一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法技术

本发明专利技术公开了一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，包括以下步骤：将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面，得到上下线复合结构，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；对所述上下线复合结构依次进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗、组装步骤。本发明专利技术通过采用对上下线卷材的来料使用双面粘性保护膜进行背对背贴合，然后同时对上下线复合结构进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗工艺流程，一次流程可同时制备完成上下线，大大节省了人力，工时以及其他生产性的功耗，且所得产品性能未受影响。

【技术实现步骤摘要】
一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法
本专利技术涉及触控屏
，具体是一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法。
技术介绍
随着触控屏技术的发展，现有的GFF双层结构已经普遍应用于外挂触控结构中，成本压力逐渐变大。现有技术中，此结构对应的生产工艺为上下线需要分别进行压膜，曝光，蚀刻，老化等工艺，即进行了两次压膜，曝光，蚀刻，老化等工艺，人工和工时损耗较多。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，包括以下步骤：将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面，得到上下线复合结构，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；对所述上下线复合结构依次进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗、组装步骤。作为本专利技术进一步的方案：所述上、下线为基材-ITO层结构或基材-ITO层-Cu层结构。作为本专利技术进一步的方案：将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面采用真空卷对卷滚轮贴合机进行贴合，上下滚轮压力0.6～0.8Mpa，速度1.5～2m/min，中间的保护膜宽幅较上下线ITO两边内缩2.5～5mm。作为本专利技术进一步的方案：所述缩水老化处理为对上下线复合结构进行缩水老化处理，使上线基材、下线基材涨缩达到稳定，ITO层完全结晶，缩水老化温度140～150℃，时间20～30min。作为本专利技术进一步的方案：所述压干膜、紫外曝光的步骤包括：对缩水老化处理后的上下线复合材料的上下线ITO层上同时压上干膜，压干膜温度80～90℃，压干膜线速度4～5m/min，再进行紫外曝光处理，曝光能量：150～180mJ/cm2，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化。作为本专利技术进一步的方案：所述显影为将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露ITO层，显影液采用2.5％碳酸钠溶液，显影温度30～40℃，显影线速度3～5m/min。作为本专利技术进一步的方案：所述蚀刻为将上下线复合结构暴露出的上下线暴露出的ITO层利用蚀刻液蚀刻掉，当上、下线为基材-ITO层结构时，蚀刻液为氯化铁和王水，当上、下线为基材-ITO层-Cu层结构时，蚀刻液为5～10％硫酸铜溶液和30～35％稀硫酸溶液。作为本专利技术进一步的方案：所述剥膜和清洗为对上下线复合结构上已经硬化的干膜进行剥膜，使上下线复合结构的基材上仅留下用于导电的ITO线路层，并进行清洗，剥膜液为40～50％乙醇胺,5～10％的乙二胺四乙酸钠，温度30～50℃，剥膜线速度3～5m/min，清洗采用去离子水清洗。作为本专利技术进一步的方案：所述组装具体步骤为：将蚀刻好的上下线复合结构的上下线与双面粘性保护膜分开后，分别得到蚀刻好的上下线；对蚀刻好的上下线进行大张分切，分切后的上下线，使用OCA光学胶进行大张贴合，贴合结构依次为上OCA光学胶层、上线、下OCA光学胶层、下线，将大张贴合好的结构分切成小片sensor，将小片sensor与FPC柔性线路板绑定，得到触控屏sensor导体，最后将上OCA光学胶层与透明盖板贴合，制得触控屏成品。作为本专利技术进一步的方案：当上、下线为基材-ITO层结构时，对蚀刻好的上下线进行大张分切后，还要进行大张材料进行银胶印刷、固化，然后进行大张贴合、组装。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过采用对上下线卷材的来料使用双面粘性保护膜进行背对背贴合，双面粘性保护膜可以确保后工序的上下线对位，卷对卷传送和湿线(显影，蚀刻，剥膜和清洗等)无影响，然后同时对上下线复合结构进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗工艺流程，一次流程可同时制备完成上下线，然后将上下线与双面粘性保护膜分开进行GFF触控屏组装，大大节省了人力，工时以及其他生产性的功耗，且所得产品性能未受影响。附图说明图1为上线、下线与双面粘性保护膜的粘贴结构示意图；图2为上下线复合结构的剖面图。