充电器及充电系统技术方案

技术编号:29137907 阅读:30 留言:0更新日期:2021-07-02 22:34
一种充电器及充电系统,包括:电压检测电路以及逻辑控制电路,其中:电压检测电路,与待充电设备耦接,适于检测待充电设备输出的第一控制信号对应的第一电压值;以及,检测待充电设备输出的第二控制信号对应的第二电压值;逻辑控制电路,与电压检测电路耦接,适于在第一电压值处于第一电压范围内时控制充电器输出第一反馈信号;以及,在检测到第二电压值处于第二电压范围内时控制充电器输出第二反馈信号;第一反馈信号对应的电压小于第一电压值;第二控制信号是待充电设备在接收到第一反馈信号后发送的。上述方案提供了一种能够实现两次握手过程的充电器。

【技术实现步骤摘要】
充电器及充电系统
本专利技术涉及充电
,尤其涉及一种充电器及充电系统。
技术介绍
现有的USB国标充电器一般包括四个引脚:VBUS引脚、DP引脚、DM引脚以及GND引脚,其中,VBUS引脚为充电器的输出引脚,DP引脚和DM引脚为USB接口的两个信号引脚。在通过充电器对待充电设备,例如手机等移动终端进行充电时,待充电设备通过检测充电器的DM和DP端口是否短路来判断当前充电器是否为国标充电器。在现有的快充协议2.0版本中规定,充电器在向待充电设备输出电能之前,需要与待充电设备进行两次握手过程。在两次握手过程完成之后,充电器向待充电设备输出电能。但是,现有协议中并未给出充电器端如何实现两次握手过程的具体电路结构。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的之一为提供一种实现两次握手过程的充电器。为实现上述目的,本专利技术实施例提供一种充电器,包括:电压检测电路以及逻辑控制电路,其中:所述电压检测电路,与待充电设备耦接,适于检测所述待充电设备输出的第一控制信号对应的第一电压值;以及,检测所述待充电设备输出的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电器,其特征在于,包括:电压检测电路以及逻辑控制电路,其中:/n所述电压检测电路,与待充电设备耦接,适于检测所述待充电设备输出的第一控制信号对应的第一电压值;以及,检测所述待充电设备输出的第二控制信号对应的第二电压值;/n所述逻辑控制电路,与所述电压检测电路耦接,适于在所述第一电压值处于第一电压范围内时控制所述充电器输出第一反馈信号;以及,在检测到所述第二电压值处于第二电压范围内时控制所述充电器输出第二反馈信号;/n所述第一反馈信号对应的电压小于所述第一电压值;所述第二控制信号是所述待充电设备在接收到所述第一反馈信号后发送的。/n

【技术特征摘要】
1.一种充电器,其特征在于,包括:电压检测电路以及逻辑控制电路,其中:
所述电压检测电路,与待充电设备耦接,适于检测所述待充电设备输出的第一控制信号对应的第一电压值;以及,检测所述待充电设备输出的第二控制信号对应的第二电压值;
所述逻辑控制电路,与所述电压检测电路耦接,适于在所述第一电压值处于第一电压范围内时控制所述充电器输出第一反馈信号;以及,在检测到所述第二电压值处于第二电压范围内时控制所述充电器输出第二反馈信号;
所述第一反馈信号对应的电压小于所述第一电压值;所述第二控制信号是所述待充电设备在接收到所述第一反馈信号后发送的。


2.如权利要求1所述的充电器,其特征在于,所述逻辑控制电路,适于在所述第一电压值处于所述第一电压范围内时,对所述电压检测电路进行控制,使得所述电压检测电路输出所述第一反馈信号;以及,在所述第二电压值处于第二电压范围内时,控制所述电压检测电路输出所述第二反馈信号。


3.如权利要求2所述的充电器,其特征在于,所述电压检测电路,包括:压降获取单元、开关单元以及压降电阻,其中:
所述压降获取单元,与所述压降电阻耦接,适于获取所述压降电阻上的压降;所述开关单元,与所述逻辑控制电路耦接,适于在所述逻辑控制电路的控制下导通,以调整所述压降电阻的阻值;
所述压降电阻,与所述待充电设备耦接,适于形成压降并反馈至所述待充电设备。


4.如权利要求3所述的充电器,其特征在于,所述压降获取单元包括N个判决门限均不等的比较器;任一比较器的第一输入端均输入所述压降电压,任一比较器的第二输入端均输入一一对应的判决门限,任一比较器的输出端均与所述逻辑控制电路耦接;
所述逻辑控制电路,适于根据所述N个比较器输出的比较结果,对所述开关单元进行控制。


5.如权利要求3所述的充电器,其特征在于,所述压降获取单元包括模数转换器;所述模数转换器,其输入端与所述待充电设备耦接,其输出端与所述逻辑控制电路耦接;
所述逻辑控制电路,适于根据所述模数转换器的输出结果,对所述开关单元进行控制。


6.如权利要求3~5任一项所述的充电器,其特征在于,所述开关单元包括以下任一种:NMOS管、PMOS管、三极管以及继电器。


7.如权利要求6所述的充电器,其特征在于,所述开关单元包括第一NMOS管以及第二NMOS管,所述压降电阻包括第一压降电阻以及第二压降电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐超林金峰黄廷昭黄红星
申请(专利权)人:展讯通信上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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