一种薄膜天线、显示模组及显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种薄膜天线、显示模组及显示装置，其中，薄膜天线包括第一区域和第二区域，薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层、第一膜层和引线层；其中，天线功能层包括天线线圈，天线线圈位于第一区域内，引线层包括引线以及连接引线的端子，端子位于第二区域内，引线与天线线圈通过设置在第一膜层上的过孔连接。本实施例提供的薄膜天线可以贴附在显示面板的背面，天线与显示面板之间无需设置屏蔽信号的中框等部件，因此，在屏幕侧就可以直接使用天线功能。对于屏幕外折的终端设备，在折叠状态下就可以直接进行NFC识别等，提高使用便利性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜天线、显示模组及显示装置
本申请涉及显示
，特别是涉及一种薄膜天线、显示模组及显示装置。
技术介绍
现有移动终端中设置有各种天线，如NFC天线、无线充电天线等。这些天线通常是固定在移动终端的后盖或主板等位置，天线与屏幕之间设置有中框等部件。由于金属中框对天线信号的屏蔽作用，因此，对于屏幕外折的终端设备，在需要使用天线功能如进行NFC识别时必须展开屏幕，使用极不方便。
技术实现思路
本申请提供一种薄膜天线、显示模组及显示装置，以实现屏幕侧的天线功能。为了解决上述问题，本申请公开了一种薄膜天线，包括第一区域和第二区域，所述薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层、第一膜层和引线层；其中，所述天线功能层包括天线线圈，所述天线线圈位于所述第一区域内，所述引线层包括引线以及连接所述引线的端子，所述端子位于所述第二区域内，所述引线与所述天线线圈通过设置在所述第一膜层上的过孔连接。在一种可选的实现方式中，所述引线包括第一引线和第二引线，所述端子包括第一端子和第二端子；其中，所述第一引线的第一端连接所述第一端子，第二端连接所述天线线圈的首端；所述第二引线的第一端连接所述第二端子，第二端连接所述天线线圈的尾端。在一种可选的实现方式中，在所述天线功能层背离所述引线层的一侧设置有第二膜层，在所述引线层背离所述天线功能层的一侧设置有第三膜层。在一种可选的实现方式中，在所述第三膜层背离所述引线层的一侧层叠设置有第一胶膜和离型膜，所述第一胶膜靠近所述第三膜层设置，所述离型膜用于在贴附所述薄膜天线时，从所述第一胶膜的表面剥离，所述第一胶膜以及所述离型膜位于所述第一区域内；在所述第二膜层背离所述天线功能层的一侧层叠设置有第二胶膜和导磁材料层，所述第二胶膜靠近所述第二膜层设置，所述第二胶膜以及所述导磁材料层位于所述第一区域内。在一种可选的实现方式中，在所述第二膜层背离所述天线功能层的一侧层叠设置有第一胶膜和离型膜，所述第一胶膜靠近所述第二膜层设置，所述离型膜用于在贴附所述薄膜天线时，从所述第一胶膜的表面剥离，所述第一胶膜以及所述离型膜位于所述第一区域内；在所述第三膜层背离所述引线层的一侧层叠设置有第二胶膜和导磁材料层，所述第二胶膜靠近所述第三膜层设置，所述第二胶膜以及所述导磁材料层位于所述第一区域内。在一种可选的实现方式中，所述导磁材料层在频率13.56Mhz下的磁导率大于或等于150亨利/米，磁损耗可以小于或等于100W/m3。在一种可选的实现方式中，所述第三膜层在所述第一膜层上的正投影与所述端子在所述第一膜层上的正投影无交叠。在一种可选的实现方式中，所述天线线圈的线宽大于或等于0.5mm，且小于或等于5mm，所述引线的线宽大于或等于所述天线线圈的线宽。在一种可选的实现方式中，所述天线线圈为平面螺旋线圈，所述平面螺旋线圈的线圈间距大于或等于0.1mm，且小于或等于1mm。在一种可选的实现方式中，所述端子的面积大于或等于2mm2。在一种可选的实现方式中，所述天线功能层的膜层厚度小于或等于8μm。为了解决上述问题，本申请公开了一种显示模组，所述显示模组包括显示面板、粘结层以及任一实施例所述的薄膜天线，其中，所述粘结层用于粘结所述显示面板与所述薄膜天线，所述薄膜天线位于所述显示面板背离出光面的一侧，所述显示面板的显示区域与所述薄膜天线的第一区域对应。为了解决上述问题，本申请公开了一种显示装置，所述显示装置包括电路板以及任一实施例所述的显示模组，其中，所述电路板与所述端子连接。在一种可选的实现方式中，所述引线层靠近所述显示面板设置，所述第二区域朝向所述天线功能层弯折并固定。在一种可选的实现方式中，当所述薄膜天线还包括设置在所述引线层背离所述天线功能层一侧的第三膜层时，在所述第三膜层背离所述引线层的一侧还设置有第三胶膜，所述第三胶膜位于所述第二区域内。在一种可选的实现方式中，所述第三胶膜的弹性模量大于或等于200Kpa，且小于或等于600Kpa。在一种可选的实现方式中，所述天线功能层靠近所述显示面板设置，所述第二区域朝向所述引线层弯折并固定。现有技术相比，本申请包括以下优点：本申请技术方案提供了一种薄膜天线、显示模组及显示装置，其中，薄膜天线包括第一区域和第二区域，薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层、第一膜层和引线层；其中，天线功能层包括天线线圈，天线线圈位于第一区域内，引线层包括引线以及连接引线的端子，端子位于第二区域内，引线与天线线圈通过设置在第一膜层上的过孔连接。本实施例提供的薄膜天线可以贴附在显示面板的背面，天线与显示面板之间无需设置屏蔽信号的中框等部件，因此，在屏幕侧就可以直接使用天线功能。对于屏幕外折的终端设备，在折叠状态下就可以直接进行NFC识别等，提高使用便利性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本申请实施例提供的第一种薄膜天线的剖面结构示意图；图2示出了本申请实施例提供的第二种薄膜天线的剖面结构示意图；图3示出了本申请实施例提供的第一种薄膜天线的平面结构示意图；图4示出了本申请实施例提供的第二种薄膜天线的第一平面结构示意图；图5示出了本申请实施例提供的第二种薄膜天线的第二平面结构示意图；图6示出了本申请实施例提供的第一种薄膜天线切割后的平面结构示意图；图7示出了本申请实施例提供的一种薄膜天线的剖面结构示意图；图8示出了本申请实施例提供的另一种薄膜天线的剖面结构示意图；图9示出了本申请实施例提供的一种薄膜天线的平面结构示意图；图10示出了本申请实施例提供的一种显示模组的剖面结构示意图；图11示出了本申请实施例提供的另一种显示模组的剖面结构示意图；图12示出了本申请实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；图13示出了本申请实施例提供的第一种显示装置的剖面结构示意图；图14示出了本申请实施例提供的第二种显示装置的剖面结构示意图；图15示出了本申请实施例提供的第三种显示装置的剖面结构示意图。具体实施方式为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。本申请一实施例提供了一种薄膜天线，参照图1和图2示出了本实施例提供的薄膜天线的剖面结构示意图，该薄膜天线包括第一区域AA和第二区域BB。如图1和图2所示，该薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层12、第一膜层13和引线层14；其中，天线功能层12包括天线线圈，天线线圈位于第一区域AA内，引线层14包括引线141以及连接引线141的端子142，端子142位于第二区域BB内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜天线，其特征在于，包括第一区域和第二区域，所述薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层、第一膜层和引线层；/n其中，所述天线功能层包括天线线圈，所述天线线圈位于所述第一区域内，所述引线层包括引线以及连接所述引线的端子，所述端子位于所述第二区域内，所述引线与所述天线线圈通过设置在所述第一膜层上的过孔连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜天线，其特征在于，包括第一区域和第二区域，所述薄膜天线包括：层叠设置的天线功能层、第一膜层和引线层；
其中，所述天线功能层包括天线线圈，所述天线线圈位于所述第一区域内，所述引线层包括引线以及连接所述引线的端子，所述端子位于所述第二区域内，所述引线与所述天线线圈通过设置在所述第一膜层上的过孔连接。