图中：1-双面粘性保护膜、2-上线、3-下线、4-上下线复合结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例中，一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，包括以下步骤：将上线2和下线3分别粘贴在双面粘性保护膜1上下两面，所述上、下线为基材-ITO层结构或基材-ITO层-Cu层结构，所述基材的材料为PET、COP或CPI，将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面采用真空卷对卷滚轮贴合机进行贴合，如图1，真空卷对卷滚轮上下滚轮压力0.6～0.8Mpa，速度1.5～2m/min，中间的保护膜宽幅较上下线ITO两边内缩2.5～5mm，优选2.5mm，以防止贴合偏位引起的漏胶问题，得到上下线复合结构4，如图2，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；对上下线复合结构进行缩水老化处理使上线基材、下线基材涨缩达到稳定，ITO层完全结晶，缩水老化温度140～150℃，时间20～30min；对缩水老化处理后的上下线复合材料的上下线ITO层上同时压上干膜，压干膜温度80～90℃，压干膜线速度4～5m/min，再进行紫外曝光处理，曝光能量：150～180mJ/cm2，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；显影为将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露ITO层，显影液采用2.5％碳酸钠溶液，显影温度30～40℃，显影线速度3～5m/min；将上下线复合结构暴露出的上下线暴露出的ITO层利用蚀刻液蚀刻掉，当上、下线为基材-ITO层结构时，蚀刻液为氯化铁和王水，当上、下线为基材-ITO层-Cu层结构时，蚀刻液为5～10％硫酸铜溶液和30-35％稀硫酸溶液；对上下线复合结构上已经硬化的干膜进行剥膜，使上下线复合结构的基材上仅留下用于导电的ITO线路层，并进行清洗，剥膜液为40～50％乙醇胺,5～10％的乙二胺四乙酸钠，温度30～50℃，剥膜线速度3～5m/min，清洗采用去离子水清洗；将蚀刻好的上下线复合结构的上下线与双面粘性保护膜分开后，分别得到蚀刻好的上下线；对蚀刻好的上下线进行大张分切，分切后的上下线，使用OCA光学胶进行大张贴合，贴合结构依次为上OCA光学胶层、上线、下OCA光学胶层、下线，将大张贴合好的结构分切成小片sensor，将小片sensor与FPC柔性线路板绑定，得到触控屏sensor导体，最后将上OCA光学胶层与透明盖板贴合，制得触控屏成品；当上、下线为基材-ITO层结构时，对蚀刻好的上下线进行大张分切后，还要进行大张材料进行银胶印刷、固化，然后再进行大张贴合、组装。对本专利技术的新工艺和上、下线分开蚀刻所得的工艺产品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面，得到上下线复合结构，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；/n对所述上下线复合结构依次进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗、组装步骤。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面，得到上下线复合结构，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；
对所述上下线复合结构依次进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗、组装步骤。


2.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述上、下线为基材-ITO层结构或基材-ITO层-Cu层结构。


3.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面采用真空卷对卷滚轮贴合机进行贴合，上下滚轮压力0.6～0.8Mpa，速度1.5～2m/min，中间的保护膜宽幅较上下线ITO两边内缩单边内缩2.5～5mm。


4.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述缩水老化处理为对上下线复合结构进行缩水老化处理，使上线基材、下线基材涨缩达到稳定，ITO层完全结晶，缩水老化温度140～150℃，时间20～30min。


5.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述压干膜、紫外曝光的步骤包括：对缩水老化处理后的上下线复合材料的上下线ITO层上同时压上干膜，压干膜温度80～90℃，压干膜线速度4～5m/min，再进行紫外曝光处理，曝光能量：150～180mJ/cm2，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化。


6.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述显影为将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈靖东，唐根初，
申请(专利权)人：安徽精卓光显技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34