一种高性能BaSnO制造技术

本发明专利技术提供一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术，属于新型显示材料技术领域，该技术采用阴极电弧法，以BaSnO

【技术实现步骤摘要】
一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术
本专利技术涉及新型显示材料
，特别涉及一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术。
技术介绍
当前，以InGaZnO4氧化物半导体薄膜为有源层或源/漏电极的薄膜晶体管(ThinFilm-Transistors,TFTs)已在TFT-液晶显示器、TFT-有机发光二极管显示器等新型显示器中得到大量研究和应用。但是InGaZnO4中含有45％重量比的In2O3，众所周知，In在地表中属于稀有金属，价格昂贵。因此，降低氧化物靶材中的In含量且保持获得高性能的TFTs器件性能，一直是国内外研究者的目标。而且，至今InGaZnO4TFTs的稳定性仍然有待改进。最后，制备高电子迁移率有源层可获得高场效应迁移率和高开态电流TFTs，从而使有机发光二极管显示器或发光二极管显示器有更高的亮度，但InGaZnO4TFTs的迁移率在这些新型显示器中应用还是有限。并且提高薄膜的电子迁移率可以提高其电导率。由于BaSnO3具有很小的电子有效质量，BaSnO3基单晶或薄膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能BaSnO

【技术特征摘要】
1.一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术，其特征在于：该技术采用阴极电弧法，以BaSnO3氧化物靶或BaSn合金靶进行制备，具体方法主要包括以下步骤：
S1、高性能BaInSnOx透明导电薄膜的制备；
S2、高性能共面同质结底栅结构BaInSnOxTFTs的制备；
S3、将高性能底栅结构BaInSnOxTFTs的制备；
S4、高性能自对准底栅结构BaInSnOxTFTs的制备。


2.根据权利要求1所述的一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术，其特征在于：所述S1中采用阴极电弧法，以BaInSn合金靶单靶，在玻璃基底制备得到电导率大于103S/cm的透明导电薄膜，再用H2、Ar或He等离子体处理薄膜进一步提高电导率，获得的BaInSnOx透明导电薄膜能够作为共面同质结底栅结构或自对准结构TFTs的源/漏电极。


3.根据权利要求1所述的一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术，其特征在于：所述S2具体为：在玻璃基底，用溅射、光刻或湿法刻蚀工艺制备栅电极；再在其上用等离子体化学气相沉积制备SiO2绝缘层；再用S1中要求制备BaInSnOx有源层；再在有源层上半导体岛区域旋涂一层光刻胶作为掩模；再将掩模区域以外部分BaInSnOx薄膜，在反应离子刻蚀设备内，用H2或Ar或He等离子体处理BaInSnOx薄膜，或以准分子激光退火扫描，获得低阻BaInSnOx源/漏区；以丙酮清洗光刻胶，获得共面同质结底栅结构TFTs。


4.根据权利要求1所述的一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术，其特征在于：所述S3具体为：在玻璃基底，用溅射、光刻或湿法刻蚀工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚建可，唐杰，汤皎宁，
申请(专利权)人：深圳戴尔蒙德科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44