2.根据权利要求1所述的薄膜天线，其特征在于，所述引线包括第一引线和第二引线，所述端子包括第一端子和第二端子；
其中，所述第一引线的第一端连接所述第一端子，第二端连接所述天线线圈的首端；所述第二引线的第一端连接所述第二端子，第二端连接所述天线线圈的尾端。


3.根据权利要求1所述的薄膜天线，其特征在于，在所述天线功能层背离所述引线层的一侧设置有第二膜层，在所述引线层背离所述天线功能层的一侧设置有第三膜层。


4.根据权利要求3所述的薄膜天线，其特征在于，在所述第三膜层背离所述引线层的一侧层叠设置有第一胶膜和离型膜，所述第一胶膜靠近所述第三膜层设置，所述离型膜用于在贴附所述薄膜天线时，从所述第一胶膜的表面剥离，所述第一胶膜以及所述离型膜位于所述第一区域内；
在所述第二膜层背离所述天线功能层的一侧层叠设置有第二胶膜和导磁材料层，所述第二胶膜靠近所述第二膜层设置，所述第二胶膜以及所述导磁材料层位于所述第一区域内。


5.根据权利要求3所述的薄膜天线，其特征在于，在所述第二膜层背离所述天线功能层的一侧层叠设置有第一胶膜和离型膜，所述第一胶膜靠近所述第二膜层设置，所述离型膜用于在贴附所述薄膜天线时，从所述第一胶膜的表面剥离，所述第一胶膜以及所述离型膜位于所述第一区域内；
在所述第三膜层背离所述引线层的一侧层叠设置有第二胶膜和导磁材料层，所述第二胶膜靠近所述第三膜层设置，所述第二胶膜以及所述导磁材料层位于所述第一区域内。


6.根据权利要求4或5所述的薄膜天线，其特征在于，所述导磁材料层在频率13.56Mhz下的磁导率大于或等于150亨利/米，磁损耗可以小于或等于100W/m3。

【专利技术属性】
技术研发人员：谷朋浩，王鑫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11