浪涌保护阵列两端的电势差超过阈值导通电压时，其上电极(7)与下电极(4)之间的通路处于导通的状态。


6.一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉婵，袁一鸣，张文霞，戚飞，张楠，袁素真，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50