【技术实现步骤摘要】
一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用
本专利技术涉及电接触材料
,特别涉及一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用。
技术介绍
目前,电子电器行业中的电接触材料用做继电器、接触器、仪器仪表等触头,担负着接通与分断电流的任务,多以导电性最好的银与其他材料复合而成。由于纯银硬度低,抗电磨损性较差的缘故,通常需要在银基体中添加其它硬质相来增强复合材料的硬度、抗磨损、抗熔焊性等,所形成复合材料的性能优劣直接影响着电器开关和仪器仪表的可靠性和使用寿命。由于电触头在开闭过程中产生的现象极其复杂,影响因素较多,理想的电接触材料必须具备良好的物理性能、电接触性能、加工制造性能等,按照添加硬质相的类型,一般将银基电接触材料主要分为三类:银-金属氧化物、银基假合金和银基合金。一般的银基假合金复合材料有银钨、银镍、银铁等,它们不仅拥有合成材料的优良性能,还具有各组元材料的特性,如优良的抗电弧侵蚀性、耐摩擦磨损、抗熔焊性和低而稳定的接触电阻等,在整个电触头材料体系中占有重要的地位,这种复合材料还能充分发挥组元材料的协同作用,使材料设计有很大的自由度。 ...
【技术保护点】
1.一种银钼合金薄膜,其特征在于,所述薄膜中包括纯银相和银固溶于钼的固溶体相。/n
【技术特征摘要】
1.一种银钼合金薄膜,其特征在于,所述薄膜中包括纯银相和银固溶于钼的固溶体相。
2.根据权利要求1所述的银钼合金薄膜,其特征在于,所述薄膜中,钼的原子百分含量为:50~89at.%。
3.根据权利要求1所述的银钼合金薄膜,其特征在于,所述固溶体相中,银的固溶度小于10at.%。
4.根据权利要求1所述的银钼合金薄膜,其特征在于,所述薄膜厚度为:0.1~30μm。
5.一种银钼合金薄膜的制备方法,其特征在于,采用双靶聚焦共沉积法在任意无机材料衬底上制备如权利要求1~4任一项所述的银钼合金薄膜,其中双靶分别为纯钼靶和纯银靶。
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【专利技术属性】
技术研发人员:周灵平,高宝龙,朱家俊,符立才,杨武霖,李德意,
申请(专利权)人:湖南大学,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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