【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗装置
[0001]本技术涉及太阳能硅片清洗
,具体涉及一种硅片清洗装置。
技术介绍
[0002]随着光伏太阳能技术的快速发展,“降本增效”是光伏行业技术发展的核心目标。目前的硅片清洗机,包括预清洗槽、药洗槽、漂洗槽和溢流漂洗槽,各个槽的进水均为常温状态,但是清洗工艺对温度的要求为40~90℃,其中溢流漂洗槽的温度要求为50~90℃,其他槽的温度要求为40~50℃,因此现有的硅片清洗机电耗非常大,最终导致硅片清洗的成本很高。
技术实现思路
[0003]专利技术目的:本技术的目的是提出一种硅片清洗装置,能够降低电耗,进而降低硅片清洗成本。
[0004]技术方案:本技术所采用的技术方案如下:
[0005]一种硅片清洗装置,包括预清洗槽、第一药洗槽、第一漂洗槽、第二药洗槽和第二溢流漂洗槽,所述第二溢流漂洗槽的溢流水箱连接有泵体,所述泵体出水端连接有热交换器;所述热交换器的一端连接预清洗槽的进水管,另一端连接第二溢流漂洗槽的纯水进水管。
[0006]优选的,所述第二溢流漂洗槽包 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗装置,包括预清洗槽(1)、第一药洗槽(2)、第一漂洗槽(3)、第二药洗槽(4)和第二溢流漂洗槽(5),其特征在于:所述第二溢流漂洗槽(5)的溢流水箱(6)连接有泵体(7),所述泵体(7)出水端连接有热交换器(8);所述热交换器(8)的一端连接预清洗槽(1)的进水管,另一端连接第二溢流漂洗槽(5)的纯水进水管。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置,其特征在于:所述第二溢流漂洗槽(5)包括依次设置的第一分槽(51)、第二分槽(52)、第三分槽(53)和第四分槽(54),第一分槽(51)、所述第二分槽(52)和第三分槽(53)上设置有溢流孔,所述第一分槽(51)连接有溢流水箱(6)。3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置,其特征在于:所述预清洗槽...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈涛,岳维维,孟祥熙,赵艳,
申请(专利权)人:常州时创能源股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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